三星3nm GAA商業(yè)量產(chǎn)已經(jīng)開始。

半導(dǎo)體行業(yè)研究公司TechInsights表示，發(fā)現(xiàn)三星的 3nm GAA（環(huán)柵）工藝已被納入中國制造商比特微的加密礦機 ASIC（Whatsminer M56S++）中。

TechInsights在獨家提供給DIGITIMES Asia的顛覆性技術(shù)活動簡報中指出，這一發(fā)展的意義在于GAA技術(shù)的商業(yè)化利用，有助于將晶體管微縮至2nm及以上。TechInsights 表示：“這一發(fā)展至關(guān)重要，因為它有潛力增強性能、提高能源效率、遵循摩爾定律并實現(xiàn)先進應(yīng)用?！彼J(rèn)為比特微 ASIC 芯片是業(yè)界首款采用 GAA 技術(shù)的商業(yè)化產(chǎn)品。

這也表明三星是比特微的代工廠，采用 3nm GAA 工藝。DIGITIMES Research半導(dǎo)體分析師Eric Chen指出，三星確實已經(jīng)開始生產(chǎn)采用3nm GAA工藝的芯片，但產(chǎn)能仍然較小?！皬某鲐浿蝎@得收入可以被定義為‘商業(yè)化’，但就架構(gòu)而言，ASIC 是一種生產(chǎn)相對簡單的芯片?！?/p>

DIGITIMES分析師John Wang強調(diào)，三星3nm GAA工藝的良率仍然較低，因此它將嘗試獲得盡可能多的客戶來幫助訓(xùn)練其工藝并提高良率。他們?yōu)槭裁磿c中國客戶做生意是可以理解的。

分析師表示，3納米工藝被證明可制造的事實并不一定意味著它已經(jīng)取得了令人滿意的良率，可以為代工廠產(chǎn)生商業(yè)價值。

三星聲稱，與 5nm 技術(shù)相比，其第一代 3nm 工藝可降低 45% 的功耗，提高 23% 的性能，并減少 16% 的芯片面積，有望為下一代帶來更多進步。

來源：TechInsight；Whatsminer M56S++芯片照片（背面多晶硅圖像

消息稱三星將為特斯拉供應(yīng)下一代汽車自動駕駛芯片

據(jù)韓媒《韓國經(jīng)濟》援引半導(dǎo)體業(yè)界消息，繼今年 5 月三星電子會長李在镕與特斯拉 CEO 馬斯克會面后，雙方合作關(guān)系得到進一步加強。當(dāng)前最新的消息稱，特斯拉“已決定”委托三星電子代工量產(chǎn)供 HW 5.0 使用的芯片。

HW 5.0 是特斯拉重點研發(fā)的下一代自動駕駛硬件，預(yù)計將在兩年左右應(yīng)用于特斯拉的高端車型（或 L5 級別自動駕駛汽車）。在去年 HW 5.0 開發(fā)的早期階段，特斯拉曾選擇臺積電作為唯一的代工合作伙伴。

然而，這種情況在過去兩三個月發(fā)生了變化。三星將其 4nm 等尖端工藝的良品率提高到 70%，與臺積電的水平相近。

多名熟悉三星、臺積電的人士透露稱，“特斯拉已經(jīng)決定接受李在镕的提議”，且“正在醞釀選擇三星和臺積電作為多家供應(yīng)商，或者 100% 外包給三星 ”，因為李在镕“為特斯拉提供了定制化的技術(shù)、相對有吸引力的價格”。

今年 5 月，李在镕于三星北美半導(dǎo)體研究中心會見了馬斯克，雙方討論了未來尖端產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的合作方案。今年 4 月，三星了贏得全球自動駕駛芯片制造商 Mobileye（英特爾專門從事自動駕駛技術(shù)的子公司）的尖端芯片訂單，為 Mobileye 生產(chǎn)高級駕駛輔助系統(tǒng)芯片“EyeQ”系列產(chǎn)品。

三星4納米制程良率與臺積電

媒體報道，一名分析師表示，三星電子已提高4納米芯片制程的良率，達到可與臺積電相比擬的水準(zhǔn)，增添贏回?zé)o晶圓廠芯片客戶的可能性。

韓國經(jīng)濟日報報道，HI投資證券半導(dǎo)體分析師樸相昱在11日的研究報告指出，三星電子的4納米芯片制程生產(chǎn)良率已提高到75%，更先進的3納米制程良率則改善到60%。今年初時，產(chǎn)業(yè)人士預(yù)估三星電子的4納米制程良率約為50%。

若3納米和4納米等先進制程技術(shù)良率超過60%，意味著使用這些制程的芯片生產(chǎn)達到穩(wěn)定水準(zhǔn)。樸相昱說，三星電子能提高制造良率的原因之一，也是芯片業(yè)景氣趨緩，“隨著整體產(chǎn)業(yè)放緩，晶圓廠的產(chǎn)能利用率降低，三星投入更多測試晶圓于改善良率”。

他說：“三星10納米以下的良率改善已放緩，致使三星不斷延后推出產(chǎn)品，而良率是蘋果、英偉達及高通等關(guān)鍵晶圓代工客戶轉(zhuǎn)向臺積電的關(guān)鍵”，臺積電和三星電子去年的資本支出差距因而拉大到3.4倍，產(chǎn)能差距也擴大到3.3倍，“在7納米技術(shù)以下的制程節(jié)點，臺積電去年的市占率接近90%，讓三星更難趕上”。

樸相昱認(rèn)為，現(xiàn)在三星電子在先進制程節(jié)點的晶圓代工良率已幾乎和臺積電比肩，提高了贏回高通和英偉達等客戶的機率，誘因包括采用環(huán)繞閘極（GAA）電晶體架構(gòu)的3~5納米制程良率改善，以及芯片業(yè)希望降低對臺積電的依賴、增加供應(yīng)來源。

其他分析師也表示，三星電子的3納米制程良率改善后，在更先進2納米制程與臺積電相競爭的本錢也更雄厚。三星電子和臺積電都已承諾要在2025年用2納米制程量產(chǎn)先進芯片。

三星電子晶圓代工事業(yè)主管崔世英6月底表示，2025年將以2納米制程量產(chǎn)行動芯片，2026年應(yīng)用于超級電腦和電腦叢集的高效運算（HPC），2027年再應(yīng)用于車用芯片，同時計劃2027年前開始量產(chǎn)1.4納米芯片。

審核編輯：劉清