1、啟動Candence

在命令行輸入“icfb”，運(yùn)行Cadence Spectre，彈出CIW對話框。

2、新建一個(gè)設(shè)計(jì)庫

建立設(shè)計(jì)庫：執(zhí)行菜單欄如下：

綁定工藝庫

3、新建一個(gè)Cellview

4、從工藝庫中創(chuàng)建一個(gè)NMOS晶體管和PMOS管

單擊或者”i”鍵，從工藝庫中調(diào)出“simc18mmrf”中調(diào)出NMOS晶體管n33，分配長寬比50u/5u，指數(shù)為5.

Shift+F

5、擺放好NMOS管和PMOS管

6、進(jìn)行NMOS晶體管柵極的連接

由于要對漏極進(jìn)行連接，且NMOS的柵極較短，而多晶硅的電阻較大，需要將柵極的多晶硅適當(dāng)延長留出漏極的布線通道，并設(shè)置多晶硅到一個(gè)金屬的接觸孔，通過一層金屬進(jìn)行連接。首先在LSW層選擇欄中選擇“GT”層，然后按“r”鍵，為柵極添加矩形r鍵，為柵極添加矩形。

7、建立多晶硅到金屬一層的通孔

按“o”鍵，彈出“Create Contact”對話框。在“Contact type”欄中選擇“M1_GT”，表示選擇多晶硅到一層的通孔；在“Conlumns”欄中輸入“4”，表示橫向通孔數(shù)目為4。

單擊“Hide按鈕，移動光標(biāo)，將通孔放置在多晶硅柵上”

*8、為每一個(gè)多晶硅柵分配延長線和通孔

單擊鼠標(biāo)左鍵，選中延長的多晶硅和通孔，按“c”鍵進(jìn)行復(fù)制，為每個(gè)叉指的多晶硅分配延遲長線和通孔，完成后如下圖所示，完成后如下圖所示。注意，這里延長的多晶硅原始的柵嚴(yán)絲合縫地對其，否則會造成DRC錯(cuò)誤。

9、為PMOS管也分配延長的多晶硅柵和通孔

重復(fù)步驟（6）到步驟（8），為PMOS柵分配延長的多晶硅和通孔。之后在LCW層選擇一層金屬，按“r”鍵，繪制一個(gè)矩形，將PMOS和NMOS的柵極連接，如下圖所示

10、將柵極連接到一起

再次在LWS層選擇一層金屬，按“r”鍵，繪制矩形連線，將NMOS和PMOS的漏極進(jìn)行連接

11、將NMOS的源極和PMOS的源極拉出

同樣使用一層金屬分別將NMOS的源極和PMOS的源極拉出來，準(zhǔn)備與沉淀連接至地和電源，其中NMOS源極拉出的浸塑線如圖所示：

12、將PMOS管和NMOS管復(fù)制2次

按住ctrl+A鍵，選中繪圖的所有圖形，再按“c”鍵復(fù)制兩次，完成3個(gè)反相器主體版圖的布置，之后再按照”r”鍵，

選擇一層金屬將第一級反相器輸出和第二級反相器輸入相連，第二級反相器輸出和第三級反相器輸入相連。

13、襯底與電源（地）的連接

首先進(jìn)行NMOS襯底與地的連接，按“o”鍵，彈出“create Contact”對話框，在“Contact type”欄中選擇“MI_SP”（表示選擇P襯底到一層金屬的通孔），在“Rows”欄中輸入2，在”Columns“欄中輸入340（表示縱向通孔數(shù)為2，橫向通孔數(shù)目為340，橫向長度以覆蓋全部NMOS為準(zhǔn)）。單擊“hide”，移動光標(biāo)將P襯底與NMOS源極相連。

在NMOS兩側(cè)也添加P襯底作為隔離環(huán)。重復(fù)上述操作

14、將PMOS管的P襯底包括在N阱中

PMOS應(yīng)該放置在N阱中，在LSW中選擇“NW”層，再按“r”鍵，繪制矩形將N襯底和P襯底均包括在N阱中，如同所示：

15、在反相器鏈路的外圍添加電源環(huán)和地環(huán)

最后還需要在反相器鏈路的外圍添加電源環(huán)和地環(huán)，這樣就容易與I/O單元進(jìn)行相連，具體連接將在后面介紹，這里先進(jìn)行電源環(huán)和地環(huán)設(shè)計(jì)。在LSW窗口中選擇一層金屬，按“r”鍵，繪制矩形（矩形寬度以電流密度為準(zhǔn)，這里設(shè)置為5u寬帶）。之后將N襯底和P襯底分別與電源和地相連。

16、連線后對線路進(jìn)行標(biāo)志

對電路版圖完成連線后，需要對電路的I/O進(jìn)行標(biāo)注。光標(biāo)在LSW窗口層中，單擊MI_TST/dG，然后在版圖設(shè)計(jì)區(qū)域單擊圖標(biāo)或者按快捷鍵“l(fā)”，如圖所示。在相應(yīng)的版圖層上單擊即可。

17、繼續(xù)對其他線路進(jìn)行標(biāo)志

繼續(xù)完成“gnd”“A”和”Z”的標(biāo)志，全部標(biāo)志完成后，按快捷鍵“F2”保存版圖。