一,晶振
晶體要盡量靠近芯片Pin,遠(yuǎn)離諸如功率電感的磁感應(yīng)器件與諸如天線的輻射器件,與同層其他信號(hào)走線利用GND鋪銅及VIA隔離。晶體輸入輸出走線要盡可能短且少?gòu)澱?,不可跨層或交叉走線。兩邊負(fù)載電容與晶體各自的GND和PAD可以相連,并擺放多個(gè)GND和VIA以提高散熱保障。晶體下方盡量不走任何傳輸線,保留完整的GND鋪銅。晶振電路走線以及匹配電容應(yīng)該與晶振在同一側(cè),盡量不穿層。布局應(yīng)該使晶振靠近MCU,晶振電路走線不能太長(zhǎng),不要超過12mm。在晶振同層以及下一層與其他電路間隔開,晶振電路周圍也使用接地 VIA 形成保護(hù)環(huán)。

二,下載口
MCU的 SWD 燒錄口走線應(yīng)盡量短,遠(yuǎn)離板邊 12mm。有以下幾種方式可以提高SWD下載調(diào)試通信的可靠性,增強(qiáng)下載調(diào)試的抗干擾能力??s 短SWD兩個(gè)信號(hào)線長(zhǎng)度,最好15cm以內(nèi);將SWD兩根線和GND線編個(gè)麻花,纏在一 起;在SWD兩根信號(hào)線對(duì)地各并幾十pF小電容;SWD兩根信號(hào)線任意IO串入100Ω~1KΩ 電阻。

三,復(fù)位電路
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