91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統(tǒng)消息
      • 評(píng)論與回復(fù)
      VIP于 到期 續(xù)費(fèi)
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學(xué)習(xí)在線課程
      • 觀看技術(shù)視頻
      • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
      會(huì)員中心
      創(chuàng)作中心
      發(fā)布
      創(chuàng)作活動(dòng)

      完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>

      3天內(nèi)不再提示

      廈門云天Fine Pitch光刻工藝突破2um L/S

      半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 來源：半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 作者：半導(dǎo)體芯科技SiS ? 2022-11-30 17:07 ? 次閱讀
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

      來源：云天半導(dǎo)體

      廈門云天半導(dǎo)體繼九月初8&12吋 “晶圓級(jí)封裝與無源器件生產(chǎn)線”正式通線后，經(jīng)過團(tuán)隊(duì)的不懈努力， 8英寸晶圓Fine Pitch光刻工藝開發(fā)終破2/2um L/S大關(guān)；

      以下為部分工藝條件及成果展示：

      a57afd6a59f34094a5b0efe757b7e328~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1670403531&x-signature=hy%2F63Ui3NxSPwU6fE5bLmvTNZBw%3D

      215fc07db4cf42e5a511cad2160d0d7f~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1670403531&x-signature=wkF0%2F9nsgqCq2V8gvk5fOlJ8IlA%3D

      膠厚均勻性 3.4%

      cfa8339da9b940abab19794f22034ee8~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1670403531&x-signature=arVuPHxEOvamG1msqy3g8qE20EA%3D

      CD開口均勻性 3%

      在Test Vehicle光罩下，測(cè)試了長(zhǎng)線條&短線條，結(jié)果不論是在正性光阻還是負(fù)性光阻下， 2um的L/S下的線條都是完整而清晰的，而且沒有任何顯影不潔或過顯的外觀異常；

      b73a639c99e74e7a80b3685695f52884~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1670403531&x-signature=4K5jDnwDONz%2FkZbSO97mc%2BAIo4Q%3D

      2um 短線條（光刻后）

      1e6f5f51fc1b47e088329dad5f994f39~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1670403531&x-signature=tQOyfUE1k5fzLjwfUbT7%2Blei3Cg%3D

      2um長(zhǎng)線條-負(fù)膠（光刻后）

      5cfed836556e4c999a1d287a655244f4~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1670403531&x-signature=YRKFi3jZzspg%2BmaMbIPdGyo3fvM%3D

      2um長(zhǎng)線條-正膠（光刻后）

      SEM切片效果圖如下，膠厚：3.308um，CD上開口：2.272um，CD下開口：1.716um，側(cè)壁垂直度約85.2°；

      9a440b4491af401e99d4c6d3a2fec7ee~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1670403531&x-signature=5weFdr3CFR5g9KBQK7toltpYZzA%3D

      2um孔徑SEM

      2um長(zhǎng)線條經(jīng)過電鍍及種子層刻蝕后，線寬及線距均在工藝管控范圍內(nèi)，未出現(xiàn)線路Peeling及斷短路等外觀異常；

      d2cc7d521c5e4815b2bc06d30aa2c452~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1670403531&x-signature=m9R3Ww8Wncdo37vZDAXQVy8beTI%3D

      2um長(zhǎng)線條-負(fù)膠（電鍍后）

      b832eb3f2f064d8491a3dec5c748de48~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1670403531&x-signature=l%2B6anMV946dwRtR%2FkgiOzDRD64Q%3D

      2um長(zhǎng)線條-負(fù)膠（PVD刻蝕后）

      廈門云天半導(dǎo)體目前量產(chǎn)化最小L/S為10/10um，工程樣品能力最小L/S為7/7um，2/2um的L/S工藝的成功開發(fā)是二期通線后的一次重大突破。目前2/2um的L/S工藝還需進(jìn)一步的開拓驗(yàn)證，為后續(xù)量產(chǎn)化的導(dǎo)入做足準(zhǔn)備。廈門云天半導(dǎo)體將持續(xù)追求“創(chuàng)新、卓越、合作、奮斗”的精神，不斷挑戰(zhàn)極限、勇攀高峰！

      審核編輯黃昊宇

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
      • 光刻
        +關(guān)注

        關(guān)注

        8

        文章

        364

        瀏覽量

        31346
      收藏 人收藏
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

        評(píng)論

        相關(guān)推薦
        熱點(diǎn)推薦

        AI需求飆升！ASML新光刻機(jī)直擊2nm芯片制造，尼康新品獲重大突破

        *1(L/S*2)高分辨率。扇出型面板級(jí)封裝（FOPLP）技術(shù)為何會(huì)獲得臺(tái)積電、三星等代工大廠的青睞？比較傳統(tǒng)的光刻機(jī)設(shè)備，尼康DSP-100的技術(shù)原理有何不同？能解決AI芯片生產(chǎn)當(dāng)中
        的頭像 發(fā)表于 07-24 09:29 ?8286次閱讀
        AI需求飆升！ASML新<b class='flag-5'>光刻</b>機(jī)直擊<b class='flag-5'>2</b>nm芯片制造，尼康新品獲重大<b class='flag-5'>突破</b>

        貼片晶振超高頻光刻工藝基本原理

        什么是光刻：光刻是IC制造業(yè)中最為重要的一道工藝,占據(jù)了芯片制造中大約一半的步驟.光刻占所有成本的三分之一以上。通?？捎?b class='flag-5'>光刻次數(shù)及所需Mas
        的頭像 發(fā)表于 02-04 11:12 ?104次閱讀
        貼片晶振超高頻<b class='flag-5'>光刻工藝</b>基本原理

        【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度在光刻工藝中的反饋控制優(yōu)化研究

        一、引言 玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、微流控芯片等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，光刻工藝作為決定器件圖案精度與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對(duì)玻璃晶圓的質(zhì)量要求極為嚴(yán)苛 。總厚度偏差（TTV）是衡量玻璃晶圓質(zhì)量的重要指標(biāo)，其厚度
        的頭像 發(fā)表于 10-09 16:29 ?749次閱讀
        【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度在<b class='flag-5'>光刻工藝</b>中的反饋控制優(yōu)化研究

        光刻膠剝離工藝

        光刻膠剝離工藝是半導(dǎo)體制造和微納加工中的關(guān)鍵步驟，其核心目標(biāo)是高效、精準(zhǔn)地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類型及實(shí)施要點(diǎn)：濕法剝離技術(shù)有機(jī)溶劑溶解法原理：使
        的頭像 發(fā)表于 09-17 11:01 ?1929次閱讀
        <b class='flag-5'>光刻</b>膠剝離<b class='flag-5'>工藝</b>

        詳解超高密度互連的InFO封裝技術(shù)

        InFO-R作為基礎(chǔ)架構(gòu)，采用"芯片嵌入+RDL成型"的工藝路徑。芯片在晶圓級(jí)基板上完成精準(zhǔn)定位后，通過光刻工藝直接在芯片表面構(gòu)建多層銅重布線層（RDL），線寬/線距（L/S）可壓縮至
        的頭像 發(fā)表于 09-01 16:10 ?2829次閱讀
        詳解超高密度互連的InFO封裝技術(shù)

        光刻膠旋涂的重要性及厚度監(jiān)測(cè)方法

        在芯片制造領(lǐng)域的光刻工藝中，光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié)，而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測(cè)薄膜厚度測(cè)量?jī)xAF系列憑借高精度、高速度的特點(diǎn)，為光刻膠厚度監(jiān)測(cè)提供了可靠
        的頭像 發(fā)表于 08-22 17:52 ?1790次閱讀
        <b class='flag-5'>光刻</b>膠旋涂的重要性及厚度監(jiān)測(cè)方法

        新能源電池深孔極片測(cè)量突破：新啟航激光頻率梳技術(shù)消除光學(xué)遮擋，達(dá) 2um 級(jí)精度

        摘要：本文針對(duì)新能源電池深孔極片測(cè)量難題，介紹新啟航激光頻率梳技術(shù)。該技術(shù)憑借獨(dú)特的測(cè)量原理，有效消除光學(xué)遮擋影響，實(shí)現(xiàn) 2um 級(jí)高精度測(cè)量，為新能源電池極片質(zhì)量把控與性能提升提供關(guān)鍵技術(shù)
        的頭像 發(fā)表于 08-11 13:16 ?688次閱讀
        新能源電池深孔極片測(cè)量<b class='flag-5'>突破</b>：新啟航激光頻率梳技術(shù)消除光學(xué)遮擋，達(dá) <b class='flag-5'>2um</b> 級(jí)精度

        3D 共聚焦顯微鏡 | 芯片制造光刻工藝的表征應(yīng)用

        光刻工藝是芯片制造的關(guān)鍵步驟，其精度直接決定集成電路的性能與良率。隨著制程邁向3nm及以下，光刻膠圖案三維結(jié)構(gòu)和層間對(duì)準(zhǔn)精度的控制要求達(dá)納米級(jí)，傳統(tǒng)檢測(cè)手段難滿足需求。光子灣3D共聚焦顯微鏡憑借非
        的頭像 發(fā)表于 08-05 17:46 ?1213次閱讀
        3D 共聚焦顯微鏡 | 芯片制造<b class='flag-5'>光刻工藝</b>的表征應(yīng)用

        MEMS制造領(lǐng)域中光刻Overlay的概念

        在 MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）制造領(lǐng)域，光刻工藝是決定版圖中的圖案能否精確 “印刷” 到硅片上的核心環(huán)節(jié)。光刻 Overlay（套刻精度），則是衡量光刻機(jī)將不同層設(shè)計(jì)圖案對(duì)準(zhǔn)精度的關(guān)鍵指標(biāo)。光刻
        的頭像 發(fā)表于 06-18 11:30 ?1907次閱讀
        MEMS制造領(lǐng)域中<b class='flag-5'>光刻</b>Overlay的概念

        光刻工藝中的顯影技術(shù)

        一、光刻工藝概述 光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心技術(shù)，通過光刻膠在特殊波長(zhǎng)光線或者電子束下發(fā)生化學(xué)變化，再經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程，將設(shè)計(jì)在掩膜上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，是現(xiàn)代半導(dǎo)體、微
        的頭像 發(fā)表于 06-09 15:51 ?2824次閱讀

        激光劃刻工藝革新：20.24%高效鈣鈦礦組件的長(zhǎng)期穩(wěn)定性突破

        ，傳統(tǒng)組件制備中的激光劃刻工藝（尤其是P3頂電極隔離步驟）會(huì)引發(fā)鈣鈦礦材料熱降解，但機(jī)制不明。本文通過調(diào)控激光脈沖重疊度，結(jié)合美能鈣鈦礦在線PL測(cè)試機(jī)評(píng)估激光刻劃過程引起的材料缺陷和界面狀態(tài)
        的頭像 發(fā)表于 06-06 09:02 ?1150次閱讀
        激光劃<b class='flag-5'>刻工藝</b>革新：20.24%高效鈣鈦礦組件的長(zhǎng)期穩(wěn)定性<b class='flag-5'>突破</b>

        光刻膠產(chǎn)業(yè)國(guó)內(nèi)發(fā)展現(xiàn)狀

        ，是指通過紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線等光照或輻射，溶解度會(huì)發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料，是光刻工藝中的關(guān)鍵材料。 從芯片生產(chǎn)的工藝流程上來說，光刻膠的應(yīng)用處于芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)當(dāng)中的制造環(huán)節(jié)，是芯片制造過程里
        的頭像 發(fā)表于 06-04 13:22 ?1594次閱讀

        光刻膠的類型及特性

        光刻膠類型及特性光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和
        的頭像 發(fā)表于 04-29 13:59 ?9534次閱讀
        <b class='flag-5'>光刻</b>膠的類型及特性

        【「芯片通識(shí)課：一本書讀懂芯片技術(shù)」閱讀體驗(yàn)】了解芯片怎樣制造

        ，三合一工藝平臺(tái)，CMOS圖像傳感器工藝平臺(tái)，微電機(jī)系統(tǒng)工藝平臺(tái)。 光掩模版:基板，不透光材料 光刻膠:感光樹脂，增感劑，溶劑。 正性和負(fù)性。 光刻
        發(fā)表于 03-27 16:38

        光刻工藝的主要流程和關(guān)鍵指標(biāo)

        光刻工藝貫穿整個(gè)芯片制造流程的多次重復(fù)轉(zhuǎn)印環(huán)節(jié)，對(duì)于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導(dǎo)體制造工藝演進(jìn)，對(duì)光刻分辨率、套準(zhǔn)精度和可靠性的要求持續(xù)攀升，光刻技術(shù)也將不斷演化，
        的頭像 發(fā)表于 03-27 09:21 ?3764次閱讀
        <b class='flag-5'>光刻工藝</b>的主要流程和關(guān)鍵指標(biāo)