IBM、美光、應用材料、東京電子宣布合作建設 High-NA EUV 研發(fā)中心
12 月 12 日消息，今天早些時候，紐約州長凱西?霍楚爾（Kathy Hochul ）宣布與 IBM、美光、應用材料、東京電子（東京威力科創(chuàng)）等半導體巨頭達成合作，投資 100 億美元，在紐約州 Albany NanoTech Complex 建設下一代 High-NA EUV 半導體研發(fā)中心。
根據(jù)聲明，負責協(xié)調(diào)該設施建設的非營利性機構(gòu) NY Creates 將利用 10 億美元州政府資金向 ASML 采購 TWINSCAN EXE:5200 ***。
紐約州表示，一旦機器安裝完畢，該項目及其合作伙伴將開始研究下一代芯片制造。官方聲明指出，該項目將創(chuàng)造 700 個工作崗位，并帶來至少 90 億美元的私人投資。
此外，官方還強調(diào)，這將是北美第一個也是唯一一個擁有 High-NA EUV 光刻系統(tǒng)的公有研發(fā)中心，將為開發(fā)和生產(chǎn) 2nm 節(jié)點甚至更先進的芯片鋪平道路。
審核編輯 黃宇
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