長江存儲，中國最大的閃存芯片制造商，已向美國存儲芯片巨頭美光提起了專利侵權訴訟。根據(jù)美國加州北區(qū)地方法院的文件，該法院已于11月9日受理了長江存儲對美光及其子公司的專利侵權案。

起訴書中指出，長江存儲稱美光在未經(jīng)授權的情況下使用了長江存儲的專利技術，并以此來保護自己的市場份額并進行市場競爭。長江存儲還指責美光未為使用這些專利支付合理費用，侵犯了長江存儲的利益，并阻礙了長江存儲的創(chuàng)新動力。此外，長江存儲還指控美光在自己的專利文件中引用了長江存儲的相關專利，這證明美光認識到長江存儲的專利組合的重要性，但美光并未采取任何實際行動來獲取長江存儲的專利授權。

此次訴訟旨在解決以下一個方面的問題：美光試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND閃存市場來阻止競爭和創(chuàng)新。

根據(jù)報道，長江存儲指控美光侵犯了多項美國專利，專利號分別為“10，950，623”、“11，501，822”、“10，658，378”、“10，937，806”、“10，861，872”、“11，468，957”、“11，600，342”和“10，868，031”。

被指控侵權的美光產(chǎn)品包括96層、128層、176層和232層的3D NAND產(chǎn)品。

據(jù)悉，去年TechInsights公司對閃存市場進行的分析發(fā)現(xiàn)，長江存儲已超過美光成為3D NAND閃存領域的領導者。

此次長江存儲對美光提起的專利侵權訴訟具有一定的象征意義。在起訴書中，長江存儲聲稱自己目前是全球3D NAND技術的領導者，并得到了行業(yè)和第三方機構的廣泛認可。長江存儲的技術創(chuàng)新改善了3D NAND的速度、性能、密度、可靠性和產(chǎn)量，推動了多種電子設備的創(chuàng)新。

編輯：黃飛