長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)“延遲電路及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器”專利公布
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司申請(qǐng)“延遲電路及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)”專利的公告日為11月7日，申請(qǐng)公告號(hào)為cn117012238a。
據(jù)專利摘要本公開(kāi)涉及一種延遲電路及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，所述延遲電路包括溫度控制模塊補(bǔ)償及延時(shí)模塊、溫度補(bǔ)償控制模塊根據(jù)接收到的控制信號(hào)初期，實(shí)時(shí)環(huán)境溫度，溫度系數(shù)補(bǔ)償信號(hào)及溫度系數(shù)，以便生成信號(hào)控制目標(biāo)溫度控制信號(hào)，給予補(bǔ)償。延遲模塊連接所述溫度補(bǔ)償控制模塊，使用接收控制信號(hào)的所述目標(biāo)根據(jù)溫度補(bǔ)償和初期演技經(jīng)過(guò)信號(hào)生成溫度補(bǔ)償后目標(biāo)，能夠根據(jù)溫度傳感器信號(hào)采集的實(shí)時(shí)環(huán)境溫度對(duì)信號(hào)的電路生成的目標(biāo)信號(hào)的延遲延時(shí)動(dòng)態(tài)補(bǔ)償因溫度變化而實(shí)際上生成的避免目標(biāo)延遲信號(hào)延遲時(shí)間與所需目標(biāo)延遲信號(hào)延遲時(shí)間差異較大的情況，提高信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性和準(zhǔn)確度，提高集成電路的性能和可靠性。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
339文章
30751瀏覽量
264352 -
存儲(chǔ)器
+關(guān)注
關(guān)注
39文章
7739瀏覽量
171699 -
溫度控制
+關(guān)注
關(guān)注
7文章
310瀏覽量
39099
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
【案例5.1】存儲(chǔ)器選型的考慮要點(diǎn)
【案例5.1】存儲(chǔ)器選型的考慮要點(diǎn)某設(shè)計(jì)，用戶接口數(shù)據(jù)傳輸速率為10Gbps，每8個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)一次查表需求，數(shù)據(jù)表存儲(chǔ)在由DDR4SDRAM組成的存儲(chǔ)器中。工程師需綜合考慮各方面要求，進(jìn)行
DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DDR2 SDRAM內(nèi)存解決方案
在半導(dǎo)體存儲(chǔ)領(lǐng)域，DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器始終是電子設(shè)備性能的核心支撐。作為存儲(chǔ)解決方案的重要組成部分，DDR2 SDRAM內(nèi)存解決方案憑借其高效的數(shù)據(jù)處理能力和穩(wěn)定的運(yùn)行表現(xiàn)，廣泛
VTI低功耗SRAM存儲(chǔ)器VTI508HB08
VTI SRAM存儲(chǔ)器在現(xiàn)代芯片設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵作用日益凸顯，尤其在高性能微處理器中，其低功耗與高速特性已成為提升系統(tǒng)能效的關(guān)鍵。隨著半導(dǎo)體工藝持續(xù)升級(jí)，存儲(chǔ)器在整體芯片功耗中所占比例顯著
FIFO存儲(chǔ)器的種類、IP配置及應(yīng)用
FIRST IN FIRST OUT （先入先出）。顧名思義，F(xiàn)IFO是一個(gè)數(shù)據(jù)具有先進(jìn)先出的存儲(chǔ)器。
瑞薩RA系列FSP庫(kù)開(kāi)發(fā)實(shí)戰(zhàn)指南之常用存儲(chǔ)器介紹
存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分。存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能?；镜?b class='flag-5'>存儲(chǔ)器種類見(jiàn)圖21_1。
雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)原理
在各類存儲(chǔ)設(shè)備中，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）因其高速、低功耗和高可靠性，被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中，雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì)，在高帶寬和多任務(wù)場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為出色，成為提升系統(tǒng)效率的重
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DDR5/LPDDR5X雙芯亮相，火力全開(kāi)！
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，近日，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)首次全面展示DDR5和LPDDR5X兩大產(chǎn)品線最新產(chǎn)品。 ? 長(zhǎng)鑫存
意法半導(dǎo)體Page EEPROM打破數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的玻璃天花板
EEPROM是一項(xiàng)成熟的非易失性存儲(chǔ)（NVM）技術(shù)，其特性對(duì)當(dāng)今尖端應(yīng)用的發(fā)展具有非常重要的意義。意法半導(dǎo)體（ST）是全球EEPROM芯片知名廠商和存儲(chǔ)器產(chǎn)品和工藝創(chuàng)新名企之一，其連接安全產(chǎn)品部綜合
今日看點(diǎn):長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官宣發(fā)布LPDDR5X，蘋(píng)果自研 5G 芯片 C2 曝光
速率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。通過(guò)創(chuàng)新的封裝技術(shù)和優(yōu)化的內(nèi)存設(shè)計(jì)，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) LPDDR5X在容量、速率、功耗上都有顯著提升，目前提供12Gb和16Gb兩種單顆粒容量，最高速率達(dá)到10667Mbp
發(fā)表于 10-30 09:53
?1104次閱讀
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5X來(lái)了！速率高達(dá)10667Mbps，躋身國(guó)際主流水平！
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶），日前從長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官網(wǎng)查閱到，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已正式發(fā)布LPDDR5/5X內(nèi)
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)高帶寬存儲(chǔ)器
HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲(chǔ)器，是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。其核心設(shè)計(jì)是通過(guò)硅通孔（TSV）和微凸塊（Microbump
羅徹斯特電子提供豐富的存儲(chǔ)器產(chǎn)品支持
存儲(chǔ)器在半導(dǎo)體技術(shù)探討中一直是備受關(guān)注的焦點(diǎn)。這些器件不僅推動(dòng)了下一代半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，還實(shí)現(xiàn)了廣泛的應(yīng)用。然而，快速發(fā)展和多樣化的特性可能對(duì)長(zhǎng)生命周期應(yīng)用構(gòu)成挑戰(zhàn)。
半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片核心解析
CPU、內(nèi)存和加速器，可能改變內(nèi)存池化、共享的架構(gòu)。
國(guó)產(chǎn)化：中國(guó)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域（尤其是DRAM和NAND）投入巨大，長(zhǎng)江存儲(chǔ)（NAND）和長(zhǎng)鑫
發(fā)表于 06-24 09:09
MCU存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)解析
? ? ? ?MCU的存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)通過(guò)整合不同性能與功能的存儲(chǔ)單元，優(yōu)化系統(tǒng)效率并滿足多樣化場(chǎng)景需求。其核心架構(gòu)可分為以下層次： 一、寄存器層（最高速） 定位?：集成于CPU內(nèi)核中，直接參與運(yùn)算
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器測(cè)試圖形技術(shù)解析
在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器測(cè)試中，測(cè)試圖形（Test Pattern）是檢測(cè)故障、驗(yàn)證可靠性的核心工具。根據(jù)測(cè)試序列長(zhǎng)度與存儲(chǔ)單元數(shù)N的關(guān)系，測(cè)試圖形可分為N型、N2型和N3/?型三大類。
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論