12月4日，2025行家說三代半年會——碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇在深圳隆重舉辦。江蘇宏微科技股份有限公司CTO、上海宏微愛賽半導體有限公司總經(jīng)理崔崧應(yīng)邀出席，與行業(yè)精英齊聚一堂，共話寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展新機遇。

論壇期間，崔崧發(fā)表了《氮化鎵器件賦能人形機器人關(guān)節(jié)電機發(fā)展》的主題報告，憑借深厚的技術(shù)積淀和對行業(yè)趨勢的敏銳洞察，向現(xiàn)場嘉賓分享了GaN（氮化鎵）技術(shù)在人形機器人應(yīng)用中的獨特優(yōu)勢及最新進展，引發(fā)了廣泛關(guān)注與熱烈討論。

GaN器件：人形機器人關(guān)節(jié)電機的性能“加速器”

人形機器人的關(guān)節(jié)電機對器件的高頻、高效和高功率密度要求極為嚴苛。而GaN器件憑借自身卓越的材料特性，正成為突破關(guān)節(jié)電機性能瓶頸的關(guān)鍵技術(shù)。

在高頻特性方面，GaN器件的開關(guān)速度遠高于傳統(tǒng)硅基器件，能夠顯著提升關(guān)節(jié)電機的響應(yīng)速度，讓機器人動作更敏捷、精準，更好地適應(yīng)復雜場景下的靈活運動需求。高效特性則意味著GaN器件在能量轉(zhuǎn)換過程中損耗更低，可有效提高關(guān)節(jié)電機的能效，延長機器人的續(xù)航時間，這對于依賴電池供電的人形機器人而言至關(guān)重要。此外，高功率密度使GaN器件在更小的體積內(nèi)實現(xiàn)更高的功率輸出，有助于關(guān)節(jié)電機的小型化、輕量化設(shè)計，進一步優(yōu)化人形機器人的整體結(jié)構(gòu)與運動性能。

宏微愛賽：積極布局，助力下一代機器人發(fā)展

面對人形機器人產(chǎn)業(yè)的廣闊前景，宏微愛賽已率先行動。作為宏微科技布局第三代半導體的重要載體，宏微愛賽自成立以來專注于GaN芯片設(shè)計及器件開發(fā)與應(yīng)用 。目前，公司正針對人形機器人關(guān)節(jié)電機的特殊需求，積極開發(fā)高性能GaN器件。憑借在功率半導體領(lǐng)域多年的技術(shù)積累和研發(fā)實力，宏微愛賽致力于打造更貼合應(yīng)用場景、性能更卓越的GaN解決方案，為下一代高性能人形機器人的發(fā)展注入強勁動力。

未來，宏微科技將持續(xù)深耕GaN等寬禁帶半導體技術(shù)，緊跟行業(yè)發(fā)展趨勢，加強技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)合作，以優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和解決方案賦能更多新興領(lǐng)域，為功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻力量！

關(guān)于宏微

江蘇宏微科技股份有限公司（英文名MACMIC）成立于2006年，主營業(yè)務(wù)為功率半導體器件的設(shè)計、研發(fā)、制造及銷售，主要產(chǎn)品包括 IGBT、MOSFET、FRD、SiC 等芯片、分立器件、模塊等功率半導體器件。公司自產(chǎn) IGBT、FRD、SiC 芯片技術(shù)已達國際先進、國內(nèi)領(lǐng)先水平，打破國外壟斷，填補了多項國內(nèi)空白。宏微科技是國內(nèi)功率半導體器件行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)之一, 2021年，成功登陸科創(chuàng)板，股票代碼 688711。