1、 HC為COMS電平，HCT為TTL電平。

2、 LS輸入開路為高電平，HC輸入不允許開路，HC一般都要求有上下拉電阻來確定輸入端無效時(shí)的電平。LS卻沒有這個(gè)要求。

3、 LS輸出下拉強(qiáng)上拉弱，HC上拉下拉相同。

4、 工作電壓：LS只能用5V，而HC一般為2V到6V。

5、 CMOS可以驅(qū)動TTL，但反過來是不行的。TTL電路驅(qū)動COMS電路時(shí)需要加上拉電阻，將2.4V~3.6V之間的電壓上拉起來，讓CMOS檢測到高電平輸入。

6、 驅(qū)動能力不同，LS一般高電平的驅(qū)動能力為5mA，低電平為20mA;而CMOS的高低電平均為5mA。

7、 RS232電平為+12V為邏輯負(fù)，-12為邏輯正。

8、 COMS的輸入電流超過1mA，就有可能燒壞COMS。

9、 當(dāng)接長信號傳輸線時(shí)，在COMS電路端接匹配電阻。

10、 在門電路輸入端串聯(lián)10K電阻后再輸入低電平，輸入端出呈現(xiàn)的是高電平而不是低電平。

11、 如果電路中出現(xiàn)3.3V的COMS電路去驅(qū)動5V CMOS電路的情況，如3.3V單片機(jī)去驅(qū)動74HC,這種情況有以下幾種方法解決，最簡單的就是直接將74HC換成74HCT的芯片，因?yàn)?.3VCMOS可以直接驅(qū)動5V的TTL電路；或者加電壓轉(zhuǎn)換芯片;還有就是把單片機(jī)的I/O口設(shè)為開漏，然后加上拉電阻到5V，這種情況下得根據(jù)實(shí)際情況調(diào)整電阻的大小，以保證信號的上升沿時(shí)間。

12、 邏輯門輸出為高電平時(shí)的負(fù)載電流(為拉電流)，邏輯門輸出為低電平時(shí)的負(fù)載電流(為灌電流)。

13、 由于漏級開路，所以后級電路必須接一上拉電阻，上拉電阻的電源電壓就可以決定輸出電平。這樣漏極開路形式就可以連接不同電平的器件，用于電平轉(zhuǎn)換。需要注意的一點(diǎn)：在上升沿的時(shí)候通過外部上拉無源電阻對負(fù)載進(jìn)行充電，所以上升沿的時(shí)間可能不夠迅速，盡量使用下降沿。

14、 屏蔽線對靜電有很強(qiáng)的抑制作用，雙絞線對電磁感應(yīng)也有一定的抑制效果。

15、 模擬信號采樣抗干擾技術(shù)：可以采用具有差動輸入的測量放大器，采用屏蔽雙膠線傳輸測量信號，或?qū)㈦妷盒盘柛淖優(yōu)殡娏餍盘?，以及采用阻容濾波等技術(shù)。

16、 閑置不用的IC管腳不要懸空以避免干擾引入。不用的運(yùn)算放大器正輸入端接地，負(fù)輸入端接輸出。單片機(jī)不用的I/O口定義成輸出。單片機(jī)上有一個(gè)以上電源、接地端，每個(gè)都要接上，不要懸空。

17、 電阻的作用為分流、限流、分壓、偏置、濾波(與電容器組合使用)和阻抗匹配等。

18、 電容的作用：隔直流、旁路、耦合、濾波、補(bǔ)償、充放電、儲能等。

19、 一般電容的數(shù)字表示法單位為pF，電解電容一般為uF。

20、 電容器的主要性能指標(biāo)：電容器的容量(即儲存電荷的容量), 耐壓值(指在額定溫度范圍內(nèi)電容能長時(shí)間可靠工作的最大直流電壓或最大交流電壓的有效值) 耐溫值(表示電容所能承受的最高工作溫度)。

21、 輸出數(shù)據(jù)應(yīng)該鎖存(外圍速度跟不上，所以需要鎖存)，輸入數(shù)據(jù)應(yīng)該有三態(tài)緩沖(加入了高阻狀態(tài)，不至于對內(nèi)部的數(shù)據(jù)總線產(chǎn)生影響)。

22、 穩(wěn)壓時(shí)，采用兩級集成穩(wěn)壓芯片穩(wěn)壓效果更好。

23、 交流地與信號地不能公用，數(shù)字地和模擬地最好分開，然后在一點(diǎn)相連。

24、 上拉就是將不確定的信號通過一個(gè)電阻嵌位在高電平!電阻同時(shí)起限流作用!下拉同理。

審核編輯 ：李倩