91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

首顆應(yīng)用新型MRigidCSP? 封裝技術(shù)MOSFET

jf_94163784 ? 來源:jf_94163784 ? 作者:jf_94163784 ? 2023-11-13 18:11 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

日前,集設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片解決方案供應(yīng)商Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS, 納斯達(dá)克代碼:AOSL)推出了用于電池管理應(yīng)用的 MRigidCSP? 封裝技術(shù)。AOS首顆應(yīng)用該新型封裝技術(shù)的12V 共漏極雙 N 溝道 MOSFET——AOCR33105E,實現(xiàn)在降低導(dǎo)通電阻的同時提高CSP產(chǎn)品的機(jī)械強度。這項新升級的封裝技術(shù)非常適合智能手機(jī)、平板電腦和超薄筆記本電腦的電池應(yīng)用。

現(xiàn)如今便攜式電子設(shè)備的快速充電功能已逐步優(yōu)化,這一應(yīng)用要求電池管理電路具有較低的功率損耗。隨著手機(jī)廠家和客戶對更高充電電流的需求增加,繼而需要超低電阻產(chǎn)品來提高電池的性能。在標(biāo)準(zhǔn)晶圓級 CSPs (WL-CSPs) 產(chǎn)品中采用背靠背 MOSFET 時,硅基材的電阻在電池管理應(yīng)用中占據(jù)了總電阻的很大一部分。較薄的基材可降低總電阻,但同時由于較薄的產(chǎn)品也會大大降低產(chǎn)品的機(jī)械強度。機(jī)械強度的降低可能會在PCB組裝回流焊接過程中產(chǎn)生更大的應(yīng)力,造成芯片翹曲或芯片破裂,從而導(dǎo)致應(yīng)用端不良。新型AOCR33105E采用最新溝槽功率 MOSFET 技術(shù)設(shè)計,共漏極結(jié)構(gòu),簡化客戶設(shè)計。它具有超低導(dǎo)通電阻和 ESD 保護(hù),可提高保護(hù)開關(guān)和移動電池充電和放電電路等電池管理的性能和安全性。

“AOS新型雙 N 溝道 MOSFET 率先采用 MRigidCSP 技術(shù)封裝,可應(yīng)用于較大的高寬比 CSP 裸片,器件的電性能和封裝強壯性都得到了顯著提升,具備更高的可靠性。先進(jìn)的封裝結(jié)構(gòu)解決了客戶在生產(chǎn)組裝過程中出現(xiàn)的形變和斷裂問題,為客戶提供更高性能和可靠性的解決方案?!盇OS MOSFET 產(chǎn)品線資深市場總監(jiān) Peter H. Wilson 說道。

主要特性

wKgZomVR9lCALDohAABaIsD0hKQ686.png

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    151

    文章

    9675

    瀏覽量

    233589
  • 封裝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    128

    文章

    9249

    瀏覽量

    148643
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    MOSFET相關(guān)問題分享

    損壞。其次是功率。如果功率高于25%,MOS發(fā)熱嚴(yán)重,性能會急劇下降,因此在設(shè)計時需要對MOS進(jìn)行降額使用。 2.Q: 目前的MOSFET提供哪些封裝? A:封裝有TO-220、TO-220F
    發(fā)表于 01-26 07:46

    請問目前的MOSFET提供哪些封裝

    目前的MOSFET提供哪些封裝
    發(fā)表于 01-14 07:40

    中國電力行業(yè)遙感衛(wèi)星成功發(fā)射-維度網(wǎng)

    12月10日,中國電力行業(yè)遙感衛(wèi)星——“電力工程號”在酒泉成功發(fā)射,順利進(jìn)入預(yù)定軌道,中國電網(wǎng)工程技術(shù)領(lǐng)域創(chuàng)新發(fā)展再添碩果。
    的頭像 發(fā)表于 12-10 16:39 ?426次閱讀

    MOT3910J 雙 N 溝道增強型 MOSFET 技術(shù)解析

    一、產(chǎn)品定位與結(jié)構(gòu)MOT3910J是仁懋電子(MOT)推出的雙N溝道增強型MOSFET,采用PDFN3X3封裝形式,將兩只N溝道MOSFET集成于單芯片內(nèi),適配高頻功率轉(zhuǎn)換、同步整流
    的頭像 發(fā)表于 10-24 11:14 ?459次閱讀
    MOT3910J 雙 N 溝道增強型 <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>技術(shù)</b>解析

    “雄安造”衛(wèi)星下線:空天夢圓背后的國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈突圍

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 日前,藍(lán)箭鴻擎(雄安)空間科技有限公司衛(wèi)星智能制造中試基地正式落成,“雄安造”衛(wèi)星——“雄安一號”(鴻鵠技術(shù)驗證星)順利完成生產(chǎn)下線。這一里程碑事件標(biāo)志著雄安新區(qū)空天
    的頭像 發(fā)表于 10-24 09:15 ?6713次閱讀

    看點:全球!中國研發(fā)全新架構(gòu)閃存芯片 OpenAI拉上巨頭豪賭AI基建

    基混合架構(gòu)芯片,攻克新型二維信息器件工程化關(guān)鍵難題。這也是全球成功融合二維超快閃存與成熟硅基工藝的功能芯片。 芯片集成良率高達(dá)94.3%,支持8-bit指令操作和32-bit高速并行操作與隨機(jī)尋址。 OpenAI拉上巨頭豪賭
    的頭像 發(fā)表于 10-10 18:20 ?1848次閱讀

    集創(chuàng)北方聯(lián)合發(fā)布自研RRAM AMOLED顯示驅(qū)動芯片

    近日,集創(chuàng)北方攜手清華大學(xué)集成電路學(xué)院團(tuán)隊與新憶科技共同推出首采用自研RRAM新型存儲技術(shù)的AMOLED顯示驅(qū)動芯片(DDIC)“集憶智顯”系列款芯片R100,這也是集創(chuàng)北方首次在
    的頭像 發(fā)表于 08-30 11:50 ?1667次閱讀
    集創(chuàng)北方聯(lián)合發(fā)布<b class='flag-5'>首</b><b class='flag-5'>顆</b>自研RRAM AMOLED顯示驅(qū)動芯片

    基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊

    基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊,該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
    的頭像 發(fā)表于 08-01 10:25 ?1471次閱讀
    基本半導(dǎo)體推出34mm<b class='flag-5'>封裝</b>的全碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>半橋模塊

    破局時刻:大陸款55A/-200V/50mΩ高壓MOSFET問世-VBP2205N

    大陸款55A/-200V/50mΩ高壓MOSFET問世——國產(chǎn)功率半導(dǎo)體的200V高壓革命為國產(chǎn)替代進(jìn)程注入了強勁動力! 微碧半導(dǎo)體(VBsemi)正式發(fā)布 VBP2205N ——中國大陸
    的頭像 發(fā)表于 05-29 17:44 ?972次閱讀
    破局時刻:大陸<b class='flag-5'>首</b>款55A/-200V/50mΩ高壓<b class='flag-5'>MOSFET</b>問世-VBP2205N

    晶圓級封裝技術(shù)的概念和優(yōu)劣勢

    圓片級封裝(WLP),也稱為晶圓級封裝,是一種直接在晶圓上完成大部分或全部封裝測試程序,再進(jìn)行切割制成單組件的先進(jìn)封裝
    的頭像 發(fā)表于 05-08 15:09 ?2572次閱讀
    晶圓級<b class='flag-5'>封裝</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>的概念和優(yōu)劣勢

    鄭州麗之健獲贈可重復(fù)使用返回式技術(shù)試驗衛(wèi)星搭載證書

    ?日前,記者從鄭州麗之健體育用品有限公司獲悉,鄭州麗之健獲贈可重復(fù)使用返回式技術(shù)試驗衛(wèi)星搭載證書,搭載證書內(nèi)容顯示:實踐十九號衛(wèi)星是由中國航天科技集團(tuán)有限公司第五研究院抓總研制的
    的頭像 發(fā)表于 04-14 16:28 ?739次閱讀
    鄭州麗之健獲贈<b class='flag-5'>首</b><b class='flag-5'>顆</b>可重復(fù)使用返回式<b class='flag-5'>技術(shù)</b>試驗衛(wèi)星搭載證書

    汽車電子芯片數(shù)量大增:從 500 到 3000 ,錫膏如何撐起可靠性大旗?

    傳統(tǒng)汽車、電動車、智能汽車的芯片用量分別為 500-700 、1600 、3000 以上,芯片類型從 MCU、MOSFET 向 AI 芯片、5G 通信芯片進(jìn)化,推動錫膏
    的頭像 發(fā)表于 04-10 19:08 ?1662次閱讀
    汽車電子芯片數(shù)量大增:從 500 <b class='flag-5'>顆</b>到 3000 <b class='flag-5'>顆</b>,錫膏如何撐起可靠性大旗?

    Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET,采用創(chuàng)新X.PAK封裝技術(shù)

    近日,Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,專為滿足工業(yè)應(yīng)用中的高效能和耐用性需求而設(shè)計。這些新產(chǎn)品不僅具備卓越的溫度穩(wěn)定性,還采用了先進(jìn)的表面貼裝(SMD
    的頭像 發(fā)表于 03-20 11:18 ?1158次閱讀
    Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>,采用創(chuàng)新X.PAK<b class='flag-5'>封裝</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>

    新品 | 兩款先進(jìn)的MOSFET封裝方案,助力大電流應(yīng)用

    新款封裝采用先進(jìn)的頂部散熱(GTPAK?)和海鷗腳(GLPAK?)封裝技術(shù),可滿足更高性能要求,并適應(yīng)嚴(yán)苛環(huán)境條件。 日前,集設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售為一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片解決方案供應(yīng)商
    發(fā)表于 03-13 13:51 ?1371次閱讀
    新品 | 兩款先進(jìn)的<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>封裝</b>方案,助力大電流應(yīng)用

    國內(nèi)車規(guī)級數(shù)字環(huán)境光傳感器

    隨著汽車智能化加速演進(jìn),傳感器技術(shù)正向集成化、微型化、低功耗方向迭代。矽力杰率先推出國內(nèi)車規(guī)級數(shù)字環(huán)境光傳感器SA88137AS22-J00,該器件憑借小封裝、超高靈敏度及低功耗,
    的頭像 發(fā)表于 03-11 18:03 ?1356次閱讀
    國內(nèi)<b class='flag-5'>首</b><b class='flag-5'>顆</b>車規(guī)級數(shù)字環(huán)境光傳感器