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2022年半導體行業(yè)回顧之IGBT:終端導入國產(chǎn)IGBT產(chǎn)品加速,供應仍然緊張

lPCU_elecfans ? 來源:未知 ? 2022-12-28 07:10 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/程文智)2022年只剩下幾天的時間了,今年發(fā)生了太多的事情,半導體行業(yè)也不例外,在經(jīng)歷了去年轟轟烈烈的供應緊張之后,今年不少半導體器件出現(xiàn)了供應過剩的情況。11月中旬的時候,電子發(fā)燒友網(wǎng)與一些行業(yè)內(nèi)人士交流的時候,有人透露有些元器件的庫存超過了1年,當然,這不包括這幾年需求一直都很堅挺的IGBT器件。
1982年,通用電氣的B?賈揚?巴利加發(fā)明了IGBT,它集合了雙極型功率晶體管(BJT)和功率MOSFET的優(yōu)點,一經(jīng)推出,便引起了廣泛關注,各大半導體公司都投入巨資開發(fā)IGBT器件。隨著工藝技術的不斷改進和提高,其電性能參數(shù)和可靠性也日趨完善。

IGBT的技術發(fā)展及市場格局

由于IGBT集合了BJT和功率MOSFET的雙重優(yōu)點,既具有功率MOSFET的高速開關和電壓驅動特性,又具有BJT的低飽和壓降和承載較大電流的特點,且具有高耐壓能力。據(jù)悉,目前商業(yè)化的IGBT模塊耐壓已經(jīng)做到了6500V,實驗室甚至已經(jīng)做到了8000V。
目前,IGBT器件的發(fā)展趨勢主要是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠性和低成本。近10年來,IGBT器件發(fā)展的主要難點在于其器件的物理特性,尤其是溝槽型IGBT的物理特性,通常并不容易達到。主要體現(xiàn)在IGBT的開通速度和損耗、擴展至8英寸和12英寸制造/加工技術的挑戰(zhàn)、緩沖層構成,以及微溝槽設計等方面。
也就是說,要想設計出性能更好的IGBT產(chǎn)品,需要減少產(chǎn)品的損耗,提高開通速度、魯棒性和可靠性,提升工作溫度等方面入手。目前海外IGBT器件廠商,比如英飛凌、ST、三菱電機等基本都掌握了場終止層(Field-stop,F(xiàn)S)+溝槽柵IGBT技術,且相繼推出了不同系列,不同規(guī)格的600V~6500V IGBT器件和模塊產(chǎn)品。國內(nèi)IGBT廠商由于設備和工藝水平等因素的影響,目前還處于追趕階段。不過可喜的是,已經(jīng)有不少廠商取得了不錯的進步,比如斯達半導體、士蘭微、新潔能、宏微、中車時代電氣、賽晶等。
目前國內(nèi)廠商的IGBT產(chǎn)品主要對標英飛凌的IGBT產(chǎn)品技術,而英飛凌IGBT技術 已經(jīng)迭代至第七代。

圖:IGBT技術發(fā)展趨勢(來源:億渡數(shù)據(jù))
在市場格局方面,全球IGBT市場中海外企業(yè)以英飛凌、富士電機、三菱、安森美、東芝、ST等幾家為主,其中英飛凌的占比最大,不論是分立器件,還是IGBT模塊均居于領先地位,都占了近三成的市場份額。其中英飛凌、富士電機和三菱三家加起來可能占了市場上70%的市場份額,英飛凌的產(chǎn)品可以覆蓋到整個工業(yè)領域和汽車領域;富士電機和三菱更多的是在傳統(tǒng)的工業(yè)應用上,及一些日系汽車主機廠的產(chǎn)品內(nèi)有應用。
國內(nèi)本土廠商在IGBT分立器件領域起步較晚,與海外企業(yè)相比優(yōu)勢不明顯,在IGBT單管方面士蘭微,和IGBT模塊方面斯達半導體雖然占比不高,但均擠進了前十。業(yè)內(nèi)普遍認為做的比較好的IGBT廠商有比亞迪、斯達、宏微、中車時代,以及華潤微和士蘭微等。
其中比亞迪全產(chǎn)業(yè)鏈都在做,在汽車領域表現(xiàn)很出色,占到了新能源汽車市場份額的18%~20%。比亞迪的IGBT產(chǎn)線源于2018年收購的寧波中緯的晶圓廠,不夠其產(chǎn)品和迭代速度比較快。不足之處是其IGBT是平面型設計,輸出效率不高,第三方的主機廠一般不會采用比亞迪半導體的IGBT產(chǎn)品,不做比亞迪半導體在積極地市場化。
斯達半導體從2008年就開始了IGBT產(chǎn)品的研發(fā),特別是2015年,IR被英飛凌收購后,斯達半導體收購了IR的專用于功率器件的研發(fā)團隊,隨后2018年開始滲透入電動汽車領域。不足之處是其晶圓來自于華虹,目前采用其IGBT產(chǎn)品的電動汽車廠商還不多。
宏微最早專注的產(chǎn)品是FRED,主要針對家電市場,因此也同步做了IGBT和對應的晶圓買賣,其股東之一的匯川技術希望將宏微的產(chǎn)品帶起來,目前在完善階段。
中車時代背靠中車集團,在2012年收購了英國的丹尼克斯75%的股份后,在2015年成立了Fab廠。由于丹尼克斯的產(chǎn)品主要集中在高壓部分,當時收購也是對口中車的軌道交通業(yè)務,因此,到目前為止,中車時代大部分的應用都在中車自己的軌道交通領域。不過,2018年開始,中車時代開始了市場化,開始在智能電網(wǎng)、汽車領域布局,再加上中車自己做新能源汽車的電控產(chǎn)品,且占了整個汽車市場的1%左右的份額,未來在汽車領域的潛力不小。
華潤微和士蘭微的IGBT產(chǎn)品線僅是他們眾多產(chǎn)品分類中的一個分支,他們目前做的市場主要是技術門檻不是很高的市場,他針對的市場主要有電焊機、等離子切割機、家用電器、工業(yè)領域的電磁感應加熱等,當然也有光伏逆變和新能源汽車產(chǎn)品的規(guī)劃。

IGBT行業(yè)2022年的大事件

從供應鏈方面來看,自2021年起,由于下游各應用領域對IGBT新的需求持續(xù)上升,而海外廠商擴產(chǎn)相對謹慎,IGBT的交付周期延長,IGBT供需矛盾明顯。2022年初,英飛凌、意法半導體等國際半導體供應商陸續(xù)發(fā)布了漲價通知,安森美停止了部分供貨。
近年來,下游應用需求的上升,特別是新能源汽車和新能源光伏的需求快速提升,使得本土廠商意識到IGBT等關鍵器件多供應商的重要性,很多本土廠商逐漸提升了對國產(chǎn)IGBT的接受程度,促使了國內(nèi)廠商加速了對國產(chǎn)IGBT產(chǎn)品的導入。
據(jù)12月5日斯達半導體三季度業(yè)績說明會上的消息,斯達半導今年前三季度實現(xiàn)凈利潤達到5.9億元,同比增長1.21倍,增速超過營業(yè)收入,銷售毛利率達到41.07%,環(huán)比提升。據(jù)悉,近幾個季度營收增長主要驅動力來自公司產(chǎn)品在新能源汽車、光伏、儲能、風電等行業(yè)持續(xù)快速放量,市場份額不斷提高;隨著規(guī)模化效應釋放、產(chǎn)品結構優(yōu)化、生產(chǎn)經(jīng)營效率提高,公司毛利率持續(xù)增長。
從收入結構來看,1~9月份,斯達半導來自新能源行業(yè)(包含新能源汽車、新能源發(fā)電、儲能)的收入占比超過一半,成為公司業(yè)績增長的主要推動力。其中,公司的車規(guī)級半導體模塊在國內(nèi)主流新能源汽車廠家大批量應用多年,市場份額不斷提高,已成為國內(nèi)新能源汽車車規(guī)級功率半導體模塊的主要供應商。
據(jù)此前披露,斯達半導生產(chǎn)的應用于主電機控制器的車規(guī)級IGBT模塊持續(xù)放量,上半年合計配套超過50萬輛新能源汽車,并預計下半年配套數(shù)量將進一步增加,其中A級及以上車型超過20萬輛。
宏微也受益于新能源市場發(fā)展,今年前三季度公司實現(xiàn)凈利潤6125萬元,同比增長約三成;其中,第三季度實現(xiàn)2901萬元,同比上年同比增長近翻倍,銷售毛利率21.77%,約為斯達半導一半。宏微科技表示,毛利率與同行的差距主要是因為產(chǎn)能無法滿足旺盛的市場需求,當前公司定單量飽滿,但由于上游部分核心原材料短缺,以及公司新增封測產(chǎn)能仍處于爬坡階段,無法再接下定單。
主要產(chǎn)品進展方面,宏微科技在12寸IGBT平臺在公司M3i芯片平臺基礎上,上半年開始了微溝槽M4i750V和M6i1200V的研發(fā)制樣;公司的M7i微溝槽1200VIGBT首顆產(chǎn)品已通過客戶認證并收獲小批量訂單;車用820A/750V模塊產(chǎn)品已獲得客戶驗證并開始批量交付等。
士蘭微的表現(xiàn)就相對暗淡,前三季度凈利僅增長了6.43%至7.74億元,其中第三季度凈利潤還同比下降了約40%。原因應該是受到了當前消費電子需求低迷的影響,不過士蘭微正在著手進入當前火熱的新能源汽車市場。
在IGBT市場方面,據(jù)士蘭微介紹,其IGBT單管和模塊在工業(yè)領域已經(jīng)大量應用,并拓展到了新能源和汽車。據(jù)介紹,公司12寸IGBT月產(chǎn)能為1.5萬片,但受襯底短缺的影響,實際尚未達標,目前正在解決,加上公司8寸線和6寸線都有IGBT產(chǎn)能,所以IGBT相關的產(chǎn)品營收規(guī)模占比已大幅提高,預計未來會有進一步的成長。該公司高管表示,“現(xiàn)在面臨的主要問題是襯底有短缺。我們和上游的供應商都在積極推動解決。二季度對我們困擾比較大的FRD(快恢復二極管)現(xiàn)在也在逐步解決?!?/span>

結語

2022年的IGBT市場持續(xù)了一年的供應緊張,預計在新能源汽車和新能源光伏和儲能市場持續(xù)火熱的帶動下,IGBT的供應還會緊張一段時間,這對國產(chǎn)IGBT廠商來說是一個好消息,至少不用擔心擴產(chǎn)后產(chǎn)能過剩的問題,而且,供應緊張終端廠商導入新產(chǎn)品的動力也將更大。

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原文標題:2022年半導體行業(yè)回顧之IGBT:終端導入國產(chǎn)IGBT產(chǎn)品加速,供應仍然緊張

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