英飛凌推出PQFN 封裝、雙面散熱、

25-150V OptiMOS?源極底置功率MOSFET

未來(lái)電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)將持續(xù)推進(jìn)，以實(shí)現(xiàn)最高水平的性能和功率密度。為順應(yīng)這一發(fā)展趨勢(shì)，英飛凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋25-150 V，并且有底部散熱（BSC）和雙面散熱（DSC）兩種不同的結(jié)構(gòu)。該新產(chǎn)品系列在半導(dǎo)體器件級(jí)層面做出了重要的性能改進(jìn)，為DC-DC功率轉(zhuǎn)換提供了極具吸引力的解決方案，同時(shí)也為服務(wù)器、通信、OR-ing、電池保護(hù)、電動(dòng)工具以及充電器應(yīng)用的系統(tǒng)創(chuàng)新開(kāi)辟了新的可能性。

該新產(chǎn)品系列采用了英飛凌最新的MOSFET產(chǎn)品技術(shù)和領(lǐng)先的封裝技術(shù)，將系統(tǒng)性能提升至新的水平。在源極底置（SD）封裝內(nèi)部，MOSFET晶圓的源極觸點(diǎn)被翻轉(zhuǎn)、并朝向封裝的足底一側(cè)，然后焊接到PCB上。此外，該封裝內(nèi)部在芯片頂部還有一個(gè)改進(jìn)的漏極銅夾片設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了市場(chǎng)領(lǐng)先的芯片/封裝面積比。

隨著系統(tǒng)尺寸的持續(xù)變小，降低功率損耗和改進(jìn)散熱這兩個(gè)關(guān)鍵因素變得至關(guān)重要。與當(dāng)前市面上領(lǐng)先的PQFN 3.3 x 3.3 mm2 漏極底置封裝的器件相比，英飛凌新產(chǎn)品系列的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）大幅降低了25%。英飛凌雙面散熱、PQFN封裝、OptiMOS?源極底置功率MOSFET可提供一個(gè)增強(qiáng)的熱界面，將功率損耗從開(kāi)關(guān)器件傳導(dǎo)至散熱器。雙面散熱的結(jié)構(gòu)能夠以最直接的方式將功率開(kāi)關(guān)連接至散熱器，其功耗能力與底部散熱、源極底置功率MOSFET相比提高了三倍。

該新產(chǎn)品系列提供了兩種不同的引腳排列形式，為PCB布線提供了極大的靈活性。采用傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)門(mén)極布局的引腳排列形式可實(shí)現(xiàn)快速、簡(jiǎn)單地修改現(xiàn)有的漏極底置設(shè)計(jì)；而采用門(mén)極居中布局的引腳排列形式為多個(gè)器件并聯(lián)提供了新的可能性，并且可以最大限度地縮短驅(qū)動(dòng)芯片與門(mén)極之間的走線距離。采用PQFN 3.3 x 3.3 mm2封裝的新一代25-150 V OptiMOS?源極底置功率MOSFET具備優(yōu)異的連續(xù)電流能力，最高可達(dá)298A，可以實(shí)現(xiàn)最高的系統(tǒng)性能。

審核編輯：湯梓紅