半導(dǎo)體行業(yè)借助紫外高功率輻射（i 線：365 nm、h線：405 nm和g線：436 nm）在各種光刻、曝光和顯影工藝中生產(chǎn)IC、LCD、PCB以及MEMS 等復(fù)雜的微觀電路結(jié)構(gòu)。得益于LED的技術(shù)優(yōu)勢和成本優(yōu)勢，半導(dǎo)體制造領(lǐng)域正在擺脫長期以來的傳統(tǒng)放電汞燈技術(shù)，進(jìn)而選擇UVLED技術(shù)作為一種理想解決方案。虹科UVLED紫外光源提供穩(wěn)定且超高功率的UV輻射輸出，最高輸出功率可達(dá)80W，具有長壽命和成本優(yōu)勢，無需額外冷卻時間，即開即用，取代了傳統(tǒng)的燈箱結(jié)構(gòu)，不再需要主光束折疊鏡、散熱器來吸收在快門和濾光片部件下超過450nm的輻射。

許多光刻應(yīng)用依賴于包括 i、h 和 g 線 （365/405/435 nm） 輻射寬帶曝光。虹科UVLED紫外光源提供非常相似的寬帶光譜輸出，因此，將現(xiàn)有的光刻工藝升級到UVLED曝光系統(tǒng)不再需要過多調(diào)整和操作。除了寬帶UVLED曝光單元外，還提供單峰（365 nm）或雙峰波長（365/405 nm和405/435 nm）的輸出配置。虹科高功率UVLED波段選擇

上期內(nèi)容我們介紹了虹科曝光光源在掩膜對準(zhǔn)系統(tǒng)和寬帶步進(jìn)系統(tǒng)中的應(yīng)用（虹科分享 | 半導(dǎo)體制造工藝中的虹科光源解決方案（1））。在本篇內(nèi)容中，我們將繼續(xù)為您展示虹科曝光光源在半導(dǎo)體領(lǐng)域的其他拓展應(yīng)用。

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晶圓邊緣曝光

晶圓邊緣曝光（WEE）是大批量半導(dǎo)體制造中的常見步驟，使用光刻工具在曝光后處理晶圓的圓邊和ID區(qū)域，以提高晶圓半導(dǎo)體器件的良率。WEE允許晶圓邊緣的絕對最小曝光寬度，以最大限度地減少良率損失或在進(jìn)一步處理過程中保護(hù)邊緣免受污染。

目前，大多數(shù)WEE應(yīng)用使用350至450 nm光譜范圍內(nèi)的寬帶輻射。最常見的解決方案是使用額定功率為150至500 W的傳統(tǒng)光纖耦合汞放電燈。虹科高功率紫外光源ALE/1和ALE/3通過靈活的LED光導(dǎo)提供光輸出，涵蓋了傳統(tǒng)汞放電燈的光譜范圍，并且很容易超越晶圓邊緣曝光工藝所需的典型強度。

晶圓曝光強度

虹科UVLED紫外光源解決方案提供卓越的吞吐量性能，取代了小型功率和中型功率汞弧燈。

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準(zhǔn)直曝光系統(tǒng)

掩模對準(zhǔn)器和步進(jìn)器能創(chuàng)建一層又一層的精確定位和結(jié)構(gòu)化圖案，以制造復(fù)雜的集成電路、化合物半導(dǎo)體和其他微電子器件。許多紫外固化應(yīng)用要求曝光與半導(dǎo)體生產(chǎn)一樣精確，但不需要具有精心排列的微觀結(jié)構(gòu)層的多個光刻步驟

以上應(yīng)用更建議使用準(zhǔn)直紫外光源曝光，可以將虹科紫外光源解決方案集成到需要紫外線泛光暴露應(yīng)用中，模塊化產(chǎn)品系列可讓您選擇所有組件以滿足您的曝光要求。

選擇虹科ALE/1 或 ALE/3 紫外 LED 光源，以滿足您對輸出功率、光譜成分和曝光穩(wěn)定性的偏好。虹科ALE/1 或 ALE/3是市場上性能最高的光纖耦合光源之一，占地面積小，易于集成。

曝光光源系統(tǒng)集成

標(biāo)準(zhǔn)和定制的高透射率液體LED光導(dǎo)可用于連接光源和曝光，可以自由選擇最適合的方法，幾乎可以將光源和曝光光學(xué)器件放置在設(shè)置設(shè)計包絡(luò)中的任何位置。所有解決方案均可定制，以完美貼合原有設(shè)備。

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光掩模檢測

完美的光罩或光掩模在光刻應(yīng)用中實現(xiàn)高產(chǎn)量至關(guān)重要。缺陷和污染會導(dǎo)致圖案放置錯誤，這些錯誤會在生產(chǎn)基板上重復(fù)復(fù)制。光罩檢測系統(tǒng)可幫助掩模車間鑒定其光掩模和晶圓廠，通過降低印刷有缺陷的晶圓和其他基材的風(fēng)險來保護(hù)其產(chǎn)量。

將虹科強大的LED技術(shù)集成到其用于大型光掩模的光罩檢測工具中，制造商依靠這些系統(tǒng)來評估進(jìn)料光罩質(zhì)量，并在生產(chǎn)過程中定期對標(biāo)線進(jìn)行重新認(rèn)證。虹科高性能紫外LED光源用于光罩檢測系統(tǒng)具有三大優(yōu)點：

虹科ALE/1和ALE/3紫外點光源非常靈活，搭配高透射率 LED 光導(dǎo)可讓您隨時隨地移動和定位機器中的光源。在一些現(xiàn)有的裝置中，這些光導(dǎo)長達(dá) 20 米。

領(lǐng)先的OLED FPD帶有更多的TFT晶體管以實現(xiàn)更好的分辨率，因此高端光掩模必須具有更小的特征尺寸。將輻射波長從可見光轉(zhuǎn)換為近紫外光，可增強設(shè)備檢測缺陷的能力。虹科高性能LED光源在350至450 nm的光譜范圍內(nèi)提供出色的性能。

虹科高性能LED光源具有出色的輸出穩(wěn)定性（短期和長期），可提高光罩檢測結(jié)果的準(zhǔn)確性和一致性