超結(jié)MOS采用垂直結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，在漂移區(qū)內(nèi)交替排列垂直的P型柱區(qū)和N型柱區(qū)，形成“超級(jí)結(jié)”單元，通過(guò)電荷補(bǔ)償技術(shù)突破傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體“硅極限”的高壓器件，其核心設(shè)計(jì)通過(guò)優(yōu)化電場(chǎng)分布實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高擊穿電壓的平衡。另超結(jié)MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻和更優(yōu)化的電荷分布，因此其開(kāi)關(guān)速度通常比普通MOSFET更快，有助于減少電路中的開(kāi)關(guān)損耗。由于其出色的高壓性能和能效比，超結(jié)MOSFET更適合于高壓、大功率的應(yīng)用場(chǎng)景。

新潔能Gen.4在原有超結(jié)MOSFET技術(shù)的基礎(chǔ)上，通過(guò)進(jìn)一步技術(shù)升級(jí)，提升器件的結(jié)構(gòu)密度，降低特征導(dǎo)通電阻；提升器件的功率密度，在相同體積下可以大幅提升器件電流能力，另導(dǎo)通電阻溫度特性等方面均有明顯提升。

Gen.4超結(jié)MOSFET（Super Junction MOSFET IV）最新推出800V and 900V 系列產(chǎn)品，800V 新增帶快速恢復(fù)二極管系列產(chǎn)品。

相同規(guī)格產(chǎn)品高溫下Rdson倍數(shù)值對(duì)比：Gen4相比Gen3 減小16%；Gen4和國(guó)際I 產(chǎn)品達(dá)到相同水平。

FOM 對(duì)比: Gen4 相比Gen3 and 國(guó)際I 產(chǎn)品降低25%。

產(chǎn)品型號(hào)

產(chǎn)品特點(diǎn)

● 高功電流密度

● 超低特征導(dǎo)通電阻Rsp

● 高可靠性

● 更優(yōu)FOM

● 導(dǎo)通電阻溫度特性更優(yōu)

應(yīng)用領(lǐng)域

● 微逆

● 光伏逆變

● 高壓輔助電源

● 電表