文章轉(zhuǎn)自：屹立芯創(chuàng)公眾號

IGBT技術(shù)發(fā)展趨勢

（1）高功率密度

電力電子產(chǎn)品其實有一個使命，就是不斷地去減少損耗，不斷地去提升功率密度。要實現(xiàn)高功率密度，可以從三個維度去考慮。

第一點是低損耗，主要考驗芯片設(shè)計，芯片設(shè)計不單是說在芯片設(shè)計技術(shù)這個方面，還有更多的要考慮對其應(yīng)用的理解。

第二點是低熱阻，隨著功率密度越來越高，一些傳統(tǒng)的封裝已經(jīng)比較吃力。在這種情況下，不能一昧的去追求器件的低成本。例如，現(xiàn)在有一些廠家把銅底板去掉，要分情況來看，對于小功率的一些器件，散熱不是它的瓶頸，在這種情況下，去掉銅底板可以少掉一塊材料，并且簡化生產(chǎn)，降低成本。在整機里，不會付出多余的散熱成本，但隨著功率密度不斷上升，去掉銅底板后，導(dǎo)熱系數(shù)下降，熱阻提高。從整機設(shè)計的角度來看，則需要花費更多的散熱成本去彌補，甚至可能要去上熱管，增大散熱器。由此看來，省掉銅底板是得不償失的。

第三點是高溫度，如果把當(dāng)前比較主流的150 ℃最大結(jié)溫（Tvjop）提升到 175 ℃，有益于IGBT 應(yīng)用。同時也會對目前的封裝材料提出挑戰(zhàn)。

（2）更高的可靠性

第一，隨著微溝槽（MPT）技術(shù)的發(fā)展，近些年來的芯片越來越小，往往就會犧牲掉它的安全工作區(qū)（SOA）。這是需要非常注意的，不能因為需要低損耗而舍棄重要的一塊。

第二，在一些應(yīng)用場合中需要防硫防潮。第三，對于大功率的應(yīng)用方面，隨著競爭不斷加劇，目前是通過單管并聯(lián)去實現(xiàn)。在此情況下，對于單管并聯(lián)來說，均流非常重要。均流既包括模塊內(nèi)的芯片均流，也包括模塊之間的均流。這就對IGBT一致性提出了更高的要求。而一致性更多的是從工藝、生產(chǎn)這些角度去保證。

（3）更加易用

第一點是dv/dt 的可控性，它在工業(yè)驅(qū)動器領(lǐng)域是非常重要的。

第二點是盡可能低的米勒電容（Cres）。隨著近幾年技術(shù)不斷發(fā)展，不難發(fā)現(xiàn)其實有些廠家會把0V關(guān)斷，逐步地從小功率往上拓展，可以簡化電源系統(tǒng)及驅(qū)動電路。但要實現(xiàn)0V關(guān)斷，要非常注意是否會產(chǎn)生米勒尖峰，是否會導(dǎo)致米勒誤導(dǎo)通。米勒尖峰是由米勒電容及 dv/dt 共同去決定的。因此，米勒電容非常重要。

第三點是封裝的Layout非常適合整機的布局布線，對使用來說會帶來很多便利。

最后，近些年出現(xiàn)的一些封裝，比如貼片化封裝，包括top side cooling (TSC) ，在某些局部的場合能夠簡化制造，從而降低成本。

VPS核心技術(shù)應(yīng)用優(yōu)勢

針對IGBT模塊封裝發(fā)展趨勢，提升封裝的可靠性，屹立芯創(chuàng)研發(fā)人員研發(fā)出一款高良率去空洞設(shè)備——真空壓力除泡系統(tǒng)VPS，為IGBT模塊灌封帶來優(yōu)秀的封裝除泡方案及裝備。

屹立芯創(chuàng)真空壓力除泡系統(tǒng)VPS采用真空與壓力切換技術(shù)，可有效解決灌封材料中存在的氣泡問題，創(chuàng)新性使用多重多段真空壓力切換系統(tǒng)，可根據(jù)材料特性分段設(shè)定壓力與真空數(shù)值。

IGBT灌封除泡演示

另外，屹立芯創(chuàng)運用專利技術(shù)保證制程穩(wěn)定運行，真空壓力除泡系統(tǒng)VPS配備了雙增壓系統(tǒng)和雙溫控保護系統(tǒng)。目前，真空壓力除泡系統(tǒng)VPS已供應(yīng)IGBT行業(yè)多家頭部制造廠商，獲得客戶高度認(rèn)可。

屹立芯創(chuàng)·除泡品類開創(chuàng)者

屹立芯創(chuàng)作為除泡品類開創(chuàng)者，深耕半導(dǎo)體先進封裝技術(shù)20余年，專注解決半導(dǎo)體先進封裝中的氣泡問題，提供多種制程工藝中的氣泡整體解決方案。

屹立芯創(chuàng)以核心的熱流和氣壓兩大技術(shù)，持續(xù)自主研發(fā)與制造除泡品類體系，專注提升良率助力產(chǎn)業(yè)發(fā)展，專業(yè)提供提供半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)先進封裝領(lǐng)域氣泡解決方案，現(xiàn)已成功賦能半導(dǎo)體、汽車、新能源、5G/IoT等細(xì)分領(lǐng)域。

審核編輯 黃宇