研究非均相電催化劑的局部電催化活性，對(duì)于理解電催化反應(yīng)并進(jìn)一步提高其性能至關(guān)重要。

然而，由于缺乏原位成像技術(shù)和以原子精度調(diào)整結(jié)構(gòu)的方法，將電催化活性與二維（2D）電催化劑的微觀結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)仍然面臨巨大的挑戰(zhàn)。

基于此，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)劉賢偉教授（通訊作者）等報(bào)道了利用等離子體成像技術(shù)原位探測(cè)2D材料的層依賴性電催化活性的一般方法。

該方法用于可視化單個(gè)2D MoS2納米片的表面電荷密度和電催化活性，從而使層依賴性電催化活性與單個(gè)MoS2納米片材的表面電荷濃度相關(guān)。



理論研究表明，MoS2層之間的弱范德華鍵可以為電荷的層間隧穿產(chǎn)生能量勢(shì)壘。較厚的MoS2納米片中的電荷必須在層間隧穿期間克服較高的能量勢(shì)壘，導(dǎo)致較低的表面電荷密度和較低的催化活性。

研究結(jié)果表明，較薄的MoS2納米片可積聚更高濃度的電荷，從而實(shí)現(xiàn)比較厚的納米片更高的導(dǎo)電性。因此，電荷層間隧穿能力和表面電荷密度調(diào)制的電導(dǎo)率都有助于較薄的MoS2更好的催化效率。



更重要的是，可以直觀地看到表面電荷的非均質(zhì)分布，與MoS2的電催化性能有關(guān)。作者還演示了該技術(shù)在研究單個(gè)MoS2納米片上的電催化HER時(shí)的使用。

電化學(xué)電流由等離子體信號(hào)變化轉(zhuǎn)換而來(lái)，揭示了MoS2在-0.4 V附近的顯著析氫。

結(jié)果表明，層間電荷轉(zhuǎn)移在2D材料的電催化中起著重要的作用，也可用來(lái)解釋納米結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體催化劑和TMDs的高電催化活性。













審核編輯：劉清