IR這個詞并不是什么縮寫，這里的I就是指電流，R是指電阻，他們放在一起相乘，得出來的結(jié)果就是電壓。所以說IR drop就是指電壓降，哈哈，剛接觸芯片后端會看到太多縮寫，突然來個IR一時會反應(yīng)不過來是電壓。

所謂電壓降，就是指從芯片源頭供電到instance所消耗的電壓，對于flipchip封裝形式，就是從bump到instance PG pin的電壓降。

Instance實際得到的電壓就是供電電壓減去電壓降的部分。比如bump接的外界輸入電壓Vdd 5V，Vss 0V，這個bump的電壓到某一個instance后，可能Vdd只剩4V，Vss變?yōu)?V，那么這個instance得到的電壓就只有3V，電壓降就是2V。

IR drop是芯片后端signoff的一項重要內(nèi)容，必須保證IR drop不能過大，否則芯片可能會因為得不到所需的電壓而發(fā)生邏輯錯誤或停止工作。

這個IR drop也是會有相應(yīng)spec要求的，一般會按照供電電壓的百分比來定，如果定了10%，對于5V的輸入來說，就要求IR drop不能大于0.5V。

IR drop分為靜態(tài)壓降和動態(tài)壓降，即static IR & dynamic IR。靜態(tài)壓降的計算不考慮電流隨時間的變化，或者說以很長一段時間內(nèi)的平均電流代指instance的電流。

R值的計算也相對簡單，不會過多考慮電流趨膚效應(yīng)對電阻的影響，可以由PG網(wǎng)絡(luò)抽取出R值，并認為它也是恒定不變的。

這樣，IR相乘得出靜態(tài)壓降也是一個不變量，算靜態(tài)壓降的意義在于可以快速評估芯片的PG網(wǎng)絡(luò)如何，powerplan是否做的足夠好。

如果出現(xiàn)許多static IR的violation，可能就需要重新調(diào)整PG網(wǎng)絡(luò)。那么，static IR的這個平均電流是如何得到的呢？

實際上，我們是先利用primepower等算power的工具先算出instance的power值，再根據(jù)power和instance的電阻得出流過他的電流。

Dynamic IR的計算相對復(fù)雜，它考慮了電流隨時間的變化，通過對芯片長時間的模擬，可以認為某個instance的電流是隨時間周期性變化的，相應(yīng)的它的IR drop也會是一個隨時間變化的函數(shù)。

一般會有三個比較關(guān)心的指標：peak IR、average IR、RMS IR。Peak IR即為電壓降的峰值，我們需要保證峰值壓降也在可接受范圍內(nèi)。

Average IR指的是每個周期的平均壓降，其實也有點類似static IR，但是計算方式會有所差異。

RMS IR指root mean squre IR，也就是算IR drop隨時間變化的方差，有的時候我們需要保證instance的電壓降要平緩的變化，RMS就可以反映電壓降隨時間的離散程度。

一般來說，dynamic IR的計算耗時很長，適用于找到個別instance的violation，而后針對性的調(diào)整某個instance?？梢耘矂铀奈恢玫絀R比較好的區(qū)域，也可以針對性的在某一塊補一些PG mesh。

我知道的IR分析工具有redhawk、redhawksc、voltus等。