課程內(nèi)容涵蓋了直冷冰箱與間冷冰箱的本質(zhì)區(qū)別，電流設(shè)計(jì)，壓縮機(jī)的啟動(dòng)原理及設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)，冰箱的電路組成及控制原理等知識(shí)點(diǎn)

、ELR這些寄存器，只知道是保存狀態(tài)的，卻搞不清背后的設(shè)計(jì)邏輯； 其實(shí)ARMv8的寄存器架構(gòu)，不是“零散知識(shí)點(diǎn)的堆砌”，而是圍繞“高效運(yùn)算”“安全隔離”“狀態(tài)可控”三個(gè)核心目標(biāo)設(shè)計(jì)的完整體系。 今天這篇文章，我不做枯燥的知識(shí)點(diǎn)羅列，而是從“為

、航空航天等18大行業(yè)，2024年國(guó)內(nèi)市場(chǎng)規(guī)模已突破48億元，其中汽車電子、工業(yè)控制領(lǐng)域需求同比激增32%。本文以知識(shí)百科形式，全面拆解三防漆的核心知識(shí)點(diǎn)，助力行

1．在常溫下，硅二極管的門(mén)檻電壓約為0.5V，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為0.7V；鍺二極管的門(mén)檻電壓約為0.1V，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為0.2V。 2、二極管的正向電阻?。环聪螂娮璐?。 3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦?。ＰＮ結(jié)外加正向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流大于漂移電流，耗盡層變窄。 4、二極管最主要的電特性是單向?qū)щ娦裕€(wěn)壓二極管在使用時(shí)，穩(wěn)壓二極管與負(fù)載并聯(lián)，穩(wěn)壓二極管與輸入電源之間必須加入一個(gè)電阻。 5、電子技術(shù)分為模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)兩大部分，其中研究在平滑、連續(xù)變化的電壓或電流信號(hào)下工作的電子電路及其技術(shù)，稱為模擬電子技術(shù)。 6、PN結(jié)反向偏置時(shí)，PN結(jié)的內(nèi)電場(chǎng)增強(qiáng)。PN具有具有單向?qū)щ娞匦浴? 7、硅二極管導(dǎo)通后，其管壓降是恒定的，且不隨電流而改變，典型值為0.7伏；其門(mén)坎電壓Vth約為0.5伏。 8、二極管正向偏置時(shí)，其正向?qū)娏饔啥鄶?shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成。 9、P型半導(dǎo)體的多子為空穴、N型半導(dǎo)體的多子為自由電子、本征半導(dǎo)體的載流子為電子—空穴對(duì)。 10、因摻入雜質(zhì)性質(zhì)不同，雜質(zhì)半導(dǎo)體可為空穴（P）半導(dǎo)體和電子（N）半導(dǎo)體兩大類。 11、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦裕膬蓚€(gè)主要參數(shù)是反映正向特性的最大整流電流和反映反向特性的反向擊穿電壓。 12、在常溫下，硅二極管的開(kāi)啟電壓約為0.5 V，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為0.7V。 13、頻率響應(yīng)是指在輸入正弦信號(hào)的情況下，輸出隨頻率連續(xù)變化的穩(wěn)態(tài)響應(yīng)。 15、N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴。 16、按一個(gè)周期內(nèi)一只三極管的導(dǎo)通角區(qū)分，功率放大電路可分為甲類、乙類、甲乙類三種基本類型。 17、在阻容耦合多級(jí)放大電路中，影響低頻信號(hào)放大的是耦合和旁路電容，影響高頻信號(hào)放大的是結(jié)電容。 18、在NPN三極管組成的基本共射放大電路中，如果電路的其它參數(shù)不變，三極管的β增加，則IBQ增大，ICQ增大，UCEQ減小。 19、三極管的三個(gè)工作區(qū)域是截止，飽和，放大。集成運(yùn)算放大器是一種采用直接耦合方式的放大電路。 20、某放大電路中的三極管，在工作狀態(tài)中測(cè)得它的管腳電壓Va = 1.2V， Vb = 0.5V, Vc = 3.6V, 試問(wèn)該三極管是硅管管（材料），NPN型的三極管，該管的集電極是a、b、c中的C。 21、已知某兩級(jí)放大電路中第一、第二級(jí)的對(duì)數(shù)增益分別為60dB和20dB, 則該放大電路總的對(duì)數(shù)增益為80dB，總的電壓放大倍數(shù)為10000。 22、 三極管實(shí)現(xiàn)放大作用的外部條件是：發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏。某放大電路中的三極管，測(cè)得管腳電壓Va = -1V，Vb =-3.2V, Vc =-3.9V, 這是硅管（硅、鍺），NPN型，集電極管腳是a。 23、三種不同耦合方式的放大電路分別為：阻容（RC）耦合、直接耦合和變壓器耦合，其中直接耦合能夠放大緩慢變化的信號(hào)。 24、在多級(jí)放大電路中，后級(jí)的輸入電阻是前級(jí)的負(fù)載，而前級(jí)的輸出電阻可視為后級(jí)的信號(hào)源的內(nèi)阻。多級(jí)放大電路總的通頻帶比其中每一級(jí)的通頻帶要窄。 25、某放大電路在負(fù)載開(kāi)路時(shí)的輸出電壓為4V，接入12kΩ的負(fù)載電阻后，輸出電壓降為3V，這說(shuō)明放大電路的輸出電阻為4kΩ。 26、為了保證三極管工作在放大區(qū)，要求： ①發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置。②對(duì)于ＮＰＮ型三極管，應(yīng)使VBC＜0。 27、放大器級(jí)間耦合方式主要有阻容（RC）耦合、直接耦合和變壓器耦合三大類。 28、在三極管組成的三種不同組態(tài)的放大電路中，共射和共基組態(tài)有電壓放大作用，共射組態(tài)有電流放大作用，共射和共集組態(tài)有倒相作用；共集組態(tài)帶負(fù)載能力強(qiáng)，共集組態(tài)向信號(hào)源索取的電流小，共基組態(tài)的頻率響應(yīng)好。 29、三極管放大電路的三種基本組態(tài)是共集、共基、共射。 30、多級(jí)放大器各級(jí)之間的耦合連接方式一般情況下有直接耦合，阻容耦合，變壓器耦合。 31、在單級(jí)共射放大電路中，如果輸入為正弦波形，用示波器觀察VO和VI的波形，則VO和VI的相位差為180°；當(dāng)為共集電極電路時(shí)，則VO和VI的相位差為0。 32、放大器有兩種不同性質(zhì)的失真，分別是飽和失真和截止失真。 33、晶體管工作在飽和區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏；工作在放大區(qū)時(shí)，集電結(jié)反偏，發(fā)射結(jié)正偏。 34、在共射、共集和共基三種放大電路組態(tài)中，希望電壓放大倍數(shù)大、輸出電壓與輸入電壓反相，可選用共射組態(tài)；希望輸入電阻大、輸出電壓與輸入電壓同相，可選用共集組態(tài)。 35、場(chǎng)效應(yīng)管同雙極型三極管相比，其輸入電阻大，熱穩(wěn)定性好。 36、影響放大電路通頻帶下限頻率fL的是隔直電容和極間電容。 37、三極管工作在放大區(qū)時(shí)，它的發(fā)射結(jié)保持正向偏置，集電結(jié)保持反向偏置。 38、場(chǎng)效應(yīng)管有共源、共柵、共漏三種組態(tài)。 39、在多級(jí)放大電路中總的通頻帶比其中每一級(jí)的通頻帶窄。 40、場(chǎng)效應(yīng)管從結(jié)構(gòu)上分成結(jié)型FET和MOSFET兩大類型，它屬于電壓控制型器件。 41、場(chǎng)效應(yīng)管屬于電壓控制電流型器件，而雙極型半導(dǎo)體三極管則可以認(rèn)為是 電流控制電流型器件。 42、場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制電流器件，只依靠多數(shù)載流子導(dǎo)電。 43、根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性，其工作情況可以分為可變電阻區(qū)、恒流區(qū)、擊穿區(qū)和截止區(qū)四個(gè)區(qū)域。 44、當(dāng)柵源電壓等于零時(shí)，增強(qiáng)型FET無(wú)導(dǎo)電溝道，結(jié)型FET的溝道電阻最小。 45、FET是電壓控制器件，BJT是電流控制器件。 46、在甲類、乙類和甲乙類功率放大電路中，效率最低的電路為甲類。 47、一個(gè)輸出功率為10W的擴(kuò)音機(jī)電路，若用乙類推挽功放，則應(yīng)選額定功耗至少應(yīng)為2W的功率管2只。 48、在甲類、乙類和甲乙類功率放大電路中，效率最低的電路為甲類，為了消除交越失真常采用甲乙類電路。 49、乙類功放的主要優(yōu)點(diǎn)是效率高，但出現(xiàn)交越失真，克服交越失真的方法是 采用甲乙類。 50、乙類互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路產(chǎn)生特有的失真現(xiàn)象叫交越失真。

1、上拉電阻的選擇 在單片機(jī)電路中，上拉電阻的選擇是很重要，它能夠提高電路的驅(qū)動(dòng)能力和穩(wěn)定性，同時(shí)也能保護(hù)內(nèi)部電路免受外部干擾。選擇合適的上拉電阻需要考慮以下因素： ①電阻值：上拉電阻的電阻值需要根據(jù)電路的阻抗和驅(qū)動(dòng)能力需求進(jìn)行選擇。通常情況下，電阻值范圍在1K至100K之間。 ②電源電壓：上拉電阻的電阻值需要與電源電壓相適應(yīng)，以確保電路的穩(wěn)定性和可靠性。 ③驅(qū)動(dòng)能力：上拉電阻需要具備足夠的驅(qū)動(dòng)能力，以驅(qū)動(dòng)較大的負(fù)載。 2、LED串聯(lián)電阻的計(jì)算 單片機(jī)基本上使用LED作為輸出指示，而LED串聯(lián)電阻的作用是限制電流，保護(hù)LED不被燒壞。串聯(lián)電阻的計(jì)算方法如下： ①確定LED的工作電壓和電流。通常情況下，LED的工作電壓在5V左右，工作電流在20mA左右。 ②根據(jù)電源電壓和LED的工作電壓，計(jì)算串聯(lián)電阻的阻值。 計(jì)算公式為：（電源電壓-LED工作電壓）/ LED工作電流。 ③選擇合適的串聯(lián)電阻進(jìn)行連接。 3、端口不夠用 單片機(jī)中經(jīng)常會(huì)遇見(jiàn)端口不夠用的問(wèn)題，可通過(guò)以下方法來(lái)解決： ①利用單片機(jī)的內(nèi)部資源：?jiǎn)纹瑱C(jī)內(nèi)部通常有一些可用的端口，如PWM、UART等?？梢岳眠@些端口擴(kuò)展外部設(shè)備。 ②使用芯片擴(kuò)展：可以采用一些芯片擴(kuò)展器，如I2C、SPI等，將外部設(shè)備的端口連接到擴(kuò)展器上，再通過(guò)擴(kuò)展器連接到單片機(jī)。 ③使用多功能端口的擴(kuò)展芯片：這些芯片內(nèi)部集成了多個(gè)端口，可以方便地?cái)U(kuò)展外部設(shè)備的端口數(shù)量。 4、濾波電容 濾波電容在單片機(jī)的作用是去除電源噪聲和干擾，保證其穩(wěn)定運(yùn)行。濾波電容的選擇因素： ①容量：濾波電容的容量需要根據(jù)電源噪聲頻率和單片機(jī)的功耗進(jìn)行選擇。通常情況下，容量范圍在0.1uF至1uF之間。 ②耐壓值：濾波電容的耐壓值需要高于電源電壓，以確保電容不會(huì)因?yàn)檫^(guò)壓而損壞。 ③安裝位置：濾波電容需要安裝在電源輸入端附近，以最大限度地去除電源噪聲。 5、三極管作用 三極管在單片機(jī)電路的作用是放大電流和電壓信號(hào)，實(shí)現(xiàn)邏輯門(mén)，甚至可以作為開(kāi)關(guān)管控制電路的通斷，三極管的選擇需考慮下： ①類型：三極管有NPN和PNP兩種類型，需要根據(jù)電路的需求進(jìn)行選擇。 ②耐壓值：三極管的耐壓值需要高于電源電壓，以確保管子不會(huì)因?yàn)檫^(guò)壓而損壞。 6、數(shù)碼管 數(shù)碼管是單片機(jī)應(yīng)用中的顯示器件，可將數(shù)字或字母等信息以LED形式顯示出來(lái)，數(shù)碼管的選擇需考慮以下： ①顯示位數(shù)：數(shù)碼管的顯示位數(shù)需要根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行選擇，常見(jiàn)的有4位、8位和16位等。 ②顯示顏色：數(shù)碼管的顯示顏色可以根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行選擇，常見(jiàn)的有紅色、綠色和藍(lán)色等。 ③驅(qū)動(dòng)方式：數(shù)碼管的驅(qū)動(dòng)方式有多種，如靜態(tài)驅(qū)動(dòng)和動(dòng)態(tài)驅(qū)動(dòng)等，需要根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行選擇。 7、按鍵抖動(dòng)及消除 對(duì)單片機(jī)來(lái)說(shuō)，按鍵抖動(dòng)屬于常見(jiàn)問(wèn)題，是由于按鍵在按下和釋放過(guò)程中產(chǎn)生的機(jī)械和電氣噪聲所引起的。為了消除按鍵抖動(dòng)，可以采用以下幾種方法： ①軟件去抖動(dòng)：通過(guò)軟件算法對(duì)按鍵輸入進(jìn)行濾波處理，去除噪聲干擾。 ②硬件去抖動(dòng)：通過(guò)硬件電路對(duì)按鍵輸入進(jìn)行濾波處理，如使用RC濾波電路等。 ③雙重去抖動(dòng)：同時(shí)采用軟件和硬件兩種方法進(jìn)行去抖動(dòng)處理，以提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。 8、上下拉電阻 上拉電阻的作用是將引腳拉高，保證引腳在未接通時(shí)處于高電平狀態(tài)；下拉電阻的作用是將引腳拉低，保證引腳在未接通時(shí)處于低電平狀態(tài)。上下拉電阻的選擇需要考慮下： ①電阻值：上下拉電阻的電阻值需要根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行選擇，常見(jiàn)的有1K、10K、100K等。 ②電源電壓：上下拉電阻的電阻值需要與電源電壓相適應(yīng)，以確保電路的穩(wěn)定性和可靠性。 ③驅(qū)動(dòng)能力：上下拉電阻需要具備足夠的驅(qū)動(dòng)能力，以驅(qū)動(dòng)較大的負(fù)載。

學(xué)習(xí)匯編語(yǔ)言，首先必須了解兩個(gè)知識(shí)點(diǎn)：寄存器和內(nèi)存模型。 先來(lái)看寄存器。CPU 本身只負(fù)責(zé)運(yùn)算，不負(fù)責(zé)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)一般都儲(chǔ)存在內(nèi)存之中，CPU 要用的時(shí)候就去內(nèi)存讀寫(xiě)數(shù)據(jù)。 但是，CPU

知識(shí)點(diǎn)，幫助快速掌握其核心特性。 一、核心定義：認(rèn)識(shí) SFP 光模塊的 “身份” 1.? 全稱解析 ：SFP 是 “Small Form-factor Pluggable” 的縮寫(xiě)，中文譯為 “小型可熱插拔光收發(fā)一體光模塊”?！盁岵灏巍?意味著光模塊可在設(shè)備通電狀態(tài)下直接安裝

離散信號(hào)的頻譜是周期的，連續(xù)信號(hào)的頻譜是非周期的。

書(shū)可以比較系統(tǒng)的講解了yocto的邏知識(shí)點(diǎn)，便嘗試申請(qǐng)看這本書(shū)。幸運(yùn)的是，最終獲得了看此書(shū)的機(jī)會(huì)。 首先，上圖： 閱讀過(guò)程 按照慣例，拿到書(shū)后，第一步是閱讀推薦序和自序，從推薦序中可以獲得他人讀這本

能否做到像網(wǎng)絡(luò)協(xié)議那樣抓包重放呢？剛剛涉及 esp32 單片機(jī)開(kāi)發(fā)，不太懂這方面的知識(shí)點(diǎn)

單片機(jī)關(guān)鍵知識(shí)點(diǎn)一覽： 系列一 1：?jiǎn)纹瑱C(jī)簡(jiǎn)敘 2：?jiǎn)纹瑱C(jī)引腳介紹 3：?jiǎn)纹瑱C(jī)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu) 4：第一個(gè)單片機(jī)小程序 5：?jiǎn)纹瑱C(jī)延時(shí)程序分析 6：?jiǎn)纹瑱C(jī)并行口結(jié)構(gòu) 7：?jiǎn)纹瑱C(jī)的特殊

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對(duì)于嵌入式硬件這個(gè)龐大的知識(shí)體系而言，太多離散的知識(shí)點(diǎn)很容易疏漏，因此對(duì)于這些容易忘記甚至不明白的知識(shí)點(diǎn)做成一個(gè)梳理，供大家參考以及學(xué)習(xí)，本文主要針對(duì)推挽、開(kāi)漏、高阻態(tài)、上拉電阻這些知識(shí)點(diǎn)