91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

性能提升,功耗降低!,這樣的MOSFET是你的最愛么?

jf_pJlTbmA9 ? 2023-12-04 15:09 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

隨著科技的不斷革新發(fā)展,MOSFET產(chǎn)品也經(jīng)過技術(shù)的迭代升級有了更加優(yōu)越的表現(xiàn)。但如何提升器件性能的同時進一步降低器件的自身損耗依舊是亟待解決的問題。為此東芝半導(dǎo)體拓展了MOSFET產(chǎn)品線,推出了適用于頭燈控制開關(guān)等車載小型設(shè)備的N溝道30V MOSFET器件——SSM6K809R,該器件通過東芝新型工藝技術(shù)設(shè)計把設(shè)備功耗深度壓縮。

一、電氣屬性綜述

SSM6K809R采用東芝半導(dǎo)體獨有的新工藝技術(shù)(U-MOSⅧ-H)設(shè)計,具有行業(yè)先進的低導(dǎo)通電阻。并且通過扁平引腳封裝的設(shè)計,提升了器件安裝能力,降低了熱阻。該產(chǎn)品采用的小型TSOP6F封裝,減少了所占板載空間。額定功率損耗為1.5W,不會造成能源浪費。此外,SSM6K809R符合AEC-Q101車規(guī)級標準,通道溫度最高可達175℃,滿足車載環(huán)境要求。

二、動態(tài)特性分析

SSM6K809R的漏極電流最高可達6A,最大支持1KHz的PWM脈沖信號,對于車載燈的控制恰到好處。

得益于產(chǎn)品強大的負載能力,在設(shè)計中可以將其配合額外的多組輸入信號源做矩陣式LED控制電路,從而達到獨立控制多個LED的照明目的。具體可前往東芝官網(wǎng),參考東芝矩陣式LED前照燈設(shè)計。

三、應(yīng)用場景部署

隨著節(jié)能減排的大力發(fā)展,新能源車的產(chǎn)業(yè)得到了蓬勃發(fā)展,提高電池容納能力和降低車載器件設(shè)備功耗開銷是有效節(jié)能的一個重要措施。SSM6K809R適合用于車載應(yīng)用,如前大燈、轉(zhuǎn)向燈、日間行車燈、USB充電器等,以低導(dǎo)通電阻降低功耗持續(xù)節(jié)能。

科技引領(lǐng)生活,東芝半導(dǎo)體堅持科技創(chuàng)新用更安全、更出色、更智能的電子產(chǎn)品服務(wù)市場大眾。作為全球知名的半導(dǎo)體企業(yè),東芝擁有先進的實驗設(shè)備和專業(yè)的研發(fā)團隊,持續(xù)耕耘創(chuàng)新電子元器件的性能特性,致力打造一個可持續(xù)的未來迎接美好生活。

  • 審核編輯 黃宇
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • led
    led
    +關(guān)注

    關(guān)注

    243

    文章

    24595

    瀏覽量

    690823
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    151

    文章

    9670

    瀏覽量

    233494
  • 封裝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    128

    文章

    9249

    瀏覽量

    148615
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    如何確保CAT.1模組的高性能與低功耗?

    確保CAT.1模組實現(xiàn)高性能與低功耗的完美平衡,是物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備長期穩(wěn)定運行和降低運維成本的關(guān)鍵?;谖覀儾捎玫娜A為海思最新Hi2131芯片方案,我們通過以下四大核心技術(shù)維度實現(xiàn)了這一目標: 1. 先進
    發(fā)表于 03-05 11:41

    LTC1981:低功耗MOSFET驅(qū)動的理想之選

    LTC1981/LTC1982:低功耗MOSFET驅(qū)動的理想之選 在電子設(shè)備的設(shè)計中,MOSFET驅(qū)動的選擇至關(guān)重要,它直接影響著設(shè)備的性能功耗
    的頭像 發(fā)表于 02-05 10:40 ?221次閱讀

    探索LTC1156:高性能四通道高端微功耗MOSFET驅(qū)動器

    探索LTC1156:高性能四通道高端微功耗MOSFET驅(qū)動器 在電子設(shè)計領(lǐng)域,高性能MOSFET驅(qū)動器是實現(xiàn)高效電源管理和開關(guān)控制的關(guān)鍵組
    的頭像 發(fā)表于 02-05 09:40 ?165次閱讀

    探索LTC1154:高性能高側(cè)微功耗MOSFET驅(qū)動器

    探索LTC1154:高性能高側(cè)微功耗MOSFET驅(qū)動器 在電子設(shè)計領(lǐng)域,MOSFET驅(qū)動器是不可或缺的關(guān)鍵組件,它直接影響著電路的性能和穩(wěn)定
    的頭像 發(fā)表于 02-05 09:40 ?131次閱讀

    MOSFET相關(guān)問題分享

    損壞。其次是功率。如果功率高于25%,MOS發(fā)熱嚴重,性能會急劇下降,因此在設(shè)計時需要對MOS進行降額使用。 2.Q: 目前的MOSFET提供哪些封裝? A:封裝有TO-220、TO-220F
    發(fā)表于 01-26 07:46

    降低LDO功耗延長運行時間

    能有效幫助LDO提升散熱能力。降低功耗是現(xiàn)在各種電源芯片都重點設(shè)計的一個環(huán)節(jié),降低靜態(tài)電流是行之有效的一個辦法,但前提是靜態(tài)電流的降低不會降低
    發(fā)表于 01-08 07:13

    什么是低功耗設(shè)計,如何評估低功耗MCU性能?

    每一個細節(jié)來考慮降低功率消耗,從而盡可能地延長電池使用時間。 因此,大部分芯片都會有低功耗模式。從MCU端來講,低功耗的MCU性能一般有以下幾個參數(shù)指標來衡量: ·MCU處于深度休
    發(fā)表于 12-12 07:43

    利用DMA如何降低MCU功耗

    利用DMA(直接內(nèi)存訪問)降低MCU功耗的核心在于最小化CPU介入,通過硬件自動完成數(shù)據(jù)傳輸任務(wù),使CPU能盡可能長時間處于休眠狀態(tài)。 CPU休眠時間最大化 DMA接管數(shù)據(jù)搬運(如外設(shè)?內(nèi)存、內(nèi)存
    發(fā)表于 11-18 07:34

    如何通過優(yōu)化電能質(zhì)量在線監(jiān)測裝置的散熱系統(tǒng)來降低功耗

    通過優(yōu)化電能質(zhì)量在線監(jiān)測裝置的散熱系統(tǒng)降低功耗,核心邏輯是 “ 提升散熱效率,減少風(fēng)扇等散熱部件的無效能耗 ”—— 既要避免硬件因高溫被迫滿負荷運行(如 CPU 降頻前的高功耗),又要降低
    的頭像 發(fā)表于 11-05 11:54 ?387次閱讀

    Sub-GHz射頻芯片,如何降低IoT終端功耗,提升傳輸性能?

    在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)深度滲透千行百業(yè)的當(dāng)下,Sub-GHz射頻芯片作為低功耗廣域網(wǎng)(LPWAN)的核心通信單元,正面臨著“傳輸性能與能效平衡”的關(guān)鍵挑戰(zhàn)——傳輸距離、數(shù)據(jù)速率與運行功耗往往存在著“制約
    的頭像 發(fā)表于 09-22 15:19 ?577次閱讀
    Sub-GHz射頻芯片,如何<b class='flag-5'>降低</b>IoT終端<b class='flag-5'>功耗</b>,<b class='flag-5'>提升</b>傳輸<b class='flag-5'>性能</b>?

    同步整流MOSFET的設(shè)計要點與效率提升技巧

    。其核心器件——MOSFET,在設(shè)計中扮演著至關(guān)重要的角色。本文將深入探討同步整流MOSFET的選型要點和提升效率的設(shè)計技巧。一、同步整流的基本原理傳統(tǒng)整流使用二極
    的頭像 發(fā)表于 07-03 09:42 ?1011次閱讀
    同步整流<b class='flag-5'>MOSFET</b>的設(shè)計要點與效率<b class='flag-5'>提升</b>技巧

    交流充電樁負載能效提升技術(shù)

    隨著電動汽車普及率提升,交流充電樁的能效優(yōu)化成為降低運營成本、減少能源浪費的核心課題。負載能效提升需從硬件設(shè)計、拓撲優(yōu)化、智能控制及熱管理等多維度展開,以下結(jié)合技術(shù)原理與實踐方案進行闡述。 一、高效
    發(fā)表于 05-21 14:38

    快手上線鴻蒙應(yīng)用高性能解決方案:數(shù)據(jù)反序列化性能提升90%

    近日,快手在Gitee平臺上線了鴻蒙應(yīng)用性能優(yōu)化解決方案“QuickTransformer”,該方案針對鴻蒙應(yīng)用開發(fā)中廣泛使用的三方庫“class-transformer”進行了深度優(yōu)化,有效提升
    發(fā)表于 05-15 10:01

    MOSFET開關(guān)損耗計算

    、參數(shù)與應(yīng)用,除針對目前低電壓 Power MOSFET 的發(fā)展趨勢做簡單介紹外,還將簡單比較新一代 Power MOSFET性能。 Power MOSFET 的參數(shù)與應(yīng)用 電源
    發(fā)表于 03-24 15:03

    功耗對IGBT性能的影響,如何降低IGBT功耗

    在電力電子的廣闊領(lǐng)域中,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為核心器件,其性能優(yōu)劣直接關(guān)乎整個系統(tǒng)的運行效率與穩(wěn)定性。而功耗問題,始終是IGBT應(yīng)用中不可忽視的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。今天,就讓我們一同深入探究IGBT功耗背后的奧秘。
    的頭像 發(fā)表于 03-14 09:17 ?3.5w次閱讀
    <b class='flag-5'>功耗</b>對IGBT<b class='flag-5'>性能</b>的影響,如何<b class='flag-5'>降低</b>IGBT<b class='flag-5'>功耗</b>