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Toshiba推出適用于半導(dǎo)體測試儀高頻信號開關(guān)的小型光繼電器

文傳商訊 ? 來源:文傳商訊 ? 作者:文傳商訊 ? 2023-10-18 11:38 ? 次閱讀
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Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了"TLP3475W"。這款光繼電器采用小巧輕薄的WSON4封裝,可降低插入損耗并抑制高頻信號[1] 的功率衰減,適用于使用大量繼電器并需要高速信號的半導(dǎo)體測試儀引腳電子裝置。該產(chǎn)品即日起開始批量發(fā)貨。

Toshiba的優(yōu)化封裝設(shè)計減少了新款光繼電器中的寄生電容和電感。這降低了插入損耗,將高頻信號的傳輸特性提高到20GHz(典型值) [2],比Toshiba當(dāng)前產(chǎn)品TLP3475S低約1.5倍[2]。

TLP3475W采用小巧輕薄的WSON4封裝,厚度僅為0.8毫米(典型值),使其成為業(yè)內(nèi)最小的 [3]光繼電器,從而實現(xiàn)了更好的高頻信號傳輸特性。與Toshiba的超小型S-VSON4T封裝相比,它的高度降低了40%,從而可以在同一電路板上安裝更多產(chǎn)品,并有助于提高測量效率。

Toshiba將繼續(xù)擴大其產(chǎn)品陣容,以支持速度更快、功能更多的半導(dǎo)體測試儀。

應(yīng)用

半導(dǎo)體測試儀(高速存儲器測試儀、高速邏輯測試儀等)

探針卡

測量設(shè)備

特性

業(yè)界最小的[3]WSON4封裝:1.45mm×2.0mm(典型值),t=0.8mm(典型值)

改善高頻信號通過特性:f=20GHz(典型值)@插入損耗(S21) = -3dB

常開功能(1-Form-A)

備注:

[1] 當(dāng)頻帶在幾百兆赫至幾十兆赫范圍內(nèi)時。
[2] 信號通過輸出MOSFET時,信號功率衰減比(插入損耗)為-3dB的頻段。
[3] 針對光繼電器。截至2023年10月的Toshiba調(diào)查。

主要規(guī)格

(除非另有說明,否則Ta = 25°C)
部件編號 TLP3475W
封裝 名稱 WSON4
尺寸(毫米) 1.45×2.0(典型值),t=0.8(典型值)
絕對最大額定值 關(guān)斷狀態(tài)輸出端電壓VOFF (V) 60
導(dǎo)通電流ION (A) 0.4
導(dǎo)通電流(脈沖)IONP (A) 1.2
工作溫度Topr (°C) -40至110
耦合電氣特性 觸發(fā)LED電流IFT (mA) 最大值 3.0
導(dǎo)通電阻RON (Ω) 典型值 1.1
最大值 1.5
電氣特性 輸出電容COFF (pF) 最大值 20
開關(guān)特性 導(dǎo)通時間tON(毫秒) @RL = 200Ω,
VDD = 20V,
IF = 5mA
最大值 0.25
關(guān)斷時間tOFF(毫秒) 0.2
隔離特性 隔離電壓BVS (Vrms) 最小值 300


審核編輯:湯梓紅
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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