英飛凌科技推出分立式650V IGBT7 H7新品,進一步擴展其TRENCHSTOP IGBT7產(chǎn)品陣容。全新器件配新一代發(fā)射極控制的EC7續(xù)流二極管,以滿足對環(huán)保和高效電源解決方案日益增長的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微溝槽柵技術,具有出色的控制和性能,能夠大幅降低損耗,提高效率和功率密度。因此,該半導體器件適合用于各種應用,如組串式逆變器、儲能系統(tǒng)(ESS)、電動汽車充電應用以及如工業(yè)UPS和焊接等傳統(tǒng)應用。

在分立式封裝中,650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7可輸出高達150A的電流。該產(chǎn)品系列電流等級為40A至150A,有四種不同封裝類型:TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。TRENCHSTOP IGBT7 H7的TO-247-3 HCC封裝具有較高的爬電距離。TO-247的4引腳封裝(標準封裝:IKZA,Plus封裝:IKY)在提高性能方面表現(xiàn)出眾,因為它不僅能降低開關損耗,還提供了額外的優(yōu)勢,如更低的電壓過沖、最小的導通損耗和最低的反向恢復損耗。憑借這些特性,TRENCHSTOP IGBT7 H7簡化了設計,最大限度減少了并聯(lián)器件的需求。
此外,650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7具有出色的防潮性能,可在惡劣環(huán)境中可靠運行。該器件通過了JEDEC 47/20/22的相關測試,特別是HV-H3TRB,符合工業(yè)應用標準,因此非常適合戶外應用。IGBT專為滿足環(huán)保以及高效能源應用的需求而設計,相較于前幾代產(chǎn)品有顯著改進。因此,TRENCHSTOP IGBT7 H7 是常用于太陽能和儲能系統(tǒng)等中的NPC1拓撲的理想補充。
-
英飛凌
+關注
關注
68文章
2518瀏覽量
142890 -
電源
+關注
關注
185文章
18841瀏覽量
263545 -
IGBT
+關注
關注
1288文章
4331瀏覽量
263045
發(fā)布評論請先 登錄
分立式與集成式差分放大器的性能對比
新品 | 英飛凌第五代CoolGaN? BDS 650V 氮化鎵雙向開關
深挖1ED21x7x系列:650V高端柵極驅(qū)動器的卓越性能與應用解析
Wolfspeed發(fā)布E4MS系列分立式碳化硅MOSFET
Wolfspeed發(fā)布C4MS系列分立式碳化硅MOSFET
合科泰650V高壓MOS管HKTD7N65的特性和應用
龍騰半導體推出四款650V F系列IGBT新品
Microchip推出全新DualPack 3 IGBT7電源模塊 提供高功率密度并簡化系統(tǒng)集成
新品 | 650V CoolMOS? 8超結 (SJ) MOSFET
新品 | 采用D2PAK-7封裝的CoolSiC? 650V G2 SiC MOSFET
新品 | EiceDRIVER? 650 V +/- 4 A高壓側(cè)柵極驅(qū)動器 1ED21x7 系列
新品 | EiceDRIVER? 650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動器1ED21x7系列
英飛凌推出面向高能效電源應用的分立式650V TRENCHSTOP? IGBT7 H7新品
評論