利用場管內(nèi)部的寄生二極管的單向?qū)ㄌ匦詫龉艿暮脡倪M行判斷。

第一步 將三個腳進行短接放電

這樣做的目的對場管內(nèi)部的寄生電容進行放電，防止有壓差，使它內(nèi)部產(chǎn)生導通，使得測量有誤。

第二步 測量內(nèi)部二極管

萬用表打到二極管檔，然后用兩個表筆對這個 MOS 管的漏極和源極進行正反向測量。

用萬用表測量內(nèi)部二極管，正向測量時應該有一個零點幾伏的壓降，反向應該截止，不符合的話，說明管子壞了。

對于 N 溝道場管：

對于 P 溝道場管：

一個好的 MOSFET 正向測量時內(nèi)部二極管應該有 0.4V 至 0.9V 的壓降（取決于MOSFET類型），如果壓降為零，則 MOSFET 有缺陷，當讀數(shù)為“開路”或無讀數(shù)時，MOSFET也有缺陷。

當反向測量場管內(nèi)部二極管時，壓降應為“開路”或無讀數(shù)。 如果壓降為零，則MOSFET有缺陷。

下圖顯示正向 N 溝道管源漏極之間的二極管有 0.52V 的壓降：

反向測量內(nèi)部二極管開路：

下圖顯示一個損壞的 N 溝道場管反向測量內(nèi)部二極管有 0.404V 的壓降：

第三步 測量其他引腳

還是二極管檔，場管一共三個引腳，兩兩測量一共有六種組合。 一個好的場管除了正向測量漏源極之間的二極管為有壓降，其他任何引腳之間都不應該有壓降。