氮化鎵芯片是目前世界上速度最快的電源開(kāi)關(guān)器件之一。氮化鎵本身就是第三代材料，很多特性都強(qiáng)于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體。

與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體相比，氮化鎵具有更好的擊穿能力、更高的密度和電子遷移率以及更高的工作溫度?？梢詭?lái)低損耗和高開(kāi)關(guān)頻率：低損耗可以減少導(dǎo)通電阻引起的熱量，高開(kāi)關(guān)頻率可以減小變壓器的體積并有助于減小充電器的體積和重量。同時(shí)，GaN具有更小的Qg，可以很容易地提高頻率，降低驅(qū)動(dòng)損耗。

Keep Tops氮化鎵(GaN)提供更小、更輕、更高效的臺(tái)式AC-DC電源。氮化鎵是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料。電源中使用時(shí)，GaN提供了比傳統(tǒng)硅更高的效率、更小的尺寸和更輕的重量。傳統(tǒng)硅的損耗有兩種，導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。功率晶體管是開(kāi)關(guān)電源功率損耗的主要原因。為了阻止這些損失，GaN晶體管(取代舊的硅技術(shù))的發(fā)展已經(jīng)引起了工業(yè)界的注意。

氮化鎵未來(lái)會(huì)取代硅芯片嗎?

與硅芯片相比

1、氮化鎵芯片的功耗是硅基芯片的四分之一

2、尺寸是硅片的四分之一

3、重量是硅基芯片的四分之一

4、而且比硅基解決方案更便宜

然而，雖然GaN似乎是一個(gè)更好的選擇，但在一段時(shí)間內(nèi)它不會(huì)在所有應(yīng)用中取代硅。

原因如下：

1、第一個(gè)要克服的障礙是GaN晶體管的耗盡特性。有源電源和邏輯電路需要常導(dǎo)通和常關(guān)斷類(lèi)型的晶體管。雖然可以制造出常關(guān)型GaN晶體管，但它們要么依賴(lài)于典型的硅材料，要么需要特殊的附加層，這使得它們很難縮小。無(wú)法生產(chǎn)出與目前硅晶體管同等規(guī)模的GaN晶體管也意味著它們?cè)?a target="_blank">微控制器和其他微控制器中的應(yīng)用是不實(shí)際的。

2、GaN晶體管的第二個(gè)問(wèn)題是，唯一已知的制作增強(qiáng)型GaN晶體管的方法，是使用一個(gè)額外的AlGaN層使用專(zhuān)利方法。這意味著任何涉及這種晶體管類(lèi)型的創(chuàng)新都將依賴(lài)于Paonic，直到其他方法被研究為止。

GaN器件的研究早在本世紀(jì)初就已經(jīng)開(kāi)始，但GaN晶體管仍處于起步階段。毫無(wú)疑問(wèn)，它們將在未來(lái)十年內(nèi)取代功率應(yīng)用中的硅晶體管，但它們?cè)跀?shù)據(jù)處理應(yīng)用中的應(yīng)用還很遙遠(yuǎn)。

Keep Tops的氮化鎵有什么好處

Keep Tops氮化鎵的降低了產(chǎn)品成本。采用GaN的充電器具有元器件數(shù)量少、易于調(diào)試、可高頻工作以實(shí)現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率等優(yōu)點(diǎn)，可以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，降低GaN快充的開(kāi)發(fā)難度，有助于實(shí)現(xiàn)小體積、高效率的氮化物鎵快充設(shè)計(jì)。GaN具有多種內(nèi)置功能，可大大降低產(chǎn)品的設(shè)計(jì)復(fù)雜度和減少冗余器件的使用，在提高空間利用率和降低生產(chǎn)難度的同時(shí)，還有助于降低成本和加快出貨速度。

審核編輯：湯梓紅