mos管是金屬—氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的。

雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場(chǎng)效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance，定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，以下為N溝道和P溝道符號(hào)。

N溝道m(xù)os管符號(hào)

P溝道m(xù)os管符號(hào)

1、如何快速判斷其好壞及引腳功能

1）用10K檔，內(nèi)有15伏電池?？商峁?dǎo)通電壓。

2）因?yàn)闁艠O等效于電容，與任何腳不通，不論N管或P管都很容易找出柵極來(lái)，否則是壞管。

3）利用表筆對(duì)柵源間正向或反向充電，可使漏源通或斷，且由于柵極上電荷能保持，上述兩步可分先后，不必同步，方便。但要放電時(shí)需短路管腳或反充。

4）大都源漏間有反并二極管，應(yīng)注意，及幫助判斷。

5）大都封莊為字面對(duì)自已時(shí)，左柵中漏右源。

以上前三點(diǎn)必需掌握，后兩點(diǎn)靈活運(yùn)用，很快就能判管腳，分好壞。

如果對(duì)新拿到的不明MOS管，可以通過(guò)測(cè)定來(lái)判斷腳極，只有準(zhǔn)確判定腳的排列，才能正確使用。

2、管腳測(cè)定方法：

①柵極G的測(cè)定：用萬(wàn)用表R×100檔，測(cè)任意兩腳之間正反向電阻，若其中某次測(cè)得電阻為數(shù)百Ω），該兩腳是D、S，第三腳為G。

②漏極D、源極S及類(lèi)型判定：用萬(wàn)用表R×10kΩ檔測(cè)D、S問(wèn)正反向電阻，正向電阻約為0.2×10kΩ，反向電阻（5一∞）X100kΩ。在測(cè)反向電阻時(shí)，紅表筆不動(dòng)，黑表筆脫離引腳后，與G碰一下，然后回去再接原引腳，出現(xiàn)兩種情況：

a．若讀數(shù)由原來(lái)較大值變?yōu)?（0×10kΩ），則紅表筆所接為S，黑表筆為D。用黑表筆接觸G有效，使MOS管D、S間正反向電阻值均為0Ω，還可證明該管為N溝道。

b．若讀數(shù)仍為較大值，黑表筆不動(dòng)，改用紅表筆接觸G，碰一下之后立即回到原腳，此時(shí)若讀數(shù)為0Ω，則黑表筆接的是S極、紅表筆為D極，用紅表筆接觸G極有效，該MOS管為P溝道。