近幾年，Micro LED顯示技術(shù)因其顯著的優(yōu)勢得到快速發(fā)展，但由于該技術(shù)不成熟、成本壁壘等因素，讓Micro LED顯示大規(guī)模商業(yè)化障礙重重。

兆馳半導(dǎo)體作為LED芯片領(lǐng)域的新銳企業(yè)，其科研團(tuán)隊(duì)一直致力于攻克Mini/Micro LED技術(shù)難題，目前，公司已在Micro LED領(lǐng)域多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)上取得突破，可有效解決Micro LED芯片良率低、光效低、巨量轉(zhuǎn)移難度高的技術(shù)痛點(diǎn)，進(jìn)一步提高良率、降低成本，初步形成具備獨(dú)創(chuàng)性的關(guān)鍵工藝技術(shù)方案，并相應(yīng)進(jìn)行了大量的自主知識產(chǎn)權(quán)布局。

01 外延技術(shù)

對于Micro LED而言，一張4寸外延的片內(nèi)波長差小于2nm才勉強(qiáng)滿足使用要求，除此之外Micro LED對更高光效的外延也提出了要求；如何通過對外延結(jié)構(gòu)以及生長方法和工藝進(jìn)行一系列優(yōu)化從而降低外延缺陷密度，增加電子和空穴的傳輸?shù)鹊?；為此公司在外延技術(shù)方面進(jìn)行知識產(chǎn)權(quán)布局。涉及多種不同外延結(jié)構(gòu)，工藝制程等領(lǐng)域，如：CN114566575A中就是一項(xiàng)關(guān)于解決現(xiàn)有技術(shù)中外延層中雜質(zhì)擴(kuò)散至發(fā)光層中，導(dǎo)致發(fā)光效率低下的技術(shù)問題；CN114566575A是一種提高外延層生長平坦化的方法，提高了晶體質(zhì)量等等。

02 芯片技術(shù)

隨著芯片尺寸進(jìn)入Micro量級，一系列尺寸效應(yīng)也接踵而至。常規(guī)LED制備時，刻蝕工藝對芯粒的側(cè)壁損傷將變的不可忽略。芯粒尺寸減小帶來的同輸入電流下電流密度激增從而導(dǎo)致的溫度效應(yīng)對缺陷復(fù)合產(chǎn)生一系列影響以及帶來的潛在可靠性問題都變得至關(guān)重要。在此問題上公司技術(shù)人員積極創(chuàng)新，如：CN107658371B中提出來基于激光直寫的Micro-LED的制造方法，CN113206176B是一種選區(qū)刻蝕外延Micro-LED芯片技術(shù)的新方法等。

03 巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)

另一個技術(shù)難題就是“巨量轉(zhuǎn)移”問題。巨量轉(zhuǎn)移簡而言之就是將千萬數(shù)量級的Micro尺寸級別的芯粒轉(zhuǎn)移到基板上。如：CN115692460A中提出來一種巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)的對位方式及提高芯片轉(zhuǎn)移利用率的方法；CN110660717A提出來一種用于轉(zhuǎn)移Micro-LED的轉(zhuǎn)移裝置及轉(zhuǎn)移方法; CN109449266A中基于巨量轉(zhuǎn)移原理改進(jìn)芯片結(jié)構(gòu)提高巨量轉(zhuǎn)移效率的方法等等。

04 全彩化技術(shù)

Micro LED的終極目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)單像素的全彩化，而具體全彩化方式則多種多樣，如CN115411160B、CN115425127B等就是在垂直RGB像素的一種創(chuàng)新；CN115172403A、CN115662982A等等是一種扇出型封裝RGB領(lǐng)域的設(shè)計；CN114759061A、CN109768135B等則是在全彩化電子控制方向的設(shè)計。

當(dāng)前，在國家政策的戰(zhàn)略性支持背景下，新一輪視覺革命蓄勢待發(fā)，以Mini/Micro LED等新型顯示技術(shù)為核心的戰(zhàn)略格局正加速形成。兆馳半導(dǎo)體此次新攻克的Micro LED難點(diǎn)，從技術(shù)領(lǐng)域和產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域等層面豐富和完善了公司在Micro LED超高清顯示芯片產(chǎn)業(yè)的布局，進(jìn)一步加強(qiáng)公司在前沿技術(shù)的領(lǐng)先優(yōu)勢，鞏固其核心競爭力。

審核編輯 ：李倩