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什么是熱擊穿和電擊穿?

向欣電子 ? 2021-12-31 14:23 ? 次閱讀
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導(dǎo)語:5G時代巨大數(shù)據(jù)流量對于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求,器件功耗大幅提升的同時,引起了這些部位發(fā)熱量的急劇增加。BN氮化硼散熱膜是當(dāng)前5G射頻芯片、毫米波天線、無線充電、無線傳輸、IGBT、印刷線路板、AI物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域最為有效的散熱材料,具有不可替代性。

本產(chǎn)品是國內(nèi)首創(chuàng)自主研發(fā)的高質(zhì)量二維氮化硼納米片,成功制備了大面積、厚度可控的二維氮化硼散熱膜,具有透電磁波、高導(dǎo)熱、高柔性、低介電系數(shù)、低介電損耗等多種優(yōu)異特性,解決了當(dāng)前我國電子封裝及熱管理領(lǐng)域面臨的“卡脖子”問題,擁有國際先進的熱管理TIM解決方案及相關(guān)材料生產(chǎn)技術(shù),是國內(nèi)低維材料技術(shù)領(lǐng)域頂尖的創(chuàng)新型高科技產(chǎn)品。

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什么是5G?

定義

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“5G”一詞通常用于指代第5代移動網(wǎng)絡(luò)。5G是繼之前的標(biāo)準(zhǔn)(1G、2G、3G、4G 網(wǎng)絡(luò))之后的最新全球無線標(biāo)準(zhǔn),并為數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供更高的帶寬。除其他好處外,5G有助于建立一個新的、更強大的網(wǎng)絡(luò),該網(wǎng)絡(luò)能夠支持通常被稱為 IoT 或“物聯(lián)網(wǎng)”的設(shè)備爆炸式增長的連接——該網(wǎng)絡(luò)不僅可以連接人們通常使用的端點,還可以連接一系列新設(shè)備,包括各種家用物品和機器。

公認的5G優(yōu)勢是:

?具有更高可用性和容量的更可靠的網(wǎng)絡(luò)

?更高的峰值數(shù)據(jù)速度(多Gbps)

?超低延遲

與前幾代網(wǎng)絡(luò)不同,5G網(wǎng)絡(luò)利用在26GHz 至40GHz范圍內(nèi)運行的高頻波長(通常稱為毫米波)。由于干擾建筑物、樹木甚至雨等物體,在這些高頻下會遇到傳輸損耗,因此需要更高功率和更高效的電源。

5G部署最初可能會以增強型移動寬帶應(yīng)用為中心,滿足以人為中心的多媒體內(nèi)容、服務(wù)和數(shù)據(jù)接入需求。增強型移動寬帶用例將包括全新的應(yīng)用領(lǐng)域、性能提升的需求和日益無縫的用戶體驗,超越現(xiàn)有移動寬帶應(yīng)用所支持的水平。

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毫米波是關(guān)鍵技術(shù)

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毫米波通信是未來無線移動通信重要發(fā)展方向之一,目前已經(jīng)在大規(guī)模天線技術(shù)、低比特量化ADC、低復(fù)雜度信道估計技術(shù)、功放非線性失真等關(guān)鍵技術(shù)上有了明顯研究進展。但是隨著新一代無線通信對無線寬帶通信網(wǎng)絡(luò)提出新的長距離、高移動、更大傳輸速率的軍用、民用特殊應(yīng)用場景的需求,針對毫米波無線通信的理論研究與系統(tǒng)設(shè)計面臨重大挑戰(zhàn),開展面向長距離、高移動毫米波無線寬帶系統(tǒng)的基礎(chǔ)理論和關(guān)鍵技術(shù)研究,已經(jīng)成為新一代寬帶移動通信最具潛力的研究方向之一。

毫米波的優(yōu)勢:毫米波由于其頻率高、波長短,具有如下特點:

頻譜寬,配合各種多址復(fù)用技術(shù)的使用可以極大提升信道容量,適用于高速多媒體傳輸業(yè)務(wù);可靠性高,較高的頻率使其受干擾很少,能較好抵抗雨水天氣的影響,提供穩(wěn)定的傳輸信道;方向性好,毫米波受空氣中各種懸浮顆粒物的吸收較大,使得傳輸波束較窄,增大了竊聽難度,適合短距離點對點通信;波長極短,所需的天線尺寸很小,易于在較小的空間內(nèi)集成大規(guī)模天線陣。

毫米波的缺點:毫米波也有一個主要缺點,那就是不容易穿過建筑物或者障礙物,并且可以被葉子和雨水吸收,對材料非常敏感。這也是為什么5G網(wǎng)絡(luò)將會采用小基站的方式來加強傳統(tǒng)的蜂窩塔。

什么是TIM熱管理?

定義

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熱管理?顧名思義,就是對“熱“進行管理,英文是:Thermal Management。熱管理系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于國民經(jīng)濟以及國防等各個領(lǐng)域,控制著系統(tǒng)中熱的分散、存儲與轉(zhuǎn)換。先進的熱管理材料構(gòu)成了熱管理系統(tǒng)的物質(zhì)基礎(chǔ),而熱傳導(dǎo)率則是所有熱管理材料的核心技術(shù)指標(biāo)。

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導(dǎo)熱率,又稱導(dǎo)熱系數(shù),反映物質(zhì)的熱傳導(dǎo)能力,按傅立葉定律,其定義為單位溫度梯度(在1m長度內(nèi)溫度降低1K)在單位時間內(nèi)經(jīng)單位導(dǎo)熱面所傳遞的熱量。熱導(dǎo)率大,表示物體是優(yōu)良的熱導(dǎo)體;而熱導(dǎo)率小的是熱的不良導(dǎo)體或為熱絕緣體。

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5G手機以及硬件終端產(chǎn)品的小型化、集成化和多功能化,毫米波穿透力差,電子設(shè)備和許多其他高功率系統(tǒng)的性能和可靠性受到散熱問題的嚴重威脅。要解決這個問題,散熱材料必須在導(dǎo)熱性、厚度、靈活性和堅固性方面獲得更好的性能,以匹配散熱系統(tǒng)的復(fù)雜性和高度集成性。

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什么是熱擊穿?

定義

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熱擊穿為固體電介質(zhì)擊穿的一種形式。擊穿電壓隨溫度和電壓作用時間的延長而迅速下降,這時的擊穿過程與電介質(zhì)中的熱過程有關(guān),稱為熱擊穿。

熱擊穿的本質(zhì)是處于電場中的介質(zhì),由于其中的介質(zhì)損耗而產(chǎn)生熱量,就是電勢能轉(zhuǎn)換為熱量,當(dāng)外加電壓足夠高時,就可能從散熱與發(fā)熱的熱平衡狀態(tài)轉(zhuǎn)入不平衡狀態(tài),若發(fā)出的熱量比散去的多,介質(zhì)溫度將愈來愈高,直至出現(xiàn)永久性損壞,這就是熱擊穿。

電介質(zhì)的特性

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電介質(zhì)在電場作用下,由于漏電流、電損耗或孔隙局部氣體電離放電產(chǎn)生放熱,材料溫度逐步升高,隨著時間延續(xù),積熱增多,當(dāng)達到一定溫度時,材料即行開裂、玻璃化或熔化,絕緣性能被破壞而導(dǎo)致?lián)舸┑默F(xiàn)象。這是介質(zhì)材料常見的破壞原因之一。

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熱擊穿與介質(zhì)的導(dǎo)致系數(shù)、強度、內(nèi)部缺陷、摻雜物(雜質(zhì))、氣孔、形狀及散熱條件等多種因素有關(guān)。固體電介質(zhì)的擊穿有電擊穿、熱擊穿、電化學(xué)擊穿、放電擊穿等形式。絕緣結(jié)構(gòu)發(fā)生擊穿,往往是電、熱、放電、電化學(xué)等多種形式同時存在,很難截然分開。一般來說,在采用tanδ值大、耐熱性差的電介質(zhì)的低壓電氣設(shè)備,在工作溫度高、散熱條件差時,熱擊穿較為多見。而在高壓電氣設(shè)備中,放電擊穿的概率就大些。脈沖電壓下的擊穿一般屬于電擊穿。當(dāng)電壓作用時間達數(shù)十小時乃至數(shù)年時,大多數(shù)屬于電化學(xué)擊穿。

形成

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電極間介質(zhì)在一定外加電壓作用下,其中不大的電導(dǎo)最初引起較小的電流。電流的焦耳熱使樣品溫度升高。但電介質(zhì)的電導(dǎo)會隨溫度迅速變大而使電流及焦耳熱增加。若樣品及周圍環(huán)境的散熱條件不好,則上述過程循環(huán)往復(fù),互相促進,最后使樣品內(nèi)部的溫度不斷升高而引起損壞。

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在電介質(zhì)的薄弱處熱擊穿產(chǎn)生線狀擊穿溝道。擊穿電壓與溫度有指數(shù)關(guān)系,與樣品厚度成正比;但對于薄的樣品,擊穿電壓比例于厚度的平方根。熱擊穿還與介質(zhì)電導(dǎo)的非線性有關(guān),當(dāng)電場增加時電阻下降,熱擊穿一般出現(xiàn)于較高環(huán)境溫度。在低溫下出現(xiàn)的是另一種類型的電擊穿。

影響

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當(dāng)固體絕緣材料在外加電壓作用下,產(chǎn)生的泄漏電流過大,使絕緣材料溫度升高而造成的擊穿。熱擊穿的擊穿電壓比較低,但電壓作用時間比較長,電氣設(shè)備發(fā)生熱擊穿,將導(dǎo)致設(shè)備損壞,影響安全供電。

與其他固體電介質(zhì)擊穿的區(qū)別

電擊穿是高壓造成的擊穿,熱擊穿是大電流造成的擊穿。高壓擊穿如果能限制電流的話還能恢復(fù)。熱擊穿一般不可恢復(fù)。

靜電熱擊穿

靜電火花放電或刷形放電一般都是在ns或μs量級完成的,因此,通??梢詫㈧o電放電過程看作是一種絕熱過程??諝庵邪l(fā)生的靜電放電,可以在瞬時使空氣電離、擊穿、通過數(shù)安培的大電流,并伴隨著發(fā)光、發(fā)熱過程,形成局部的高溫?zé)嵩?。這種局部的熱源可以引起易燃、易爆氣體燃燒、爆炸。靜電放電過程產(chǎn)生的瞬時大電流也可以使火炸藥、電雷管、電引信等各種電發(fā)火裝置意外發(fā)火、引起爆炸事故。

在微電子領(lǐng)域,靜電放電過程是靜電能量在十分之一微秒時間內(nèi)通過器件電阻釋放的,其平均功率可達幾千瓦。如此大功率的脈沖電流作用于器件上,足以在絕熱情況下,使硅片上微區(qū)溶化,電流集中處使鋁互連局部區(qū)域發(fā)生球化,甚至燒毀PN結(jié)和金屬互連線,形成破環(huán)的“熱電擊穿”,導(dǎo)致電路損壞失效。

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什么是電擊穿?

定義

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電擊穿是指固體介質(zhì)在強電場的作用下,內(nèi)部少量可自由移動的載流子劇烈運動,與晶格上的原子發(fā)生碰撞使之游離,并迅速擴展而導(dǎo)致?lián)舸?/span>固體電介質(zhì)的純粹電破壞過程稱為電擊穿。電擊穿是因為固體電介質(zhì)中的自由電子在強電場中作加速運動,累積較大的動能,這些動能足以破壞介質(zhì)的分子結(jié)構(gòu),發(fā)生碰撞游離的連鎖反應(yīng)時,會在電介質(zhì)中產(chǎn)生貫穿的導(dǎo)電通道,而使固體介質(zhì)喪失絕緣性能,導(dǎo)致電擊穿。

特點是:電壓作用時間短,擊穿電壓高,與電場均勻度密切相關(guān),但與環(huán)境溫度及電壓作用時間幾乎無關(guān)。

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擊穿形式

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固體電介質(zhì)的擊穿過程及其擊穿電壓的大小不但取決于電介質(zhì)的性能,而且還與電場分布、周同溫度、散熱條件、周同介質(zhì)的性質(zhì)有關(guān)、加壓速度和電壓作用的持續(xù)性等有關(guān)。固體電介質(zhì)根據(jù)其擊穿發(fā)展的過程小同,可分為電擊穿、熱擊穿和電化學(xué)擊穿二種形式。發(fā)生哪種擊穿形式,取決于介質(zhì)的性能和工作條件。

擊穿機制

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在強電場下,固體導(dǎo)帶中可能因冷發(fā)射或熱發(fā)射存在一些電子。這些電子一方面在外電場作用下被加速,獲得動能;另一方面與晶格振動相互作用,把電場能量傳遞給晶格。當(dāng)兩個過程在一定的溫度和場強下平衡,固體介質(zhì)有穩(wěn)定的電導(dǎo):當(dāng)電子從電場中得到的能量大于傳遞給品格振動的能量時,電子的動能就越來越大,至電子能量大到一定值時,電子與晶格振動的相互作用導(dǎo)致電離產(chǎn)生新電子,使自由電子數(shù)迅速增加,電導(dǎo)進入不穩(wěn)定階段,擊穿發(fā)生。

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本征電擊穿機制

實驗上,本征電擊穿表現(xiàn)的擊穿主要是由所加電場決定的,在所使用的電場條件下,使電子溫度達到擊穿的臨界水平。觀察發(fā)現(xiàn),本征擊穿發(fā)生在室溫或室溫以下。發(fā)生的時間間隔很短,在微秒或微秒以下。本征擊穿所以稱之為“本征”,是因為這種擊穿機制與樣品或電極幾何形狀無關(guān),或者與所加電場的波形無關(guān)。因此在給定溫度下,產(chǎn)生本征擊穿的電場值僅與材料有關(guān)。

這種擊穿與介質(zhì)中的自由電子有關(guān)。介質(zhì)中自由電子的來源為雜質(zhì)或缺陷能級、價帶。

雪崩式電擊穿機制

熱擊穿機制對于許多陶瓷材料是適用的。如果材料尺寸可看成是薄膜時,則雪崩式擊穿機制更為有效。

雪崩式電擊穿機制是把本征電擊穿機制和熱擊穿機制結(jié)合起來。因為當(dāng)電子的分布不穩(wěn)定時,必然產(chǎn)生熱的結(jié)果。因此,這種理論是用本征電擊穿理論描述電子行為,而擊穿的判據(jù)采用的是熱擊穿性質(zhì)。

雪崩式理論認為:電荷是逐漸或者相繼積聚,而不是電導(dǎo)率的突然改變,盡管電荷集聚在很短時間內(nèi)發(fā)生。

雪崩式電擊穿最初的機制是場發(fā)射或離子碰撞。場發(fā)射假設(shè)由隧道效應(yīng)來自價帶的電子進入缺陷能級或進入導(dǎo)帶,導(dǎo)致傳導(dǎo)電子密度增加。

局部放電擊穿

局部放電就是在電場作用下,在電介質(zhì)局部區(qū)域中所發(fā)生的放電現(xiàn)象,這種放電沒有電極之間形成貫穿的通道,整個試樣并沒有被擊穿。例如氣體的電暈放電、液體中的氣泡放電都是局部放電。對于固體電介質(zhì)來說,電極與介質(zhì)之間常常存在著一層環(huán)境媒質(zhì):氣隙或油膜。就固體電介質(zhì)本身來說,實際上也是不均勻的,往往存在著氣泡、液珠或其他雜質(zhì)和不均勻的組分等。例如陶瓷就是一種多孔性的不均勻材料。由于氣體和液體介電常數(shù)較小,因此承受的電場強度較高。同時氣體和液體的擊穿電場強度又比較低,于是當(dāng)外施電壓達到一定數(shù)值時,在這薄弱的區(qū)域,就發(fā)生局部放電。

局部放電是脈沖性的,其過程與電暈放電相同。放電結(jié)果產(chǎn)生大量的正、負離子,形成空間電荷,建立反電場,使氣隙中的總電場強度下降,放電熄滅。這樣的放電持續(xù)時間很短,為10-8~10-9s。在直流電壓作用時,放電熄滅后直到空間電荷通過表面泄漏,使反電場削弱到一定程度,才能開始第二次放電。因此在直流電壓作用下,放電次數(shù)甚少。在交流電壓作用時,情況就有所不同。由于電壓的大小與方向是變動的,放電將反復(fù)出現(xiàn),以上表明局部放電是脈沖性的。

工程介質(zhì),從材料本身來說,其本征擊穿電場強度一般較高,但由于介質(zhì)的不均勻性和各種影響,實際擊穿強度往往并不很高,有時甚至要降低一、二個數(shù)量級,其中重要原因之一就是局部放電。

影響因素

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(1)電壓的高低。電壓越高越容易擊穿。

(2)電壓作用時間的長短。時間越長越容易擊穿。

(3)電壓作用的次數(shù)。次數(shù)越多電擊穿越容易發(fā)生。

(4)絕緣體存在內(nèi)部缺陷,絕緣體強度降低。

(5)絕緣體內(nèi)部場強過高。

(6)與絕緣的溫度有關(guān)。

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    電路的供電穩(wěn)定性甚至導(dǎo)致系統(tǒng)癱瘓。因此,深入了解其典型失效模式,如開路、熱擊穿和漏電流異常,是每位工程師必須掌握的故障排查技能。一、開路失效:電路中的“隱形人”開路
    的頭像 發(fā)表于 05-16 09:56 ?1434次閱讀
    MDD穩(wěn)壓二極管失效模式分析:開路、<b class='flag-5'>熱擊穿</b>與漏電問題排查

    MOSFET單脈沖雪崩擊穿能量的失效模式

    單脈沖雪崩擊穿能量(Energy during avalanche for single pulse),即 EAS。指的是MOSFET器件串聯(lián)感性負載時,在單次脈沖(工作到關(guān)斷)狀態(tài)下,所能承受的最大能量消耗,單位是焦耳(J),其值越大,器件在電路中遭遇瞬間過電壓或過電流情況時越不容易損壞。
    的頭像 發(fā)表于 05-15 15:32 ?4446次閱讀
    MOSFET單脈沖雪崩<b class='flag-5'>擊穿</b>能量的失效模式

    瞬態(tài)抑制二極管(TVS)擊穿后能否恢復(fù)

    瞬態(tài)抑制二極管(TVS)擊穿后能否恢復(fù)
    的頭像 發(fā)表于 05-08 10:26 ?2314次閱讀

    MDDTVS管失效模式大起底:熱擊穿、漏電流升高與反向擊穿問題解析

    在電子設(shè)計中,MDD-TVS管是保護電路免受瞬態(tài)電壓沖擊的重要器件。然而,TVS管本身在惡劣環(huán)境或選型、應(yīng)用不當(dāng)時,也可能出現(xiàn)失效問題。作為FAE,本文將系統(tǒng)梳理TVS管常見的三大失效模式——熱擊穿
    的頭像 發(fā)表于 04-28 13:37 ?1123次閱讀
    MDDTVS管失效模式大起底:<b class='flag-5'>熱擊穿</b>、漏電流升高與反向<b class='flag-5'>擊穿</b>問題解析

    基于激光誘導(dǎo)擊穿光譜的銅物料快速檢測方法

    現(xiàn)場冶金物料均采用送樣定點檢測的方法,檢測數(shù)據(jù)時效性差、成本高。采用激光誘導(dǎo)擊穿光譜(LIBS)技術(shù)對冰銅、尾料和銅精礦中關(guān)鍵元素的成分進行快速檢測。激光誘導(dǎo)擊穿光譜技術(shù)對銅物料成分的快速檢測,提高了銅冶煉工藝調(diào)控的精準(zhǔn)性
    的頭像 發(fā)表于 04-01 17:57 ?963次閱讀
    基于激光誘導(dǎo)<b class='flag-5'>擊穿</b>光譜的銅物料快速檢測方法

    “TVS選型翻車警告:為何你的防護總被擊穿?3步精準(zhǔn)計算法揭秘!”—— 硬件人必看!

    TVS到底是個啥? 一句話總結(jié):電路端口的“瞬態(tài)保鏢”! ? TVS(瞬態(tài)電壓抑制器),江湖人稱“雪崩擊穿二極管”。它像電路端口的“瞬態(tài)保鏢”,平時低調(diào)隱身(高阻態(tài)),一旦遇到電壓浪涌(如雷擊、靜電
    的頭像 發(fā)表于 03-16 17:30 ?2001次閱讀
    “TVS選型翻車警告:為何你的防護總被<b class='flag-5'>擊穿</b>?3步精準(zhǔn)計算法揭秘!”—— 硬件人必看!

    電壓擊穿試驗儀技術(shù)特點 絕緣泄漏電流數(shù)顯高壓機

    武漢凱迪正大KD2670J 數(shù)顯電壓擊穿測試儀具備測試電壓與漏電流同時顯示的功能,實用性強。通過漏電流顯示,用戶不僅能實時了解被測體漏電流的實際數(shù)值,還能對不同批次或不同廠家的同類產(chǎn)品耐壓性能進行比較,從而有效確保產(chǎn)品的安全...
    的頭像 發(fā)表于 03-13 16:57 ?850次閱讀
    電壓<b class='flag-5'>擊穿</b>試驗儀技術(shù)特點 絕緣泄漏電流數(shù)顯高壓機

    30KPA144A 二極管:144V 擊穿下的卓越瞬態(tài)電壓抑制性能詳解

    30KPA144A 二極管:144V 擊穿下的卓越瞬態(tài)電壓抑制性能詳解
    的頭像 發(fā)表于 03-11 14:56 ?933次閱讀
    30KPA144A 二極管:144V <b class='flag-5'>擊穿</b>下的卓越瞬態(tài)電壓抑制性能詳解