據(jù)評(píng)估，世界上超過(guò)一半的電能消耗用于各種電動(dòng)機(jī)。因此，降低電動(dòng)機(jī)的功率損耗并提高電力轉(zhuǎn)換的效率顯得尤為重要。

電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路一般原理圖

本文主要講到基本半導(dǎo)體的碳化硅功率MOSFET B1M080120HC，該器件具有延遲極短、超高耐壓、低導(dǎo)通阻抗、小封裝等優(yōu)勢(shì)，可以和WOLFSPEED的C2M0080120D、羅姆的SCT2080KE、英飛凌的IMW120R090M1H、ST的SCT30N120、安森美的NTHL080N120SC1型號(hào)實(shí)現(xiàn)pin to pin替換，為電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)提供解決方案，具有巨大的市場(chǎng)前景。

具體應(yīng)用優(yōu)勢(shì)如下：

1、在電氣特性方面，B1M080120HC可承受的最高電壓達(dá)1200V，連續(xù)漏極電流最高可達(dá)44A，柵極閾值電壓典型值為3V，即使用普通MCU或者使用TTL電平也可輕松驅(qū)動(dòng)，完全滿足電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)的電氣要求。

2、B1M080120HC導(dǎo)通延遲時(shí)間20ns，關(guān)斷延遲時(shí)間44ns，真正實(shí)現(xiàn)電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)高頻率切換。而且自身功率耗散最高可達(dá)241W，可延長(zhǎng)其壽命周期，具有更高的穩(wěn)定性。

3、B1M080120HC的導(dǎo)通阻抗的典型值僅為80mΩ，能夠?qū)崿F(xiàn)較高的系統(tǒng)效率。

4、B1M080120HC的封裝為T(mén)O-247-3，工作結(jié)溫范圍為-55~+150℃，結(jié)殼熱阻為0.518K/W，滿足電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)的工作環(huán)境，可確保系統(tǒng)不會(huì)因?yàn)閾p耗過(guò)大導(dǎo)致結(jié)溫過(guò)高而損壞芯片，更好的應(yīng)用于高溫環(huán)境。

綜上所述，基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M080120HC可以實(shí)現(xiàn)高功率密度，并且在一般輸出功率的應(yīng)用中無(wú)需額外添加散熱器，節(jié)省了系統(tǒng)空間。

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