7月20日，由江蘇省工業(yè)和信息化廳、南京江北新區(qū)管理委員會主辦，江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、南京江北新區(qū)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)研園、南京浦口經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)、賽迪顧問股份有限公司、南京潤展國際展覽有限公司承辦的“2023世界半導(dǎo)體大會暨南京國際半導(dǎo)體博覽會”在南京盛大開幕，矽朋微電子受邀參與本次大會，并憑借突出的技術(shù)創(chuàng)新實(shí)力、先進(jìn)的人才培養(yǎng)理念榮獲獎(jiǎng)項(xiàng)。

本次大會以“芯紐帶、新未來”為主題，針對核心技術(shù)和未來趨勢等行業(yè)焦點(diǎn)，聚焦半導(dǎo)體行業(yè)新市場、新產(chǎn)品、新技術(shù)，致力于打造高水平的“半導(dǎo)體專用”交流平臺、優(yōu)秀技術(shù)產(chǎn)品展示推廣平臺實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)分享平臺和供需對接平臺，從多方面助力我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展。

榮獲中國半導(dǎo)體市場最佳產(chǎn)品

大會舉辦了2022年度集成電路優(yōu)秀產(chǎn)品頒獎(jiǎng)典禮，上海矽朋微電子有限公司榮獲“2022-2023年度中國半導(dǎo)體市場最佳產(chǎn)品（新型非易失磁性存儲器）獎(jiǎng)”。

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傳統(tǒng)的存儲技術(shù)，如 SRAM、DRAM、Flash 等在現(xiàn)代電子行業(yè)的確取得了顯著的成就，但是隨著半導(dǎo)體制造工藝接近 20nm 水平，這些傳統(tǒng)技術(shù)的缺陷就越來越明顯。

新型非易失磁性存儲器MRAM由一只MOS管、一只磁隧道結(jié)MTJ和若干連接線組成，制造工藝完全與目前集成電路工藝兼容，結(jié)構(gòu)簡單和制備工藝費(fèi)用小且工藝可擴(kuò)展性強(qiáng)，基于14nm的MRAM工藝已經(jīng)量產(chǎn)。

MRAM具有非易失性、極高擦寫次數(shù)（1E9~1E14）、容量大等特點(diǎn)，而且讀寫信息的損耗小、功耗低、速度快（20ns）。

在用作緩存上，MRAM 由于具有很高的可寫次數(shù)、對軟錯(cuò)誤的自然免疫力、無備用電源、高的集成密度、非易失性等特點(diǎn)，成為片上緩存系統(tǒng)的最佳候選者之一。MRAM 緩存有更低的動(dòng)態(tài)能量消耗，相比同等容量的 SRAM 緩存，有著更短的信息讀取延遲。

MRAM 極高的抗輻射性能，可以應(yīng)用在抗惡劣環(huán)境下高性能計(jì)算機(jī)或控制系統(tǒng)、數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)。

矽朋微目前已量產(chǎn)和規(guī)劃量產(chǎn)的MRAM容量包含256Kb、2Mb、4Mb、16Mb、64Mb、256Mb。