近日，“第四屆海峽兩岸氧化鎵及其相關材料與器件研討會”在濟南召開。大會技術委員會委員北京鎵和半導體有限公司創(chuàng)始人、董事長、南京郵電大學唐為華教授率領鎵和半導體核心團隊亮相會場。唐為華教授做題為《氧化鎵光電器件研究進展》分會邀請報告、主持大會特邀報告、并作為特邀嘉賓參加“兩岸學人共話鎵業(yè)嘉賓論壇”。

作為論壇嘉賓，唐為華教授基于自身多年在氧化鎵材料和相關器件研究及產(chǎn)業(yè)化實踐經(jīng)驗和理性思考，著重圍繞氧化鎵材料、氧化鎵功率器件、氧化鎵光電器件等主題進行了廣泛交流和深度探討，同時就業(yè)內(nèi)專家學者以及投資人等共同關注的專題，包括氧化鎵襯底與外延、氧化鎵器件及應用、氧化鎵產(chǎn)業(yè)化等領域所涉痛點、難點等進行了坦誠互動和深入對話。深度剖析與解讀目前氧化鎵研究及產(chǎn)業(yè)發(fā)展的現(xiàn)狀及未來方向。

在鎵和半導體展臺上，現(xiàn)場全面陳列出氧化鎵系列的2英寸（100）（001）（-201）三種晶面單晶襯底，UID和摻Sn，以及4英寸100面單晶襯底等樣品實物，形成體系化格局，供參會人員參觀和體驗，展臺前匯聚大批會議代表咨詢交流以及尋求合作，展示了鎵和半導體氧化鎵產(chǎn)品的領先優(yōu)勢。公司及其產(chǎn)品受到廣大專家學者和各相關產(chǎn)業(yè)鏈從業(yè)人士的高度關注。

在開幕式招待晚宴上，鎵和半導體總經(jīng)理助理吳岳先生正式宣布：北京鎵和在國內(nèi)首次發(fā)布4英寸（100）面氧化鎵單晶襯底參數(shù)，并實現(xiàn)小批量生產(chǎn)；同時宣布該公司已經(jīng)完全具備提供“多規(guī)格氧化鎵單晶產(chǎn)品；多規(guī)格氧化鎵外延產(chǎn)品；多用途氧化鎵專用設備；定制化樣品及技術服務”能力。這是國內(nèi)氧化鎵產(chǎn)業(yè)里程碑式的重大進展！

鎵和半導體總經(jīng)理助理吳岳先生正式發(fā)布4英寸（100）面氧化鎵單晶襯底參數(shù)，并實現(xiàn)小批量生產(chǎn)

鎵和半導體已經(jīng)完全具備提供“多規(guī)格氧化鎵單晶產(chǎn)品

鎵和半導體4英寸氧化鎵（100）襯底規(guī)格參數(shù)

北京鎵和半導體有限公司是專業(yè)從事氧化鎵材料、相關器件的研發(fā)及其應用的高科技企業(yè)。研發(fā)生產(chǎn)高質(zhì)量單晶襯底和外延晶片、單晶及外延設備、高靈敏日盲紫外探測器件、高壓高溫高頻率大功率電力電子器件等氧化鎵系列高科技產(chǎn)品。公司擁有氧化鎵單晶襯底、外延，器件、以及專用裝備等方面的核心技術，在第四代半導體領域具有獨創(chuàng)性、引領性和影響力，屬國內(nèi)第四代半導體產(chǎn)業(yè)的引領企業(yè)，是中關村高新科技企業(yè)。

該公司團隊立志“四代創(chuàng)芯，鎵和先行”，秉承“突破封鎖，獨立自主，踔厲奮發(fā)，篤行不怠，干在實處，走在前列”信念，意圖在技術突破、產(chǎn)品開發(fā)、產(chǎn)能擴充、人才引進、應用布局等關鍵環(huán)節(jié)上謀篇布局厚積薄發(fā)，為大尺寸氧化鎵襯底及外延國產(chǎn)化提速升級，為我國第四代半導體材料產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控和全面發(fā)展做出應有貢獻。

“一代材料、一代技術、一代產(chǎn)業(yè)”，“四代創(chuàng)芯，鎵和先行”。鎵和半導體團隊將圍繞本次大會主題“修身 齊鎵 創(chuàng)未來”，以促進第四代超寬禁帶氧化鎵半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展為己任，堅持“戰(zhàn)略性、緊迫性、獨特性、開創(chuàng)性、引領性”的產(chǎn)業(yè)化推進思路，獨立自主突破封鎖，敢于創(chuàng)新勇立潮頭，為第四代半導體未來穩(wěn)健發(fā)展的產(chǎn)業(yè)鏈成長和生態(tài)圈豐富做出積極探索和應有貢獻。

IFWS&SSLCHINA：第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展風向標

當前第三代半導體繼往開來進入新的發(fā)展階段，人工智能、數(shù)字信息時代將為產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來動態(tài)且多樣復雜的機遇和挑戰(zhàn)。新科技時代背景下，第三代半導體將迎來更廣闊的發(fā)展前景，國內(nèi)外第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展勢頭正盛。第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日在廈門國際會議中心召開。

審核編輯：劉清