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SiC等功率器件撐起3000億特高壓建設(shè)

eeDesigner ? 2023-12-05 15:58 ? 次閱讀
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新能源是支撐國(guó)家可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵,隨著"碳達(dá)峰"和"碳中和"目標(biāo)的提出,中國(guó)新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展將再次提速。但新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題是發(fā)電與用電區(qū)域不均衡,風(fēng)電、太陽(yáng)能和水電等可再生能源主要集中在西部和西北部,用電則主要集中在中東部。并且風(fēng)電和太陽(yáng)能(光伏)等發(fā)電方式波動(dòng)性較大,在新能源布局較多的西北部地區(qū),由于用電負(fù)荷低于發(fā)電量,造成了較高比例的"棄風(fēng)"、"棄光"現(xiàn)象。

將大規(guī)模波動(dòng)性新能源發(fā)電接入電網(wǎng),一方面要提高儲(chǔ)能技術(shù),另一方面也要改善輸配電狀況,"西電東送"是解決能源分布不均的重要途徑,而"西電東送"的實(shí)現(xiàn)則離不開特高壓技術(shù)。

特高壓具有輸電容量大、輸電距離遠(yuǎn)、傳輸損耗低、占地少、經(jīng)濟(jì)性明顯等特點(diǎn)。"十四五"期間,中國(guó)國(guó)家電網(wǎng)規(guī)劃建設(shè)特高壓線路"24交14直",涉及線路3萬(wàn)余公里,變電換流容量3.4億千伏安,總投資3,800億元。2022年,中國(guó)國(guó)家電網(wǎng)再開工建設(shè)"四交四直"8項(xiàng)特高壓工程,總投資超過(guò)1,500億元,特高壓建設(shè)迎來(lái)新一輪高潮,也拉動(dòng)了相應(yīng)產(chǎn)業(yè)鏈的成長(zhǎng)。

  • 圖1 : 特高壓輸電示意圖* (圖源:中商產(chǎn)業(yè)研究院)

本文我們將重點(diǎn)討論特高壓技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和挑戰(zhàn),以及應(yīng)用于特高壓系統(tǒng)的功率器件有哪些,并為大家推薦幾款貿(mào)澤電子平臺(tái)在售的、可用于特高壓系統(tǒng)的功率器件。

特高壓輸電的優(yōu)勢(shì)和挑戰(zhàn)

輸電電壓按等級(jí)可以分為低壓、高壓、超高壓和特高壓幾種,低壓通常是220V和380V,也就是家用和一般工業(yè)用電的電壓;高壓指的是電壓等級(jí)在10KV-220KV,城市高壓電纜一般埋在地下,野外則是架在鐵塔上為主;超高壓范圍在330KV-750KV之間,通常是水力、火力發(fā)電等輸送的電壓;特高壓通常是指±1,000KV及以上交流和±800KV及以上的直流輸電。

圖1所示,特高壓既有交流又有直流模式,具體哪種模式好,目前產(chǎn)業(yè)界尚無(wú)定論。交流模式的優(yōu)勢(shì)在于能夠和現(xiàn)階段的電網(wǎng)系統(tǒng)直接接入,直流模式的優(yōu)勢(shì)則在于損耗小,傳輸距離遠(yuǎn),抗故障能力強(qiáng),同樣電壓等級(jí)能傳輸更大功率,不過(guò)直流模式和當(dāng)前的交流電網(wǎng)系統(tǒng)在融合時(shí),需要額外增加換流系統(tǒng)。當(dāng)然,無(wú)論是交流還是直流模式,與高壓、超高壓輸電相比,特高壓的優(yōu)勢(shì)都是顯著的。

首先,特高壓傳輸效率高

1,000KV特高壓交流輸電線路輸送功率約為500KV輸電線路的5倍;±1,100KV特高壓直流輸電能力是±500KV輸電線路的4倍。

其次,特高壓輸電距離遠(yuǎn),線路損耗低

輸送相同功率時(shí),1,000KV交流特高壓和±1100KV直流特高壓的輸電距離分別是500KV輸電線路的4倍和5倍,而線路損耗只有500KV線路的四分之一。

第三,節(jié)約用地

在輸送功率相同的情況下,與500KV超高壓輸電線路相比,采用1,000KV線路輸電單位容量線路走廊占地減少30%,可節(jié)省60%的土地資源。

當(dāng)然,特高壓作為新型電力系統(tǒng)的核心技術(shù),在具體實(shí)施的過(guò)程中也面臨著很多挑戰(zhàn)。特高壓系統(tǒng)的柔性便是一個(gè)挑戰(zhàn),再回頭看圖1,并且我們開篇也提到了,新能源發(fā)電是特高壓系統(tǒng)的重要供電源之一,新能源發(fā)電的隨機(jī)性、波動(dòng)性、間歇性需要特高壓系統(tǒng)具備智能、柔性的調(diào)節(jié)能力;特高壓系統(tǒng)帶來(lái)的另一個(gè)典型挑戰(zhàn)是系統(tǒng)檢修,對(duì)于人類巡檢員來(lái)說(shuō),特高壓系統(tǒng)檢修被定義為"終極挑戰(zhàn)",非常危險(xiǎn),并且很多新能源發(fā)電設(shè)備地處偏遠(yuǎn),進(jìn)一步增加了巡檢的難度。

特高壓生態(tài)中的功率器件

下面,我們通過(guò)直流特高壓輸電系統(tǒng)具體看一下,整個(gè)生態(tài)中會(huì)用到哪些功率器件。

直流輸電核心器件主要由換流站(換流閥)和功率半導(dǎo)體(晶閘管/IGBT)組成。換流閥是直流輸電的核心,價(jià)值量集中、技術(shù)壁壘高。換流閥中的功率半導(dǎo)體組件是換流閥中價(jià)值量占比最高的部分,由大量晶閘管、IGBT組成。許繼電氣在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示,特高壓直流項(xiàng)目中,換流閥占整個(gè)建設(shè)成本的比例約為10%,占電力設(shè)備成本的比重約為30%,而IGBT則占據(jù)了柔性直流換流閥成本的近三分之一,常規(guī)直流換流閥采用晶閘管比較多,相對(duì)便宜一些。

隨著電力系統(tǒng)的電力電子柔性化進(jìn)程加快,焊接型IGBT模塊在容量、效率、電路拓?fù)浜涂煽啃缘确矫娑茧y以滿足應(yīng)用需求,而壓接型IGBT作為一種容量更大、更易串聯(lián)應(yīng)用的新型封裝形式,是特高壓柔性直流輸配電技術(shù)的關(guān)鍵核心器件。

為了克服特高壓系統(tǒng)巡檢難題,5G+特高壓深度融合,通過(guò)一種專門為特高壓電網(wǎng)系統(tǒng)建設(shè)的5G基站,承載密集通道智能運(yùn)檢業(yè)務(wù)的電力5G虛擬專網(wǎng),幫助完成特高壓系統(tǒng)的無(wú)人機(jī)巡檢、高精度定位、智能AI操作等功能。在特高壓質(zhì)檢系統(tǒng)中,晶閘管、IGBT、IGBT模塊以及智能功率模塊的用量都不小。

當(dāng)前,功率半導(dǎo)體器件正朝著提升功率密度、提高開關(guān)速度、降低工作損耗、提高耐溫和增強(qiáng)可靠性等方向發(fā)展;但也面臨著器件結(jié)構(gòu)精細(xì)化、功能集成與智能化、熱管理與可靠性、新型材料與工藝等方面的技術(shù)挑戰(zhàn)。在特高壓輸電生態(tài)中對(duì)功率器件總體要求是高電壓、大功率、效率高、熱性能好、可靠性高,只有具備多年技術(shù)積累的功率器件廠商,才有機(jī)會(huì)成為特高壓生態(tài)的供應(yīng)商。

綜上所述,電子元器件在特高壓生態(tài)中發(fā)揮著重要作用,從特高壓輸電到發(fā)電、配電和用電,工程師都可以在貿(mào)澤電子官網(wǎng)上去查找所需元器件,以及相應(yīng)的技術(shù)資料。下面我們推薦幾款貿(mào)澤電子在售的,適用于特高壓電網(wǎng)生態(tài)的功率器件。

可用于光伏逆變器的SiC MOSFET

太陽(yáng)能光伏發(fā)電是特高壓電力傳輸?shù)哪茉垂┙o來(lái)源之一。而逆變器作為光伏發(fā)電的關(guān)鍵設(shè)備,主要的作用是將光伏組件發(fā)出的直流電通過(guò)功率模塊轉(zhuǎn)變成可以并網(wǎng)的交流電,除此之外,逆變器還承擔(dān)著檢測(cè)組件、電網(wǎng)和電纜運(yùn)行狀態(tài),以及通信等功能。傳統(tǒng)上,光伏逆變器利用IGBT來(lái)實(shí)現(xiàn)直流到交流的轉(zhuǎn)換,但相比硅基工藝的IGBT,基于第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)工藝的功率管有更明顯的優(yōu)勢(shì)。

硅基功率器件耐壓值越高,其單位面積導(dǎo)通電阻就越大,IGBT就是為耐高壓器件減少導(dǎo)通電阻而出現(xiàn)的,通過(guò)控制電導(dǎo)率,IGBT向漂移層內(nèi)注入少數(shù)載流子空穴,因而導(dǎo)通電阻比MOSFET還小,但由于少數(shù)載流子的聚積,IGBT在關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流,從而造成較大的開關(guān)損耗。SiC器件在漂移層的阻抗比硅器件低,因而不用調(diào)制電導(dǎo)率就能以MOSFET實(shí)現(xiàn)高耐壓與低阻抗,而且MOSFET不會(huì)產(chǎn)生尾電流,所以用SiC MOSFET替換IGBT時(shí),能夠明顯減少開關(guān)損耗,而且SiC MOSFET的高頻特性更好,可以在IGBT不能工作的高頻開關(guān)條件下去驅(qū)動(dòng)電路,從而減少電源模塊中電感的體積。

我們?yōu)榇蠹彝扑]的第一款元器件來(lái)自制造商安森美 (onsemi),是一款SiC MOSFET,貿(mào)澤電子網(wǎng)站上的物料號(hào)為NTH4L022N120M3S,大家可以通過(guò)查詢此物料號(hào)快速了解該器件的相關(guān)信息。

NTH4L022N120M3S屬于安森美 M3S 1200V 碳化硅(SiC)MOSFET,針對(duì)快速開關(guān)應(yīng)用做了優(yōu)化。該器件支持onsemi的M3S技術(shù),漏源導(dǎo)通電阻為22毫歐,且降低了EON和EOFF損耗。該器件由18V柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)可提供最佳性能,但也可與15V柵極驅(qū)動(dòng)配合使用。此系列SiC MOSFET具有低開關(guān)損耗,采用TO247-4LD封裝,降低了寄生電感。

  • 圖2: NTH4L022N120M3S結(jié)構(gòu)與封裝* (圖源:安森美)

利用NTH4L022N120M3S,可實(shí)現(xiàn)直流到交流、交流到直流,以及直流到直流的轉(zhuǎn)換,應(yīng)用方式廣泛,因而在電網(wǎng)設(shè)施中,NTH4L022N120M3S既可以用于光伏發(fā)電中的逆變器,也可以用于儲(chǔ)能系統(tǒng)。

光伏逆變器中的半橋SiC模塊

光伏逆變器的主逆變電路有半橋和全橋電路等類型。半橋逆變器由兩個(gè)功率器件開關(guān)串聯(lián)組成,輸出端位于兩個(gè)開關(guān)的中點(diǎn),由上下兩個(gè)開關(guān)的開通、關(guān)斷來(lái)決定輸出的電壓。半橋逆變器配合兩個(gè)分壓電容,可以輸出雙端之間的高頻交流電。開關(guān)旁一般需要并聯(lián)續(xù)流二極管,以便在感性負(fù)載時(shí)起到續(xù)流作用。半橋逆變器配合正負(fù)雙電壓源,可以輸出雙端的完全交流、含有直流分量的交流以及完全直流信號(hào)

半橋逆變電路的功率開關(guān)元器件少,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,但主電路交流輸出的電壓幅值僅為輸入電壓的一半,在同等容量下,其功率開關(guān)的額定電流為全橋逆變電路中的功率元器件額定電流的2倍,由于分壓電容的作用,該電路還具有較強(qiáng)的抗電壓輸出不平衡能力。

接下來(lái),我們就推薦一款貿(mào)澤電子官網(wǎng)在售的安森美半橋SiC模塊,在貿(mào)澤電子的物料號(hào)為NXH006P120MNF2PTG

  • 圖3: NXH006P120MNF2PTG* (圖源:貿(mào)澤電子)

NXH006P120MNF2PTG半橋SiC模塊由兩個(gè)工作電壓1200V的SiC MOSFET開關(guān)和1個(gè)熱敏電阻構(gòu)成,采用F2封裝。兩個(gè)SiC MOSFET開關(guān)采用M1技術(shù),由18V至20V柵極驅(qū)動(dòng),導(dǎo)通電阻僅為6mΩ。該模塊采用平面技術(shù),裸片熱阻低,因此可靠性高,配合熱敏電阻,可以滿足逆變器工作時(shí)對(duì)于溫度控制的要求。

  • 圖4: NXH006P120MNF2PTG系統(tǒng)電路* (圖源:安森美)

NXH006P120MNF2PTG支持的工作結(jié)溫范圍從-40°C至+175°C,在結(jié)溫175°C時(shí)能承受的最大連續(xù)漏級(jí)電流為304A,最大功耗為950W,是一款高性能、低損耗的半橋模塊,非常適合太陽(yáng)能逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)和UPS等電力電子應(yīng)用,也可用于電動(dòng)汽車充電樁領(lǐng)域。

光伏逆變器中的SiC二極管

在光伏逆變器市場(chǎng),SiC二極管由于耐高壓、耐高溫、抗輻射強(qiáng)、小尺寸、功率密度高、容易冷卻等優(yōu)點(diǎn),非常受市場(chǎng)青睞,尤其是在光伏逆變器的前級(jí)MPPT電路中,SiC二極管的這些優(yōu)勢(shì)更加被重視。根據(jù)光伏逆變器從業(yè)人士分享的數(shù)據(jù),相較于使用Si二極管,使用SiC二極管的光伏逆變器,在系統(tǒng)損耗上能夠減少30%,在產(chǎn)品體積和重量上能夠減少40%-60%。

下面,我們?yōu)榇蠹彝扑]一款安森美SiC二極管,貿(mào)澤電子網(wǎng)站上該器件的物料號(hào)為NDC100170A。

  • 圖5: NDC100170A器件橫截面示意圖* (圖源:安森美)

NDC100170A基于安森美全新技術(shù)打造,最高結(jié)溫+175°C,V rrm (重復(fù)反向電壓)為1.7kV,并具有出色的高浪涌電流能力。與硅器件相比,可提供出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。該二極管無(wú)反向恢復(fù)電流,并具有溫度獨(dú)立的開關(guān)特性以及出色的熱性能。

  • 圖6: NDC100170A正向特性* (圖源:安森美)

綜合而言,NDC100170A能夠?yàn)楣夥孀兤飨到y(tǒng)提高系統(tǒng)效率、加快工作頻率、提高功率密度、降低EMI、減小系統(tǒng)尺寸并降低成本。此外,除了適用于光伏逆變器市場(chǎng),NDC100170A也可用于工業(yè)電源以及風(fēng)力發(fā)電逆變器領(lǐng)域。

可用于基站UPS的IGBT

如上文所述,5G+特高壓已經(jīng)成為智能電網(wǎng)里面的一對(duì)黃金組合,既提高了特高壓系統(tǒng)的運(yùn)維效率,也對(duì)人類巡檢員起到了保護(hù)作用。不過(guò),當(dāng)我們對(duì)比用于特高壓系統(tǒng)的5G基站和普通通信用5G基站時(shí),前者所處的環(huán)境更加惡劣,溫濕度變化更大,且遭遇暴雨雷擊的概率也更高,那么配備UPS就是系統(tǒng)的必然選擇。

下面,我們?yōu)榇蠹彝扑]的這款器件依然是來(lái)自安森美,貿(mào)澤電子網(wǎng)站上該器件的物料號(hào)為FGHL50T65MQDT,是一顆可用于UPS系統(tǒng)的IGBT。

  • 圖7: FGHL50T65MQDT* (圖源:貿(mào)澤電子)

FGHL50T65MQDT是場(chǎng)終止溝槽型IGBT,為第4代中速IGBT技術(shù),最高工作結(jié)溫為+175°C,具有正溫度系數(shù),便于并聯(lián)工作。

如下圖8所示,F(xiàn)GHL50T65MQDT具備出色的大電流能力,此外該器件出色的特征還包括平滑和優(yōu)化的開關(guān)以及緊密的參數(shù)分布,再加上該器件100%經(jīng)過(guò)ILM測(cè)試,能夠從容應(yīng)對(duì)特高壓系統(tǒng)下5G基站對(duì)于UPS的巨大挑戰(zhàn)。

  • 圖8: FGHL50T65MQDT典型輸出特性* (圖源:安森美)

當(dāng)然,除了用于UPS設(shè)備,F(xiàn)GHL50T65MQDT也可用于太陽(yáng)能逆變器、ESS、PFC轉(zhuǎn)換器等豐富場(chǎng)景。

"雙碳"目標(biāo)拉動(dòng)功率器件創(chuàng)新

以新能源、特高壓為代表的新型電網(wǎng)正在逐漸改變中國(guó)能源結(jié)構(gòu),在實(shí)現(xiàn)"雙碳"目標(biāo)的過(guò)程中,電網(wǎng)建設(shè)領(lǐng)域有大量功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用場(chǎng)景,電網(wǎng)創(chuàng)新發(fā)展給功率器件提供了難得的發(fā)展機(jī)遇,類似于特高壓或光伏逆變器元器件廠商及電力模塊設(shè)計(jì)者都需要針對(duì)電網(wǎng)具體應(yīng)用方向來(lái)優(yōu)化技術(shù)方案,為工程師提供更好的技術(shù)選擇。

而貿(mào)澤電子官網(wǎng)就像一個(gè)巨大的"儲(chǔ)能基地",為工程師提供了電網(wǎng)解決方案中需要用到的功率器件、功率模塊和各種周邊元器件,還有各種技術(shù)教程和相關(guān)資料。貿(mào)澤電子這樣的"儲(chǔ)能基地"正在為工程師在電力電子技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新提供源源不斷的動(dòng)力。

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    傾佳電力電子設(shè)備高壓輔助電源拓?fù)洹?b class='flag-5'>器件選型與1700V SiC MOSFET技術(shù)分析報(bào)告

    傾佳電力電子設(shè)備高壓輔助電源拓?fù)洹?b class='flag-5'>器件選型與1700V SiC MOSFET技術(shù)分析報(bào)告 I. 緒論:高壓電力電子系統(tǒng)對(duì)輔助電源的嚴(yán)苛要求 傾佳電子(Changer Tech)是一家專
    的頭像 發(fā)表于 10-14 15:06 ?615次閱讀
    傾佳電力電子設(shè)備<b class='flag-5'>高壓</b>輔助電源拓?fù)洹?b class='flag-5'>器件</b>選型與1700V <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET技術(shù)分析報(bào)告

    智慧特高壓變電站智慧系統(tǒng)方案

    前沿技術(shù),構(gòu)建起覆蓋設(shè)備管理、運(yùn)行監(jiān)控、安全防護(hù)的立體化智能體系,為新型電力系統(tǒng)建設(shè)提供關(guān)鍵支撐。一、系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì):三層協(xié)同的智能體系智慧特高壓變電站系統(tǒng)采用“感知層
    的頭像 發(fā)表于 10-10 09:20 ?601次閱讀
    智慧<b class='flag-5'>特高壓</b>變電站智慧系統(tǒng)方案

    串聯(lián)諧振調(diào)諧慢、適配差?武漢特高壓方案 5 分鐘搞定多場(chǎng)景測(cè)試

    特高壓的串聯(lián)諧振解決方案,從硬件設(shè)計(jì)到算法優(yōu)化都直擊行業(yè)痛點(diǎn),近期在多個(gè)特高壓變電站的實(shí)戰(zhàn)表現(xiàn)更是圈粉無(wú)數(shù),今天就從技術(shù)細(xì)節(jié)拆解其核心優(yōu)勢(shì)。? 一、快速調(diào)諧 + 寬頻適配,攻克多場(chǎng)景測(cè)試難題? 傳統(tǒng)串聯(lián)
    發(fā)表于 09-25 15:44

    技術(shù)攻堅(jiān)視角《武漢特高壓:用中國(guó)精度重新定義變頻諧振標(biāo)準(zhǔn)》

    在2025年中國(guó)電力科學(xué)院發(fā)布的《特高壓設(shè)備技術(shù)白皮書》中,武漢特高壓的變頻串聯(lián)諧振裝置以99.2%的精準(zhǔn)度刷新行業(yè)紀(jì)錄。這家企業(yè)如何用十年時(shí)間打破外資品牌壟斷? 技術(shù)突破三重奏 算法革命 :自主
    發(fā)表于 09-17 10:41

    功率器件測(cè)量系統(tǒng)參數(shù)明細(xì)

    在半導(dǎo)體功率器件(如IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT)的研發(fā)、生產(chǎn)與品控中,精準(zhǔn)、高效、可靠的測(cè)量系統(tǒng)是確保器件性能達(dá)標(biāo)、加速產(chǎn)品上市的關(guān)鍵。天恒科儀
    發(fā)表于 07-29 16:21

    功率器件中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析:以SiC與IGBT為例

    隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展,碳化硅(SiC)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率
    的頭像 發(fā)表于 06-03 15:43 ?1443次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析:以<b class='flag-5'>SiC</b>與IGBT為例

    直流高壓發(fā)生器的應(yīng)用范圍

    武漢特高壓旗下的直流高壓發(fā)生器可以幫助眾多電力工作者更加方便的進(jìn)行各類電力測(cè)試。 在電力設(shè)備的測(cè)試與維護(hù)領(lǐng)域,直流高壓發(fā)生器是必不可少的關(guān)鍵設(shè)備之一。武漢特高壓作為一家專業(yè)的直流
    發(fā)表于 05-16 08:53

    GaN與SiC功率器件深度解析

    本文針對(duì)當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異?;趯?duì)市售GaN與SiC
    的頭像 發(fā)表于 05-15 15:28 ?2106次閱讀
    GaN與<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>深度解析

    Keithley高壓靜電計(jì)的SiC器件兆伏級(jí)瞬態(tài)擊穿特性研究

    )使其在高壓、高溫及高頻應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。相比傳統(tǒng)Si基器件,SiC功率器件具有更低的導(dǎo)通損耗(降低約50%~70%)、更高的開關(guān)頻
    的頭像 發(fā)表于 03-31 13:36 ?723次閱讀
    Keithley<b class='flag-5'>高壓</b>靜電計(jì)的<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>器件</b>兆伏級(jí)瞬態(tài)擊穿特性研究

    全球功率半導(dǎo)體變革:SiC碳化硅功率器件中國(guó)龍崛起

    功率器件變革中SiC碳化硅中國(guó)龍的崛起:從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來(lái)趨勢(shì) 當(dāng)前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基
    的頭像 發(fā)表于 03-13 00:27 ?957次閱讀