ROHM在以業(yè)界最快的trr（反向恢復時間）著稱的PrestoMOS產(chǎn)品陣容中又新增了“R60xxMNx系列”產(chǎn)品。PrestMOS與標準的超級結(jié)MOSFET相比，trr減少約60%，從而大大降低了開關(guān)損耗，促進了白色家電和工業(yè)設(shè)備等電機驅(qū)動器和變頻器應用的低功耗化發(fā)展。R60xxMNx系列新品是以“不僅保持現(xiàn)有R60xxFNx系列的高速trr性能，還要進一步降低導通電阻和Qg（柵極總電荷量）并降低損耗”為目標開發(fā)而成的。一般而言，導通電阻和Qg存在權(quán)衡關(guān)系，但利用ROHM獨有的工藝技術(shù)和優(yōu)化技術(shù)優(yōu)勢，實現(xiàn)了兩者的高度平衡。

※PrestoMOS是ROHM的商標。

開關(guān)損耗和傳導損耗更低

R60xxMNx系列不僅保持了ROHM獨有的PrestoMOS高速trr性能，還大大降低了導通電阻和Qg。在搭載變頻器的空調(diào)等電機驅(qū)動應用案例中，與使用IGBT的情況相比，輕負載時的功率損耗可減少約56%。這對于近年來的APF（全年能效比）來說取得了非常顯著的改善效果。是一款高速trr使開關(guān)損耗降低、導通電阻更低使傳導損耗降低、Qg更低使驅(qū)動電流降低、而且高速性能更佳的系列新品。

逆變器和電機驅(qū)動器電路無需FRD

如前所述，該系列產(chǎn)品的trr比以往的標準型超級結(jié)MOSFET減少了60%。這得益于內(nèi)部二極管trr特性的顯著改善。特別是逆變器電路和電機驅(qū)動器電路的再生電流帶來的換流損耗取決于trr。普通的MOSFET和IGBT由于內(nèi)部二極管的trr慢、損耗增加而需要外置2個FRD（快速恢復二極管）。而PrestoMOS由于trr快、損耗更低當然就不需要再外置2個FRD。