電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）近日，利亞德、京東方、TCL、海信、艾比森、聯(lián)建光電等近二十家企業(yè)攜手，共同起草了《Micro LED顯示屏通用技術(shù)規(guī)范——中大尺寸顯示屏》團體標準（以下簡稱“標準”）。值得注意的是，這是全球第一個針對Micro LED發(fā)布的行業(yè)標準。

此前，有設(shè)備廠商曾向電子發(fā)燒友網(wǎng)記者表示，現(xiàn)階段Micro LED的發(fā)展缺乏行業(yè)規(guī)范，很多客戶的需求描述為Micro LED，實際上是Mini LED，兩者之間在器件精度方面有明顯的差別，價格也差別較大。并且，還有一些企業(yè)將Micro LED和Mini LED統(tǒng)稱為小間距LED產(chǎn)品，這時候也需要做進一步的溝通才能確定具體的設(shè)備需求。

Micro LED尺寸明確為1-100μm

Micro LED的英文全名是Micro Light Emitting Diode，中文稱作微發(fā)光二極體，也可以寫作μLED。Micro LED的實現(xiàn)是在一個芯片上集成的高密度微小尺寸的LED陣列，這便對LED器件尺寸提出了要求。

過往，對于Micro LED使用的LED芯片有三種尺寸定義，分別是50μm、60μm、100μm，不同的廠商會選擇不同的標準來定義自家的產(chǎn)品。標準規(guī)定，Micro LED芯片尺寸要求長寬任意一邊小于100μm。

從這方面來看，標準希望將Micro LED的準入門檻盡可能地降低，以推動產(chǎn)業(yè)更快地向Micro LED時代邁進。P0.1（也就是100μm）這一特征分界點的明確，設(shè)備和LED芯片廠商將會有明確的目標。

Micro LED應為倒裝芯片、無焊接工藝

標準還要求，Micro LED芯片應為倒裝芯片，應采用無焊線工藝。

下圖是市場調(diào)研機構(gòu)TrendForce在解讀Micro LED工藝是給出的示意圖?？梢钥闯觯琈icro LED和傳統(tǒng)的LCD、OLED，在工藝上有著明顯的差異，僅包括基板、電極、RGB子像素和防眩暈保護膜四部分組成。

圖源：TrendForce

從技術(shù)實現(xiàn)上看，Micro LED是將LED結(jié)構(gòu)設(shè)計進行薄膜化、微小化、陣列化，然后將Micro LED批量式轉(zhuǎn)移至電路基板上，其基板可為硬性、軟性之透明、不透明基板上，最后是通過沉淀工藝加上電極和保護膜。

當然，在技術(shù)實現(xiàn)上，Micro LED的工藝之爭比尺寸之爭更加激烈。這些工藝可以具體分化為晶圓形成、模版、蝕刻、模版去除、鍵合、組裝和測試。

和照明LED不同，Micro LED芯片在2A/cm2 以下工作區(qū)間里，主要是減少非輻射復合提升材料的質(zhì)量。這就導致，隨著LED芯片尺寸的縮小，芯片會向著大電流方向移動，且是右移。那么，為了克服這種工藝挑戰(zhàn)，業(yè)界此前提出了兩種芯片工藝，一個是垂直結(jié)構(gòu)，一個是倒裝結(jié)構(gòu)。

我們先看垂直結(jié)構(gòu)，Micro LED垂直結(jié)構(gòu)是指兩個電極在LED結(jié)構(gòu)的異側(cè)，以圖形化電極和p型GaN作為第二電極，使得電流全部垂直流過外延層。垂直結(jié)構(gòu)有兩個比較知名的工藝——高效垂直InGaN Micro LED和垂直結(jié)構(gòu)Micro LED在玻璃基板上的晶圓級集成，實現(xiàn)了10μm以下的LED芯片陣列，并大幅提高了光效。從工藝難度來說，垂直結(jié)構(gòu)對于LED芯片制造的要求更低，容易實現(xiàn)小尺寸LED芯片，但是對于剝離和轉(zhuǎn)移LED要求更高。從LED芯片制備之后，垂直結(jié)構(gòu)幾乎就沒有啥優(yōu)勢了，尤其是在LED陣列轉(zhuǎn)移之后，垂直結(jié)構(gòu)Micro LED并不是只需要鍵合就完成連接，還需要額外的工藝實現(xiàn)電性連接。

倒裝結(jié)構(gòu)Micro LED對于LED芯片制備有更高的要求，隨著LED芯片尺寸的縮小，倒裝結(jié)構(gòu)需要更復雜的設(shè)備。不過，倒裝結(jié)構(gòu)Micro LED和目前主流的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)更加貼合，能夠一次性實現(xiàn)大批量的LED芯片轉(zhuǎn)移，有著更高的產(chǎn)品一致性保證。并且，由于是倒裝結(jié)構(gòu)，LED芯片轉(zhuǎn)移到基板之后，通過鍵合的方式一次性就完成了轉(zhuǎn)移和電性連接。

當然，目前巨量轉(zhuǎn)移的量產(chǎn)設(shè)備還是比較少見的，相關(guān)設(shè)備需要滿足工藝、精度、良率、轉(zhuǎn)移速率、成本等綜合性能指標，由于LED芯片數(shù)量巨大，即便是3個9（99.9%）的良率也會帶來比較高昂的成本。

另外，標準第一次明確Micro LED顯示屏針對中大尺寸產(chǎn)品在分類、技術(shù)要求、質(zhì)量檢驗規(guī)范、檢驗規(guī)則、標志、包裝、運輸、貯存中的要求，為Micro LED產(chǎn)品的研發(fā)、制造、生產(chǎn)、銷售提供了標準依據(jù)。

小結(jié)

根據(jù)glorbene wswire的報告，2028年全球Micro LED顯示器市場將達到約8億美元，2023年至2028年復合市場將增長70.4%。很明顯，作為下一代顯示技術(shù)，Micro LED仍然處于早期階段。相信隨著標準的發(fā)布，行業(yè)的發(fā)力方向?qū)⒏右恢聟f(xié)同，后續(xù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展速度將提高到更高的水平。