電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/莫婷婷）近日，屹唐股份指控應(yīng)用材料侵權(quán)，一場(chǎng)由前員工跳槽引發(fā)的商業(yè)秘密之爭(zhēng)成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。加之此前臺(tái)積電2納米核心技術(shù)泄密等事件、華為起訴尊湃等侵權(quán)案件頻現(xiàn)，再次凸顯了高端芯片技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)背后的知識(shí)產(chǎn)權(quán)安全挑戰(zhàn)。


屹唐股份指控應(yīng)用材料“挖人竊密”，索賠近億元
北京屹唐半導(dǎo)體科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“屹唐股份”）認(rèn)為應(yīng)用材料公司（APPLIED MATERIALS, INC.）（以下簡(jiǎn)稱“應(yīng)用材料”）非法獲取并使用了公司的等離子體源及晶圓表面處理相關(guān)的核心技術(shù)秘密，并在中國境內(nèi)以申請(qǐng)專利的方式披露了該技術(shù)秘密，且將該專利申請(qǐng)權(quán)據(jù)為己有，因此提起訴訟，訴訟金額為人民幣9999萬元。

屹唐股份認(rèn)為，此次侵權(quán)主要原因是應(yīng)用材料公司通過“挖角”其掌握核心技術(shù)的兩名前員工，并利用其知識(shí)在中國申請(qǐng)專利，從而非法獲取、使用和披露了其核心等離子體處理技術(shù)秘密，構(gòu)成了嚴(yán)重的商業(yè)秘密侵權(quán)。

此次涉及的核心技術(shù)為屹唐股份掌握的利用高濃度、穩(wěn)定均勻的等離子體進(jìn)行晶圓表面處理技術(shù)，該技術(shù)廣泛應(yīng)用于干法去膠、蝕刻及表面處理等半導(dǎo)體加工設(shè)備。屹唐股份在該領(lǐng)域具備領(lǐng)先的原創(chuàng)性技術(shù)能力，并擁有相關(guān)技術(shù)秘密。

應(yīng)用材料公司雇傭了曾任職于屹唐全資子公司MTI公司的兩名涉事員工。此二人知悉并掌握關(guān)于等離子體的產(chǎn)生和處理方法的核心技術(shù)，熟悉和掌握相關(guān)設(shè)備結(jié)構(gòu)以及技術(shù)工藝細(xì)節(jié)，且在職期間簽署過嚴(yán)格保密協(xié)議。

兩名涉事前員工入職應(yīng)用材料公司后，以其為主要發(fā)明人向中國國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交發(fā)明專利申請(qǐng)。該專利申請(qǐng)內(nèi)容被屹唐股份指認(rèn)披露了其與MTI共同擁有的、受保密協(xié)議保護(hù)的技術(shù)秘密。

屹唐股份認(rèn)為，應(yīng)用材料公司通過招聘掌握其核心機(jī)密的前員工，并利用其知識(shí)申請(qǐng)專利，構(gòu)成了非法獲取、使用并以公開方式披露原告商業(yè)秘密的行為。此舉違反了《中華人民共和國反不正當(dāng)競(jìng)爭(zhēng)法》，屬于典型的侵犯商業(yè)秘密。該行為不僅嚴(yán)重?fù)p害了屹唐股份的知識(shí)產(chǎn)權(quán)和經(jīng)濟(jì)利益，應(yīng)用材料公司還被查出利用該技術(shù)秘密開發(fā)產(chǎn)品并在中國境內(nèi)推廣銷售，進(jìn)一步擴(kuò)大侵權(quán)損害。

美國知名半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)MTI成立于1988年，公司業(yè)務(wù)聚焦前道芯片制造工序，包括干法去膠設(shè)備、快速熱處理設(shè)備、干法刻蝕設(shè)備等。2016年，屹唐股份完成對(duì)MTI的私有化收購，至此上述技術(shù)成為屹唐股份的核心技術(shù)之一。

美國應(yīng)用材料公司是業(yè)內(nèi)先進(jìn)的半導(dǎo)體和顯示設(shè)備供應(yīng)商，主要提供沉積、刻蝕、光刻等半導(dǎo)體設(shè)備、顯示器設(shè)備、太陽能光伏設(shè)備等產(chǎn)品。該公司已經(jīng)擁有超2.2萬項(xiàng)專利，是第一家進(jìn)入中國的國際半導(dǎo)體設(shè)備公司。數(shù)據(jù)顯示，2023年，應(yīng)用材料公司在半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)的份額排名第二，銷售額達(dá)到204億元，行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手包括ASML、Lam Research等。

正是由于上述公司在行業(yè)的領(lǐng)先地位及近億元的賠償金額，此次侵權(quán)事件備受關(guān)注。它反映了當(dāng)前全球高科技產(chǎn)業(yè)面臨的共同挑戰(zhàn)：在推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新的同時(shí)，如何有效保護(hù)這些創(chuàng)新成果免受非法侵害。


內(nèi)部技術(shù)泄密風(fēng)暴頻現(xiàn)，廠商爭(zhēng)搶新興市場(chǎng)的入場(chǎng)券
屹唐股份主要提供干法去膠設(shè)備、快速熱處理設(shè)備、干法刻蝕設(shè)備在內(nèi)的集成電路制造設(shè)備及配套工藝解決方案。截至2024年12月31 日，公司產(chǎn)品全球累計(jì)裝機(jī)數(shù)量已超過4800臺(tái)。


圖：集成電路制造前道工藝流程及主要設(shè)備（紅色部分為屹唐股份三類專用設(shè)備所應(yīng)用的主要工藝環(huán)節(jié)與流程）

屹唐股份在干法去膠設(shè)備、快速熱處理設(shè)備、干法刻蝕設(shè)備三大領(lǐng)域均掌握了相關(guān)核心技術(shù)，并在持續(xù)提高設(shè)備工藝性能、產(chǎn)能，提升客戶產(chǎn)品良率和降低客戶成本等方面不斷進(jìn)行創(chuàng)新和改進(jìn)。

屹唐股份此前公開的招股書顯示，在干法刻蝕設(shè)備方面，公司掌握了雙晶圓真空反應(yīng)腔設(shè)計(jì)、各雙晶圓反應(yīng)腔配備獨(dú)立真空傳送模塊設(shè)備平臺(tái)設(shè)計(jì)等自主研發(fā)的技術(shù)，多項(xiàng)技術(shù)具有國際先進(jìn)水平，其中雙晶圓真空反應(yīng)腔設(shè)計(jì)工藝性能可以和單晶圓反應(yīng)腔設(shè)計(jì)比肩，并具有產(chǎn)能高，成本低，占地小的優(yōu)勢(shì)。



截至2025年2月11日，公司擁有發(fā)明專利445項(xiàng)、實(shí)用新型專利1項(xiàng)，科研成果在全球主要半導(dǎo)體生產(chǎn)地區(qū)申請(qǐng)專利保護(hù)。

屹唐股份指出，為加強(qiáng)對(duì)技術(shù)資料保密工作的統(tǒng)一管理，防止技術(shù)泄密，公司建立了知識(shí)產(chǎn) 權(quán)管理制度，對(duì)專利申請(qǐng)流程進(jìn)行了規(guī)范，保證公司的技術(shù)研發(fā)成果可以及時(shí)、高效地申請(qǐng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)。

盡管屹唐股份已經(jīng)建立的完善的知識(shí)產(chǎn)權(quán)管理制度，但是無法完全杜絕因人員流動(dòng)引發(fā)的技術(shù)泄密風(fēng)險(xiǎn)——正如前文提到的跳槽至競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的兩名前員工。

在半導(dǎo)體這個(gè)技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)中，人才流動(dòng)與技術(shù)創(chuàng)新相伴相生，但也催生了商業(yè)秘密泄露的灰色地帶。當(dāng)前，半導(dǎo)體及高科技領(lǐng)域的商業(yè)秘密侵權(quán)事件頻發(fā)，核心技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)的白熱化。

就在此前，華為指控南京尊湃通訊科技有限公司及其部分高管（多為華為前員工）非法獲取、使用華為在Wi-Fi6芯片研發(fā)領(lǐng)域的技術(shù)秘密。最終，法院判以首犯張琨被判處有期徒刑六年，并處罰金三百萬元人民幣，同時(shí)被禁止在五年內(nèi)從事芯片相關(guān)行業(yè)，其余13名被告也分別獲刑。

臺(tái)積電2納米制程技術(shù)泄密事件在半導(dǎo)體行業(yè)里也備受關(guān)注，該技術(shù)遭內(nèi)部員工與臺(tái)積電前工程師勾結(jié)泄露，涉事人員通過手機(jī)拍攝、網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)确绞礁`取機(jī)密資料。資料顯示，部分資料疑似經(jīng)東京電子公司員工泄露到日本Rapidus公司。案件已進(jìn)入司法程序，涉事違規(guī)人員已被開除。


不管是等離子體進(jìn)行晶圓表面處理技術(shù)，還是華為的Wi-Fi 6技術(shù)、臺(tái)積電2納米制程技術(shù)，這些核心技術(shù)均是備受關(guān)注的新一代技術(shù)。伴隨著第三代半導(dǎo)體、功率器件、AI芯片等關(guān)鍵元器件的持續(xù)迭代升級(jí)，芯片生產(chǎn)所涉及的各項(xiàng)核心技術(shù)也需同步實(shí)現(xiàn)更新?lián)Q代。

以屹唐股份為例，其正全力研發(fā)高產(chǎn)能干法去膠設(shè)備，相關(guān)研究涵蓋去膠及先進(jìn)光刻薄膜去除工藝、產(chǎn)能提升等研究?jī)?nèi)容，可應(yīng)用于先進(jìn)3D閃存集成電路制造，其他先進(jìn)邏輯/存儲(chǔ)集成電路制造。

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)qyresearch的數(shù)據(jù)顯示，2022年全球3D NAND閃存市場(chǎng)銷售額高達(dá)1274億元，預(yù)計(jì)到了2029年將增長(zhǎng)至4797億元。這一市場(chǎng)呈現(xiàn)出持續(xù)增長(zhǎng)的強(qiáng)勁態(tài)勢(shì)，應(yīng)用材料和屹唐股份都想在這片市場(chǎng)占據(jù)一席之地，因此技術(shù)的持續(xù)迭代無疑成為企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的核心優(yōu)勢(shì)。

再看當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)前沿的 2 納米芯片制造工藝。7月18日，Rapidus宣布旗下工廠已經(jīng)開始2納米全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管的測(cè)試晶圓原型制作。然而，此前臺(tái)積電發(fā)生的 2 納米制程技術(shù)泄密事件，使得業(yè)界對(duì) Rapidus 何時(shí)能夠真正推出該項(xiàng)技術(shù)給予了高度關(guān)注。


小結(jié)：
當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)核心技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)已趨白熱化，技術(shù)泄密與專利爭(zhēng)奪頻發(fā)。人才流動(dòng)引發(fā)的技術(shù)泄露風(fēng)險(xiǎn)，凸顯企業(yè)在技術(shù)創(chuàng)新與知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)間的平衡難題。隨著3D NAND、2納米制程等前沿技術(shù)迭代空前加快，技術(shù)壁壘與市場(chǎng)爭(zhēng)奪同步升級(jí)，行業(yè)需強(qiáng)化保密機(jī)制與法律維權(quán)，方能在激烈競(jìng)爭(zhēng)中守住核心競(jìng)爭(zhēng)力。