【科普小貼士】什么是pn結(jié)？
p型和n型半導(dǎo)體之間的接觸面即稱為PN結(jié)。
p型和n型半導(dǎo)體鍵合時(shí)，作為載流子的空穴和自由電子相互吸引、束縛并在邊界附近消失。由于在這個(gè)區(qū)域沒有載流子，所以它被稱為耗盡層，與絕緣體的狀態(tài)相同。
在這種狀態(tài)下，將“＋”極連接到p型區(qū)，將“-”極連接到n型區(qū)，并施加電壓使得電子從n型區(qū)順序流動(dòng)到p型區(qū)。電子首先會(huì)與空穴結(jié)合而消失，但多余的電子會(huì)移動(dòng)到“＋”極，這樣就產(chǎn)生了電流流動(dòng)。
來源：東芝半導(dǎo)體
審核編輯：湯梓紅
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
339文章
30734瀏覽量
264067 -
PN結(jié)
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
497瀏覽量
51669
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
肖特基勢(shì)壘二極管的金屬半導(dǎo)體結(jié)解析
歡迎回到芝識(shí)課堂！上節(jié)課我們看到了pn結(jié)的局限性——反向恢復(fù)時(shí)間。今天，讓我們探索一種完全不同的結(jié)構(gòu)：金屬-半導(dǎo)體結(jié)。正是它，孕育了我們本期的主角——肖特基勢(shì)壘二極管。這次“握手”如何創(chuàng)造出更快的電流開關(guān)？讓我們一探究竟！
納芯微牽頭完成PN結(jié)半導(dǎo)體溫度傳感器國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)制定
近日，由納芯微牽頭制定的PN 結(jié)半導(dǎo)體溫度傳感器國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布。該標(biāo)準(zhǔn)圍繞器件定義、關(guān)鍵性能指標(biāo)及測(cè)試方法建立統(tǒng)一技術(shù)框架，為高精度、高可靠測(cè)溫應(yīng)用提供了明確、可執(zhí)行的技術(shù)依據(jù)。
深入剖析PN結(jié)的單向?qū)щ娫?/a>
在上期芝識(shí)課堂中，我們學(xué)習(xí)了能帶理論和摻雜魔法，創(chuàng)造了n型和p型半導(dǎo)體。
深度剖析PN512：高性能NFC前端芯片的全方位解讀
深度剖析PN512：高性能NFC前端芯片的全方位解讀 在當(dāng)今的電子技術(shù)領(lǐng)域，近場(chǎng)通信（NFC）技術(shù)憑借其便捷性和高效性，在支付、門禁、數(shù)據(jù)傳輸?shù)缺姸囝I(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。PN512作為一款高度集成
半導(dǎo)體制冷片設(shè)備-防結(jié)露方案！
半導(dǎo)體制冷片結(jié)露不是小問題，輕則影響精度，重則毀掉設(shè)備。華晶溫控結(jié)合多年案例經(jīng)驗(yàn)，本文提供一些為激光器、精密實(shí)驗(yàn)設(shè)備“量身定制”的防結(jié)露解決方案。為什么“萬能”的防結(jié)露方案不存在？所有結(jié)
PN結(jié)的形成機(jī)制和偏置特性
PN 結(jié)是構(gòu)成二極管、雙極型晶體管、MOS 晶體管等各類半導(dǎo)體器件的核心結(jié)構(gòu)，其本質(zhì)是 p 型半導(dǎo)體與 n 型半導(dǎo)體接觸后，在交界面形成的特殊功能薄層。PN 結(jié)的形成主要通過兩種方式：
北京科技創(chuàng)新促進(jìn)中心文科與科普部李守勇部長(zhǎng)一行蒞臨昱櫟技術(shù)科普基地實(shí)地踏勘
10月14日，北京科技創(chuàng)新促進(jìn)中心文科與科普部部長(zhǎng)李守勇一行蒞臨北京昱櫟技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱“昱櫟技術(shù)”），圍繞科普基地建設(shè)運(yùn)營(yíng)開展實(shí)地踏勘與專題座談。昱櫟技術(shù)董事長(zhǎng)栗旭錦全程陪同，通過“實(shí)景參觀
多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
，有沒有一種簡(jiǎn)單且有效的器件實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓的選擇呢？本文將介紹一種電場(chǎng)型多值電壓選擇晶體管，之所以叫電壓型，是因?yàn)橥ㄟ^調(diào)控晶體管內(nèi)建電場(chǎng)大小來實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓的選擇，原理是PN結(jié)有內(nèi)建電場(chǎng)，通過外加電場(chǎng)來增大或減小
發(fā)表于 09-15 15:31
無結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件結(jié)構(gòu)與工藝
現(xiàn)有的晶體管都是基于 PN 結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)而構(gòu)建的。在未來的幾年里，隨著CMOS制造技術(shù)的進(jìn)步，器件的溝道長(zhǎng)度將小于 10nm。在這么短的距離內(nèi)，為使器件能夠工作，將采用非常高的摻雜濃度梯度。
無結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳解
當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)所構(gòu)成：雙極結(jié)型晶體管（BJT）包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié)
求問各位專家關(guān)于pn結(jié)電容電壓曲線的一些問題
請(qǐng)問各位專家，我是一名學(xué)生，做的pn結(jié)器件進(jìn)行電容-電壓測(cè)試時(shí)，曲線的每一部分都能說明什么問題呢？（測(cè)試時(shí)，p區(qū)從-3V變化到3V，n區(qū)為0V）感覺這個(gè)曲線和文獻(xiàn)中的形狀差別很大，在負(fù)偏壓區(qū)電容幾乎是定值，也沒找到類似的解釋。求教！
發(fā)表于 04-22 10:51
多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
，有沒有一種簡(jiǎn)單且有效的器件實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓的選擇呢？本文將介紹一種電場(chǎng)型多值電壓選擇晶體管，之所以叫電壓型，是因?yàn)橥ㄟ^調(diào)控晶體管內(nèi)建電場(chǎng)大小來實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓的選擇，原理是PN結(jié)有內(nèi)建電場(chǎng)，通過外加電場(chǎng)來增大或減小
模電200問
摻雜？
5、什么是N型半導(dǎo)體?什么是P型半導(dǎo)體?當(dāng)兩種半導(dǎo)體制作在一起時(shí)會(huì)產(chǎn)生什么現(xiàn)象?
6、PN結(jié)最主要的物理特性是什么？
7、PN結(jié)還有那些名稱？
8、
發(fā)表于 04-07 10:21
PN結(jié)的整流特性：MDD整流二極管的核心物理機(jī)制
MDD整流二極管是電力電子和信號(hào)處理電路中的重要器件，其核心工作原理依賴于PN結(jié)的整流特性。PN結(jié)是由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體構(gòu)成的基本結(jié)構(gòu)，通過其單向?qū)щ娦裕瑢?shí)現(xiàn)交流到直流的轉(zhuǎn)換。MD
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論