12月17日，由中國半導體投資聯(lián)盟、集微網共同舉辦，以“磨礪以須，逐勢破局”為主題的“2023中國IC風云榜”頒獎典禮在合肥順利召開。此次會議匯聚了投融資界、半導體產業(yè)頭部企業(yè)和專家，芯耀輝科技有限公司（以下簡稱“芯耀輝”）以國際領先的自研產品斬獲2023中國IC風云榜“年度技術突破獎”。

中國IC風云榜以開放的國際視野和科學的評選維度，為半導體企業(yè)創(chuàng)新賦能，深受企業(yè)與市場的認可與青睞，已成為中國IC產業(yè)的風向標獎項。芯耀輝繼2020年獲得“年度最具成長潛力獎”、2021年獲得“年度IC獨角獸獎”，評委會第三年授予芯耀輝“年度技術突破獎”，正是基于芯耀輝在2021年推出了基于國產SMIC FinFET工藝完整的高質量接口IP解決方案的堅實基礎上，2022年度迎來了重大技術突破，在半導體領域攻克“卡脖子”環(huán)節(jié)，解決市場痛點的積極貢獻。

國內先進工藝全套車規(guī)級別IP解決方案

芯耀輝是目前唯一可提供國內先進工藝全套車規(guī)級別IP解決方案的IP公司，產品覆蓋了車規(guī)核心規(guī)范要求AEC-Q100車規(guī)可靠性要求及ASIL功能安全級別要求。完整的產品覆蓋，例如SerDes、DDR、PCIe，USB及MIPI等IP解決方案，可應用于汽車及工控的車規(guī)級SoC和車規(guī)功能安全級SoC，補齊了車規(guī)工藝IP的空白。

高性能的DDR5/4、LPDDR5/5/4X/4

芯耀輝研發(fā)團隊順利完成了基于12/14nm FinFet工藝的DDR5/4、LPDDR5X/5/4X/4，高速SerDes等自研IP的開發(fā)和首批交付，其中DDR5性能在16/14/12nm工藝上超越了全行業(yè)最高速率，服務于企業(yè)級和高端消費級應用；LPDDR5/4 PHY IP極具PPA競爭力，應用于智能汽車和高端消費級產品。

完整的并口和串口D2D解決方案

芯耀輝在Chiplet解決方案上也早有布局。2022年4月，芯耀輝作為首批會員加入了UCIe組織。目前，支持UCIe協(xié)議且兼容多樣化D2D和C2C場景的“并口D2D PHY IP”以及高能效比和高帶寬利用率的“串口112G D2D SerDes PHY IP”已上市，服務于企業(yè)級和高端消費級應用。同時，今年10月，芯耀輝承接了國家科技部重點研發(fā)專項，作為國家隊成員著力推動國內Chiplet標準CCITA的產業(yè)化落地，全面賦能國內半導體產業(yè)。

芯耀輝首席運營官唐曉柯表示：

“獲此榮譽是對芯耀輝2022年度技術突破的肯定，也進一步印證了公司團隊長期聚焦核心技術研發(fā)的正確性。未來，團隊將持續(xù)支持國內先進工藝的演進，進一步完善各個工藝節(jié)點上IP完整解決方案，同時跟隨行業(yè)先進接口協(xié)議、布局新興IP，如UCIe、PCIe6，USB4.0等。芯耀輝要做芯片行業(yè)上游的賦能者，充分發(fā)揮自身在IP領域的核心技術優(yōu)勢，賦能產業(yè)合作伙伴，聚集力量進行原創(chuàng)性引領性科技攻關，增強自主創(chuàng)新能力?！?/p>

審核編輯 ：李倩