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共軛MOF納米片中共生強(qiáng)化的雙金屬光催化作用!

鴻之微 ? 來(lái)源:材料科學(xué)與工程 ? 2023-07-18 17:16 ? 次閱讀
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節(jié)能、清潔、穩(wěn)定的光催化制氫是生產(chǎn)可再生氫氣資源的最有前途的途徑之一,在碳經(jīng)濟(jì)和能源技術(shù)中起著舉足輕重的作用。用于氫氣演化的高效光催化材料應(yīng)具備以下特點(diǎn):i) 有足夠的空間用于暴露催化位點(diǎn)和容納物質(zhì);ii) 有良好的導(dǎo)電性用于電子轉(zhuǎn)移;iii) 有催化活性位點(diǎn)用于接受電子和質(zhì)子;iv) 有適當(dāng)?shù)腍*的吉布斯自由能(ΔGH*)。

在這些方面,研究人員已經(jīng)注意到許多材料,如無(wú)機(jī)半導(dǎo)體、無(wú)金屬材料、共軛聚合物、共價(jià)有機(jī)框架、配位復(fù)合物等。與單金屬相比,雙金屬二維共軛金屬有機(jī)框架(2D c-MOF)納米片具有良好的金屬可調(diào)性和性能優(yōu)化的協(xié)同效應(yīng),但迄今為止很少在光催化氫氣進(jìn)化中得到發(fā)展。

來(lái)自廣東工業(yè)大學(xué)的學(xué)者提出了一種可行的第二金屬安裝(SMI)的合成策略,并應(yīng)用于構(gòu)建結(jié)晶的雙金屬二維c-MOF納米片:HTHATN-Ni-Pt-NS。HTHATN-Ni-Pt-NS表現(xiàn)出較高的導(dǎo)電性和高效的氫氣進(jìn)化率,在可見光照射下,氫氣進(jìn)化率為47.2 mmol g-1h-1,比沒(méi)有PtII裝飾的原始HTHATN-Ni-NS高出13.5倍。

實(shí)驗(yàn)和理論分析表明,低量PtII的引入提供了催化活性金屬位點(diǎn),優(yōu)化了NiII中心的ΔGH*值,從而導(dǎo)致質(zhì)子還原性能的提高。這項(xiàng)研究代表了MOF納米片中共生雙金屬中心的第一個(gè)例子,突出了SMI戰(zhàn)略作為構(gòu)建光催化劑的一種有效方法

d4769b3c-254a-11ee-962d-dac502259ad0.png ?

圖1.HTHATN-Ni的合成、結(jié)構(gòu)和表征.a) 合成方案。b) AA' 堆疊模型。c) 三個(gè)模擬模型的 PXRD 模式。d) 實(shí)驗(yàn)和 Pawley 引用了 PXRD 模式。e) N2吸附-解吸等溫線。f,h) HRTEM圖像。g) 放大HRTEM圖像與晶體結(jié)構(gòu)模型疊加

d550d432-254a-11ee-962d-dac502259ad0.png 圖2.HTHATN-Ni-Pt-NS表征 a-f)。(a) HR-TEM圖像,(b)放大圖像,以及(c)(a)的FFT。(d) HAADF-STEM和繪圖。(e) AFM圖像和高度分布。(f) Pt XPS頻譜的擬合。(g) 光催化反應(yīng)前后HTHATN-Ni-NS和HTHATN-Ni-Pt-NS的N 1s光譜XPS ? d6150b2c-254a-11ee-962d-dac502259ad0.png

圖3.a) Pt L3-edge 的 XANES 光譜和 b) HTHATN-Ni-Pt-NS、Pt箔、PtCl2、PtO2和 K2PtCl6的 K3加權(quán) FT-EXAFS 光譜。c) HTHATN-Ni-Pt-NS R 空間中的 FT-EXAFS 光譜和相應(yīng)的擬合曲線。d)不同溫度下的I-V曲線和e)HTHATNNi-Pt-NS的阿倫尼烏斯圖。f) HTHATN-Ni和HTHATN-Ni-Pt-NS的Tauc圖。

d64a2050-254a-11ee-962d-dac502259ad0.png

圖4 a) 顯示HTHATN-Ni和HTHATN-Ni-Pt-NS系統(tǒng)中電子轉(zhuǎn)移的能級(jí)示意圖 b) 不同催化條件下的氫氣生成 c) HTHATN-Ni-Pt-NS的循環(huán)性能

d6891be8-254a-11ee-962d-dac502259ad0.png

圖5.a) 制氫機(jī)理示意圖。b) 時(shí)間分辨 PL 衰減曲線。c) HTHATN-Ni-NS和HTHATN-Ni-Pt-NS的光電流響應(yīng)。d)HTHATN-Ni-NS和e)HTHATN-Ni-Pt-NS中鉑和鎳位點(diǎn)的H*幾何形狀。藍(lán)色、綠色、紫色、黃色和紅色的球分別代表 N、Cl、Pt、H、S 和 Ni 原子。(f) HTHATN-Ni-NS 的EIS 和 g) HTHATN-Ni-Pt-NS

總之,Pt裝飾的導(dǎo)電納米片HTHATNNi-Pt-NS是通過(guò)自組裝、剝離和PtIISMI三個(gè)連續(xù)步驟制備而成。π共軛Ni3(HTHATN)2網(wǎng)絡(luò)、多孔框架和良好的PtII和NiII位點(diǎn)賦予了HTHATN-Ni-Pt-NS良好的光誘導(dǎo)電子轉(zhuǎn)移的導(dǎo)電性和有效的光催化的暴露金屬位點(diǎn)。

催化性能的極大改善得益于共生效應(yīng),其中PtII位點(diǎn)作為催化位點(diǎn),激活NiII中心進(jìn)行質(zhì)子還原。有前途的SMI策略和雙金屬共生強(qiáng)化的發(fā)現(xiàn)為合理設(shè)計(jì)光催化劑開辟了一條新途徑。(文:SSC)





審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:文章轉(zhuǎn)載丨廣工大《AFM》:共軛MOF納米片中共生強(qiáng)化的雙金屬光催化作用!

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