三星計劃采用12納米技術(shù)，提升內(nèi)存模組容量
日前有信息稱，三星將采用 12納米 (nm) 級工藝技術(shù)，生產(chǎn)ERP開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，而這樣就可以在相同封裝尺寸下，容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍。
三星方面表示：在三星最新推出的 12納米級 32Gb內(nèi)存的基礎(chǔ)上，三星可以研發(fā)出實現(xiàn) 1TB內(nèi)存模組的解決方案，這有助于滿足人工智能和大數(shù)據(jù)時代對于大容量DRAM內(nèi)存日益增長的需求。
通過使用最新開發(fā)的 32Gb內(nèi)存顆粒，即使不使用硅通孔 (TSV)工藝也能夠生產(chǎn) 128GB內(nèi)存模組。與使用 16Gb 內(nèi)存封裝的 128GB內(nèi)存模組相比，其功耗降低了約10%。這一技術(shù)突破使該產(chǎn)品成為數(shù)據(jù)中心等關(guān)注能效的企業(yè)的優(yōu)選解決方案。
審核編輯：湯梓紅
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