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同時實現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復(fù)時間和業(yè)界超低導(dǎo)通電阻，可進一步降低工業(yè)設(shè)備和白色家電的損耗

ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS產(chǎn)品陣容中又新增了“R60xxVNx系列”（含7款機型）。

此外，高速開關(guān)型600V耐壓Super Junction MOSFET產(chǎn)品陣容中也新增了導(dǎo)通電阻更低的“R60xxYNx系列”（含2款機型）。

PrestoMOSR60xxVNx系列的亮點

實現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復(fù)時間（trr），同時，與同等的普通產(chǎn)品相比，與trr存在此消彼長關(guān)系的導(dǎo)通電阻可降低多達(dá)20%

繼承了以往產(chǎn)品已經(jīng)實現(xiàn)^*2的105ns^*3業(yè)界超快反向恢復(fù)時間，與同等普通產(chǎn)品相比，開關(guān)時的功率損耗減少了約17%

基于這兩大特點，與同等的通用產(chǎn)品相比，可大大提高應(yīng)用產(chǎn)品的效率

非常適用于EV充電樁、服務(wù)器和基站等，需要大功率的工業(yè)設(shè)備的電源電路

產(chǎn)品更節(jié)能，也非常適用于變頻空調(diào)等白色家電的電機驅(qū)動

也可通過電商平臺購買，1枚起售

*1：截至2022年3月18日 ROHM調(diào)查數(shù)據(jù)

*2：此前發(fā)布的PrestoMOS已實現(xiàn)
*3：與TO-220FM同等封裝產(chǎn)品的比較

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PrestoMOSR60xxVNx系列的特點

在工業(yè)設(shè)備和白色家電領(lǐng)域，要求進一步提升產(chǎn)品效率，這也就對功率半導(dǎo)體提出了進一步降低功率損耗的強烈需求。PrestoMOS R60xxVNx系列是對以往的PrestoMOS改進后的Super Junction MOSFET，不僅保持了PrestoMOS的特點——超快反向恢復(fù)時間，還進一步降低了導(dǎo)通電阻。

保持業(yè)界超快反向恢復(fù)時間，同時實現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻

PrestoMOS R60xxVNx系列通過采用ROHM新工藝降低了單位面積的導(dǎo)通電阻。導(dǎo)通電阻和反向恢復(fù)時間之間存在此消彼長的權(quán)衡關(guān)系，該系列產(chǎn)品在保持以往PrestoMOS已實現(xiàn)的業(yè)界超快反向恢復(fù)時間的同時，還成功地將導(dǎo)通電阻降低多達(dá)20%（與TO-220FM同等封裝的同等普通產(chǎn)品比較）。導(dǎo)通電阻和反向恢復(fù)時間性能的比較結(jié)果如下圖所示。

實現(xiàn)業(yè)界超快的反向恢復(fù)時間，開關(guān)損耗更低

通常，當(dāng)工藝向更微細(xì)的方向發(fā)展時，“導(dǎo)通電阻”等基本性能會得到改善，但“反向恢復(fù)時間”特性會變差。PrestoMOS R60xxVNx系列不僅實現(xiàn)了比同等普通產(chǎn)品更低的導(dǎo)通電阻，還利用ROHM自有的高速技術(shù)保持住了以往PrestoMOS已實現(xiàn)的105ns業(yè)界超快反向恢復(fù)時間（與TO-220FM同等封裝產(chǎn)品比較）。超快反向恢復(fù)時間可減少功率損耗，與同等普通產(chǎn)品相比，開關(guān)時的功率損耗可降低約17%。

下圖是效率比較示例，在評估板上搭載追求高效率的同步整流升壓電路，比較R60xxVNx系列與普通產(chǎn)品（導(dǎo)通電阻60mΩ級產(chǎn)品）的效率。從比較結(jié)果可以看出，使用R60xxVNx系列可以獲得比普通產(chǎn)品更高的效率，這將非常有助于進一步降低應(yīng)用產(chǎn)品的功耗。

PrestoMOSR60xxVNx系列

和高速開關(guān)型R60xxYNx系列產(chǎn)品陣容

下表中列出了此次發(fā)布的PrestoMOS R60xxVNx系列的7款機型和開發(fā)中的產(chǎn)品。另外，后面還列出了新增兩款機型的高速開關(guān)型R60xxYNx系列的亮點和產(chǎn)品陣容。為了便于客戶根據(jù)應(yīng)用需求選用合適的產(chǎn)品，ROHM正在致力于打造更加豐富的產(chǎn)品陣容。

PrestoMOS R60xxVNx系列產(chǎn)品陣容

測試條件：導(dǎo)通電阻60mΩ級產(chǎn)品、環(huán)境溫度25℃、輸入電壓220V、輸出電壓400V、L=500μH、頻率70kHz、關(guān)斷時的VDS過沖條

輸出功率（W）

☆: 開發(fā)中
※封裝名稱采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。（）內(nèi)表示ROHM封裝名，〈〉內(nèi)表示GENERAL代碼。

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R6018VNX	R6024VNX
R6035VNX	R6024VNX3
R6035VNX3	R6055VNZ4
R6077VNZ4	點擊查看更多

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高速開關(guān)型R60xxYNx系列的亮點和產(chǎn)品陣容

漏極電流密度更高，導(dǎo)通電阻顯著降低

與以往產(chǎn)品相比，單位面積的導(dǎo)通電阻降低了40%，Ron×Qgd降低了30%

這些性能的提升將非常有助于提高電源效率

☆: 開發(fā)中
※封裝名稱采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。（）內(nèi)表示ROHM封裝名，<>內(nèi)表示GENERAL代碼。

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R6014YNX

R6020YNX

PrestoMOS R60xxVNx系列應(yīng)用示例

R60xxVNx系列適用于以下應(yīng)用領(lǐng)域：

電動汽車充電樁、服務(wù)器、基站、光伏逆變器（功率調(diào)節(jié)器）、不間斷電源（UPS）等

空調(diào)等白色家電

其他各種設(shè)備的電機驅(qū)動和電源電路等

相關(guān)信息

新聞發(fā)布：ROHM開發(fā)出600V耐壓Super Junction MOSFET “R60xxVNx系列”

產(chǎn)品介紹資料（PDF 3.2MB）

網(wǎng)售平臺（排名不分先后。點擊公司名稱即可跳轉(zhuǎn)至庫存一覽頁面）

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