繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后，2023年7月森國科正式對外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品，相較于傳統(tǒng)的功率MOSFET，SJMOSFET具有傳導損耗低、電流驅(qū)動能力大、柵極電荷低、開啟電壓低、出色的非鉗位感性開關(guān)能力、百分之百的雪崩能量擊穿測試等優(yōu)點，可滿足國內(nèi)電源客戶對高效率、節(jié)能環(huán)保、小型化、高性價比等方面的要求。

森國科SJMOS采用多次外延的工藝，結(jié)構(gòu)如下圖示，在8寸硅晶圓片生產(chǎn)制造。超結(jié)結(jié)構(gòu)MOSFET在D端和S端排列多個垂直pn結(jié)的結(jié)構(gòu)，其結(jié)果是在保持高電壓的同時實現(xiàn)了低導通電阻。超級結(jié)的存在大大突破了硅的理論極限，而且額定電壓越高，導通電阻的下降越明顯。

森國科SJMOS元胞結(jié)構(gòu)圖

目前，森國科推出的多款650V SJMOS產(chǎn)品，在高壓應用中優(yōu)勢較為突出，抗沖擊能力強，同時在電路應用中也表現(xiàn)以下幾大性能優(yōu)勢，可全面助力電腦、服務(wù)器電源、適配器、照明（HID燈，工業(yè)照明，道路照明等）、消費類電子產(chǎn)品（液晶電視，等離子電視等）等行業(yè)客戶實現(xiàn)更優(yōu)質(zhì)的電源產(chǎn)品設(shè)計。

高耐壓 低損耗

得益于特殊的芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)，使得超結(jié)MOS具有極低的內(nèi)阻，在相同的芯片面積下，超結(jié)MOS芯片的內(nèi)阻甚至只有傳統(tǒng)MOS的一半以上。較低的內(nèi)阻，能降低損耗，減少發(fā)熱。特別在對溫度要求高的應用上，使用超結(jié)替代傳統(tǒng)MOS可以降低產(chǎn)品外殼溫度，顯著提升器件的易用性和效率。

較低的結(jié)電容

由于芯片結(jié)構(gòu)的改變，超結(jié)MOS的結(jié)電容比傳統(tǒng)MOS有很大的降低，超結(jié)MOS結(jié)電容的減小，可以有效的降低電源電路開關(guān)損耗，提高整個電源系統(tǒng)的效率。

穩(wěn)定性強

強大的 EAS 能力可以為電源抗沖擊提供有效的保證，芯片的內(nèi)部缺陷遠小于低成本的溝槽工藝產(chǎn)品，其高溫穩(wěn)定性大大提高。堅固的 SOA 和浪涌電流能力，適用于固態(tài)繼電器和有源整流橋應用。

應用場景豐富

體二極管為快恢復二極管（降低 Qrr），在同等電壓和電流要求下，SJ MOS的芯片面積可以實現(xiàn)更小的封裝，因而應用場景豐富。常見的應用電路包括：

20~80mΩ（OBC應用）

20~90mΩ（Residential Solar 住宅太陽能、儲能、Auto DC/DC）

40~180mΩ（服務(wù)器電源）

60~100mΩ（光伏逆變器）

100~360mΩ（Computingpowe）

190~600mΩ（消費類電子產(chǎn)品包括液晶電視、等離子電視等）

280~1200mΩ（LED光電照明）

360~1200mΩ（適配器和充電器）

森國科深耕集成電路領(lǐng)域多年，目前已與國內(nèi)外多家著名的FAB廠達成緊密的合作關(guān)系。秉承著“做最合適的功率器件”的理念，致力于打造性能優(yōu)越、尺寸體積可控的功率器件全系列產(chǎn)品，助力來自O(shè)BC、工業(yè)電源、數(shù)據(jù)電源、儲能逆變器、變頻驅(qū)動、快充頭、適配器等多個領(lǐng)域的客戶實現(xiàn)高耐壓、耐高溫、耐高頻、低功耗、低成本的應用需求，持續(xù)賦能低碳發(fā)展。

有關(guān)超結(jié)MOS的詳細性能指標請登錄公司網(wǎng)站，下載對應的產(chǎn)品規(guī)格書。

名詞釋義

1．體二極管：Body diode，直譯過來就是體二極管，或者叫寄生二極管。體二極管是MOS管工藝上的副產(chǎn)品，大多數(shù)時候能當普通二極管來用（比如驅(qū)動感性負載時做續(xù)流用），有時候設(shè)計中需要屏蔽它，因為它會讓S到D的電流通過，MOS就無法關(guān)斷了。

關(guān)于森國科

深圳市森國科科技股份有限公司是一家專業(yè)從事功率器件、模塊，功率IC的高新科技企業(yè)。功率器件主要包括碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT和超結(jié)MOS，功率芯片主要包括功率器件驅(qū)動芯片、無刷電機驅(qū)動芯片兩大類。公司總部在深圳市南山區(qū)，在深圳、成都、蘇州設(shè)有研發(fā)及運營中心。公司研發(fā)人員占比超過70%，研究生以上學歷占比50%，來自聯(lián)發(fā)科、海思、比亞迪微電子、羅姆、華潤上華等機構(gòu)，囊括清華大學、電子科技大學、西安電子科技大學、西北工業(yè)大學等微電子專業(yè)知名院校。

森國科碳化硅產(chǎn)品線為650V和1200V 碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、SiC二極管模塊、SiC MOSFET 模塊，該產(chǎn)品系列廣泛應用于新能源汽車、光伏逆變器、充電樁電源模塊、礦機電源、通信設(shè)備電源、5G微基站電源、服務(wù)器電源、工業(yè)電源、快充電源、軌道交通電源等。森國科碳化硅產(chǎn)品采用6寸車規(guī)級晶圓，具有高耐溫，高頻，高效，高壓特性，已穩(wěn)步進入國內(nèi)汽車三電、主流大功率電源、光風儲逆變器、充電樁電源模塊等上市公司供應鏈。

森國科功率IC采用先進的高壓特色工藝，包括功率管及模塊的驅(qū)動、BLDC及FOC電機的驅(qū)動。經(jīng)過5年的發(fā)展，該產(chǎn)品線的團隊在BCD工藝，UHV工藝、數(shù)?；旌?、電機驅(qū)動算法方面有深厚的積累。功率器件驅(qū)動芯片，已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)中低壓系列，即將推出高壓系列。在電機驅(qū)動芯片方面，已經(jīng)推出單相BLDC散熱風扇電機系列，即將推出三相BLDC電機驅(qū)動系列。

森國科在中金資本、北汽產(chǎn)投、藍思科技、凌霄股份、中科海創(chuàng)等股東的助力下，以低成本創(chuàng)新為己任，努力為客戶提供高性價比的綠色“芯”動力，成為全球領(lǐng)先的功率半導體公司！