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寬禁帶半導(dǎo)體是指具有寬禁帶能隙的半導(dǎo)體材料，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，由于其能夠承受高電壓、高溫和高功率密度等特性，因此具有廣泛應(yīng)用前景。根據(jù)市場調(diào)研機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)，寬禁帶半導(dǎo)體市場的全球規(guī)模預(yù)計(jì)將從 2020 年的 27.6 億美元增長到 2027 年的 86. 5億美元，年復(fù)合增長率達(dá)到 17.5%。其中，碳化硅（SiC）半導(dǎo)體市場規(guī)模較大，占據(jù)了市場份額的大部分。預(yù)計(jì)未來幾年，隨著新能源汽車的普及和5G基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的加速推進(jìn)，寬禁帶半導(dǎo)體市場將持續(xù)保持高速增長。

由深圳市電子商會和 Bodo’s 功率系統(tǒng)雜志主辦的Bodo’s 寬禁帶半導(dǎo)體論壇將于今年10月12日在深圳國際會展中心(寶安新館) 3號館 3H88 會議區(qū)線下舉辦，分享寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展和最新成就。安森美(onsemi)電源方案部產(chǎn)品經(jīng)理Jerry也將在現(xiàn)場為大家概述安森美的EV充電設(shè)計(jì)生態(tài)系統(tǒng)和應(yīng)用于充電樁的智能電源產(chǎn)品和方案，包括碳化硅(SiC)、電源模塊和門極驅(qū)動器等，以及參考設(shè)計(jì)和支持工具，助您簡化設(shè)計(jì)，最大化能效以及減小尺寸。

演講主題

碳化硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)下一代直流快速充電樁的發(fā)展

時間地點(diǎn)

2023年10月12日 15:00 - 15:30

深圳國際會展中心(寶安新館) 3號館 3H88 會議區(qū)

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免費(fèi)預(yù)約座席

歡迎注冊參加。所有提前注冊的與會者將享受如下禮遇：

免費(fèi)參會
礦泉水以及會議資料袋
參會當(dāng)天午餐券
現(xiàn)場抽獎

本次論壇同時提供在線直播，如無法線下參與，論壇主辦方也將于10月10日通過郵件向提前注冊的參會人發(fā)送在線直播地址。

點(diǎn)個星標(biāo)，茫茫人海也能一眼看到我

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原文標(biāo)題：共創(chuàng)寬禁帶半導(dǎo)體未來，看碳化硅技術(shù)如何推動下一代直流快充樁發(fā)展

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