一提到隔離型驅動，不少硬件研發(fā)工程師就會先入為主想到光耦。可光耦真的是唯一選擇嗎？伴隨著全球電氣化和數(shù)字化的趨勢，電力電子技術的發(fā)展也日新月異：功率器件開關頻率進一步提高，寬禁帶器件使用方興未艾，終端應用環(huán)境更加復雜惡劣，這些都對隔離型驅動的性能和可靠性提出了全新的挑戰(zhàn)。

而英飛凌隔離型驅動的超強性能正好滿足了這些挑戰(zhàn)：

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無磁芯變壓器隔離技術

基于磁耦合的電氣隔離技術，利用半導體制造工藝，集成由金屬線圈結構和氧化硅絕緣介質組成的無磁芯平面變壓器，用來傳送輸入側與輸出側之間的開關指令和其它信號。信號以電流變化的形式進行傳遞，抗dv/dt干擾能力強，非常適合高速開關器件。磁隔離技術隨著使用時間的增加，沒有類似光耦的光衰問題，穩(wěn)定性更好。

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更高的工作電壓

英飛凌隔離型驅動可適用于600V/650V/1200V/1700V/2300V開關器件。而光耦工作電壓一般為1700V以內。

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更大的輸出電流

英飛凌隔離型驅動電流高達14A（峰值典型值），特別適用于單管MOSFET/IGBT并聯(lián)或者大功率模塊，無需外接推挽放大電路，設計簡單且性價比高。而光耦驅動電流一般為10A（峰值典型值）以內。

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更高的副邊電源電壓差

英飛凌隔離型驅動副邊電源電壓差高達40V，特別適用于負壓驅動的IGBT或者CoolSiC，提供了足夠的電壓安全裕量。而光耦驅動副邊電源電壓差為35V。

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更高的工作結溫

英飛凌隔離型驅動工作結溫高達150℃，可完美輔配功率器件最高工作結溫150/175℃。而光耦工作結溫一般125℃，并且高溫時參數(shù)溫漂（如傳輸延時等）高于英飛凌隔離型驅動，限制了系統(tǒng)在高溫環(huán)境下的應用。

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更小的傳輸延時

英飛凌隔離型驅動傳輸延時低至100ns以內，芯片之間傳輸延時匹配度7ns以內，能實現(xiàn)更小的死區(qū)時間，特別適用于高頻應用，也是英飛凌CoolSiC和CoolGaN的最佳搭檔。而光耦傳輸延時一般為200ns以內，光耦之間傳輸延時匹配一般為100ns以內。

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更高的共模瞬變抗擾度

英飛凌隔離型驅動共模瞬變抗擾度高達200kV/μs以上，特別適用于快速開關應用，能輕松駕馭更高的dv/dt，提高了系統(tǒng)可靠性。而光耦共模瞬變抗擾度一般為100kV/μs以內。

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更高的可靠性

英飛凌全新的隔離型驅動參照VDE 0884-11標準，而光耦參照IEC 60747-5-5/VDE 0884-5標準。針對磁隔離技術的VDE 0884-11標準測試更為嚴苛，安全裕量更大，更標配了使用壽命模型（20年以上）和額外的安全系數(shù)。

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更豐富的功能

電壓變化率控制(SRC：Slew Rate Control)兼顧效率和EMI；參數(shù)可配置，如欠壓保護閾值調整適配CoolSiC、軟關斷電流多級可調、溫度監(jiān)控與保護等等。

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通過上述的分析對比，英飛凌隔離型驅動在芯片技術、工作電壓、輸出電流、副邊電源電壓、工作結溫、傳輸延時、共模瞬變抗擾度、可靠性、功能性等方面，相對光耦都有明顯的優(yōu)勢，是高性能高可靠性隔離型驅動的最佳選擇。英飛凌隔離型驅動產品系列如下所示，如需技術或者產品支持，請與英飛凌銷售人員或分銷商聯(lián)系。