相對于外部負(fù)載，將半導(dǎo)體開關(guān)配置在上側(cè)電路（電源側(cè)）的叫作高邊驅(qū)動(dòng)，配置在下側(cè)電路（GND側(cè)）的叫作低邊驅(qū)動(dòng)。

【高邊驅(qū)動(dòng)/低邊驅(qū)動(dòng)】

高邊開關(guān)與低邊開關(guān)的區(qū)分使用

相對于外部負(fù)載，IPD有適用于上側(cè)電路的高邊開關(guān)和適用于下側(cè)電路的低邊開關(guān)，各種配置有各自適用的電路設(shè)計(jì)。
如下圖左側(cè)所示，對于電源電壓固定且配置了各種負(fù)載的電路，例如在汽車等電池固定電壓、車身GND接地的環(huán)境下，輸出容易發(fā)生短路，檢測異常狀態(tài)適合使用容易進(jìn)行接地檢測的高邊開關(guān)。
如下圖右側(cè)所示，負(fù)載配置在各種電源電壓下的電路則適合使用低邊開關(guān)。低邊開關(guān)是MOSFET的源極GND接地，通過向柵極施加輸入電壓動(dòng)作。其控制與單獨(dú)使用MOSFET相同，容易從單獨(dú)使用MOSFET進(jìn)行替換。

【高邊/低邊區(qū)分使用】