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全球領先的芯動DDR接口技術榮獲“硬核中國芯”最佳IP產品

芯動科技Innosilicon ? 2021-12-31 18:19 ? 次閱讀
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2021年12月28日,在第三屆硬核中國芯領袖峰會上,芯動科技憑借全球頂尖的全系高端DDR存儲接口解決方案,成功斬獲“硬核中國芯”2021年度最佳IP產品。

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芯動科技在高端DDR方面可以說是一騎絕塵,從DDR5(單DQ達4.8Gbps~5.6Gbps),到LPDDR5/5X(單DQ達6.4Gbps~7.6Gbps)、GDDR6(單DQ達16Gbps)乃至GDDR6X(單DQ達21Gbps)、HBM3.0(單DQ達6.4Gbps),均包含PHY和控制器IP,全面支持JEDEC各標準,做到了一站式覆蓋,這在全球都是絕無僅有的。該技術還具備高性能、高帶寬、低功耗、低延時、小尺寸、可擴展設計等特征,做到各主流FinFET先進工藝全覆蓋,支持一站式集成和多樣化定制,是全球覆蓋面最廣、業(yè)界最頂尖的DDR系列技術,堪稱DDR領域的天花板,已一站式賦能高性能計算、多媒體&汽車電子、IoT物聯(lián)網等多個平臺。

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其中,芯動科技首發(fā)的GDDR6/6X COMBO IP是全球速度最高的DDR顯存技術,單個DQ能達到21Gbps超高速率,是最新DDR5速率的4倍以上,在256位寬度下系統(tǒng)帶寬超過5Tb/秒,兼具低成本、高性價比優(yōu)勢,可謂是高性能計算神器。該技術為圖形處理、科學計算和人工智能等大數(shù)據處理應用提供了卓爾不凡的體驗。近期芯動為客戶定制的國產首個4K級高性能GPU“風華1號”搭載的正是自研GDDR6X顯存技術。

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據介紹,GDDR6X并非簡單的超頻技術,為了數(shù)據密度更高,它使用了32位并行單端PAM4技術,比業(yè)界常見的串口差分PAM4技術,難不止一個數(shù)量級,全球除了英偉達,一個公司都做不出來,每個時鐘周期可以傳輸多次數(shù)據——數(shù)據吞吐量越大,芯片并行計算能力越大,GPU能夠同時渲染的像素點越多,畫質越清晰。使用GDDR6X技術可滿足4K高刷新率畫面需求;在提升接口數(shù)據傳輸速率的同時,它實際內核頻率甚至可以做到比上一代技術更低一些。芯動科技GDDR6X研發(fā)負責人高專透露,“GDDR6X的PAM4并行技術是英偉達與美光在一棟樓里共同研發(fā)兩年才研發(fā)出來,而芯動團隊是全球唯一一家,僅憑有限的遠程技術支持,只用一年時間就做出來了,連AMD目前都還沒有做到成功研發(fā)該技術。”芯動科技作為全球對DDR接口技術覆蓋最全的IP公司,具備十多年的技術基礎積累和200次流片打磨的經驗,可以說是國內硬科技企業(yè)的代表,獲得硬核中國芯榮譽也是實至名歸。

“硬核中國芯”獎項評選由超20萬電子工程師和50位專家評審團,分別從參評企業(yè)的產品性能、價格競爭力、技術創(chuàng)新、客戶服務、市場銷量等指標進行評分,是國內極具創(chuàng)新和影響力的半導體產業(yè)評選活動。

關于芯動科技:

芯動科技(Innosilicon)是中國一站式IP和芯片定制領軍企業(yè),專注于高性能計算GPU、高帶寬交換與存儲等領域,提供全球各大工藝從55納米到5納米FinFET全套高性能IP核和ASIC定制解決方案。公司15年來立足本土發(fā)展,所有IP和芯片全國產自主可控,經過200多次先進工藝流片,過50億顆高端SoC量產,連續(xù)十年中國市場份額遙遙領先。芯動是中國唯一受到全球6大頂尖晶圓廠(臺積電/三星/格芯/中芯國際/聯(lián)華電子/英特爾)簽約支持的技術合作伙伴,聚焦從28/22納米、14/12納米、10納米、7納米到5納米等FinFET/FDX節(jié)點,支持了中芯國際、華力等國產先進工藝量產首發(fā)。芯動是為數(shù)不多圓滿完成多項國家重大專項的領軍企業(yè),歷史客戶群涵蓋華為海思、中興通訊、瑞芯微、全志、君正等國內前十設計公司,以及AMD、微軟、亞馬遜、高通、安盛美等全球知名企業(yè)。我們日常所用的軌道交通身份證“刷臉認證”、高清機頂盒、監(jiān)控攝像、游戲機、手機、平板、全球頂級示波器主控芯片、以及CPU/GPU/NPU等多種先進產品背后都有芯動技術。

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