電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/周凱揚）在存儲行業(yè)有些萎靡不振的當下，大部分廠商都在絞盡腦汁地去庫存，也有的廠商考慮從新的技術(shù)方向給存儲行業(yè)注入生機，比如最近發(fā)布了3D X-DRAM技術(shù)的NEO Semiconductor。

X-NAND

相信去年的閃存峰會上，除了鎧俠、SK海力士、長江存儲、三星等大廠所做的技術(shù)分享外，大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創(chuàng)企業(yè)。這是一家專為NAND閃存和DRAM內(nèi)存開發(fā)創(chuàng)新架構(gòu)的廠商，其去年推出的X-NAND第二代技術(shù)，允許3D NAND閃存并行編程（比如數(shù)據(jù)寫入）時用到更少的平面，從而實現(xiàn)20倍于傳統(tǒng)3D NAND閃存的性能。

對于固態(tài)硬盤來說，也就意味著可以使得更大容量更低成本的QLC閃存，擁有像SLC閃存一樣的性能指標。NEO Semiconductor還著重強調(diào)了X-NAND第二代技術(shù)不會對架構(gòu)和設(shè)計造成影響，所以在不增加制造成本的同時也能提供極高的吞吐量和優(yōu)異的時延改善。

話雖如此，NEO Semiconductor憑借這一技術(shù)也在FMS2022閃存峰會上獲得了創(chuàng)新存儲技術(shù)獎，但我們似乎還沒有見到落地的產(chǎn)品出現(xiàn)，更別說合作的廠商了。可也是這次會議上，NEO Semiconductor透露了他們在研的另一大技術(shù)，X-DRAM。

3D X-DRAM

近日，NEO Semiconductor公布了他們自研的3D X-DRAM技術(shù)，采用了3D NAND式的結(jié)構(gòu)設(shè)計，可以顯著增加存儲密度，利用現(xiàn)在的制造工藝產(chǎn)出一個8倍密度的內(nèi)存，比如230層的128GB DRAM芯片。NEO Semiconductor表示3D X-DRAM技術(shù)的出現(xiàn)，很好地解決了如今對高性能和大容量內(nèi)存的需求問題，尤其是在ChatGPT這樣的AI應(yīng)用襲來之際。

從上面的3D X-DRAM陣列架構(gòu)來看，也可以看出其外表和3D NAND好像并無不同之處，但內(nèi)部卻大有不同。比如3D X-DRAM的單元都是并聯(lián)的，所以可以完成高速的隨機訪問，而且3D X-DRAM單元的數(shù)據(jù)都存儲在浮體中，寫入速度要比尋常的3D NAND快上千倍。

正因有了類3D NAND技術(shù)的加持，NEO Semiconductor給出相當具有野心的容量擴展目標，其中在2030-2035年區(qū)間，借助3D X-DRAM可以打造出1TB的DRAM芯片。當然了，NEO Semiconductor在這里給出的密度仍是路線圖目標，只是對未來的3D NAND技術(shù)進行一個預(yù)估。

畢竟3D X-DRAM的制造流程與3D NAND極為接近，3D X-DRAM的密度勢必會隨著3D NAND的層數(shù)持續(xù)增長，比如鎧俠和西數(shù)可能在今年推出的300層3D NAND。至于真正的量產(chǎn)級1TB內(nèi)存模組，應(yīng)該還是先由堆疊芯片來打頭陣，比如三星計劃在2024年推出的1TB DDR5 RDIMM內(nèi)存。

小結(jié)

無論是X-DRAM還是X-NAND，都代表了存儲結(jié)構(gòu)上還有更多的創(chuàng)新空間，但真正令我們好奇的是，究竟會有哪些廠商把這一技術(shù)投入使用。照NEO Semiconductor對X-NAND的說法，這一技術(shù)應(yīng)該支持不同顆粒，IP也可以部署到三星、鎧俠、長江存儲的產(chǎn)品中，不對制造產(chǎn)生影響?？蓮哪壳耙阎墓_信息來看，似乎并沒有哪家存儲廠商與NEO Semiconductor達成合作。

這也可能是大家對于浮體單元架構(gòu)還是持以觀望的態(tài)度，畢竟過去這么多年里2D浮體單元的架構(gòu)也都有出現(xiàn)，但無一實現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)的，雖然NEO Semiconductor改成了3D結(jié)構(gòu)，但是否解決了漏電流之類的問題仍是一個未知數(shù)。不過NEO Semiconductor的CEO AndyHsu也表示，目前公布的單元結(jié)構(gòu)只是基礎(chǔ)形態(tài)，實際結(jié)構(gòu)會包含更多特性，他們要等到今年FMS2023閃存峰會上才能正式揭曉了。