一季度產(chǎn)能將達(dá)17000片晶圓/月。

據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士稱(chēng)，盡管最近市場(chǎng)傳言英偉達(dá)已縮減2024年與臺(tái)積電代工廠的訂單，但臺(tái)積電仍在繼續(xù)擴(kuò)大其CoWoS封裝產(chǎn)能。

最近市場(chǎng)傳言表明，英偉達(dá)在中國(guó)大陸的收入已經(jīng)崩潰，其他市場(chǎng)無(wú)法填補(bǔ)中國(guó)大陸巨大的需求缺口。此外，接替H100的下一代GPU HGX H200將于第二季度上市，第三季度銷(xiāo)量將有所增加。客戶(hù)對(duì)現(xiàn)有H100和新H200芯片的訂單正在調(diào)整，帶來(lái)不確定性。

據(jù)傳言，由于這些不確定性，英偉達(dá)首次削減了臺(tái)積電預(yù)期的4nm工藝和CoWoS產(chǎn)能訂單。

晶圓廠設(shè)備制造商稱(chēng)，臺(tái)積電的可用CoWoS產(chǎn)能仍不足以滿(mǎn)足需求。消息人士稱(chēng)，盡管臺(tái)積電努力加快設(shè)備改造，但到2023年底，CoWoS的月產(chǎn)能僅為15000片晶圓。

消息人士指出，臺(tái)積電正在修改InFO（集成扇出型）的部分設(shè)備，以支持CoWoS生產(chǎn)，該設(shè)備仍處理大部分先進(jìn)封裝出貨。CoWoS封裝的月產(chǎn)能預(yù)計(jì)將在2024年第一季度達(dá)到17000片晶圓。

消息人士稱(chēng)，臺(tái)積電還為CoWoS生產(chǎn)分配更多晶圓廠產(chǎn)能，這將導(dǎo)致2024年CoWoS封裝的月產(chǎn)能逐季增加，最終達(dá)到26000-28000片晶圓。

CoWoS封裝產(chǎn)能限制AI芯片出貨量

英偉達(dá)AI GPU的短缺是由于臺(tái)積電CoWoS封裝的產(chǎn)能不足。

臺(tái)積電應(yīng)眾多客戶(hù)要求，于2023年第二季度開(kāi)始緊急配置產(chǎn)能，新CoWoS設(shè)備的交付時(shí)間超過(guò)6個(gè)月，部分設(shè)備從接到訂單到生產(chǎn)安裝需要長(zhǎng)達(dá)10個(gè)月的時(shí)間。盡管如此，廣達(dá)電腦、緯創(chuàng)資通、超微（Supermicro）、技嘉、華碩等公司聲稱(chēng)有訂單但無(wú)法履行，這表明CoWoS供應(yīng)缺口仍然存在。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)積電大約一半的CoWoS封裝可用產(chǎn)能仍專(zhuān)門(mén)用于滿(mǎn)足英偉達(dá)AI GPU的需求，這表明英偉達(dá)對(duì)即將于今年晚些時(shí)候發(fā)布的H200和B100 GPU充滿(mǎn)信心。3nm B100系列預(yù)計(jì)2024年底出貨。

英偉達(dá)計(jì)劃在2024年第二季度發(fā)布規(guī)格較低的定制AI芯片，而高端H100 GPU仍然在全球范圍內(nèi)需求旺盛且缺貨。

臺(tái)積電已承諾在2024年大幅增加CoWoS封裝產(chǎn)能。消息人士稱(chēng)，除了英偉達(dá)之外，隨著微軟和其他客戶(hù)采用MI300 AI GPU系列，AMD也增加了對(duì)臺(tái)積電CoWoS封裝的需求。另外，博通也是預(yù)付CoWoS產(chǎn)能費(fèi)用的客戶(hù)。

臺(tái)積電在舉辦的 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）的小組研討會(huì)上透露，其 1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開(kāi)。根據(jù) SemiAnalysis 的 Dylan Patel 給出的幻燈片，臺(tái)積電的 1.4nm 制程節(jié)點(diǎn)正式名稱(chēng)為 A14。

目前臺(tái)積電尚未透露 A14 的量產(chǎn)時(shí)間和具體參數(shù)，但考慮到 N2 節(jié)點(diǎn)計(jì)劃于 2025 年底量產(chǎn)，N2P 節(jié)點(diǎn)則定于 2026 年底量產(chǎn)，因此 A14 節(jié)點(diǎn)預(yù)計(jì)將在 2027-2028 年問(wèn)世。

在技術(shù)方面，A14 節(jié)點(diǎn)不太可能采用垂直堆疊互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CFET）技術(shù)，不過(guò)臺(tái)積電仍在探索這項(xiàng)技術(shù)。因此，A14 可能將像 N2 節(jié)點(diǎn)一樣，依賴(lài)于臺(tái)積電第二代或第三代環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GAAFET）技術(shù)。

半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，臺(tái)積電目前已經(jīng)感受到三星和英特爾的壓力，而且創(chuàng)始人張忠謀已經(jīng)將主要擔(dān)憂(yōu)從三星轉(zhuǎn)移到英特爾方面。

英特爾近日發(fā)布報(bào)告，在 PowerVia 背面供電技術(shù)、玻璃基板和用于先進(jìn)封裝的 Foveros Direct 方面均取得較大成功。

根據(jù) TrendForce 集邦咨詢(xún) 3Q23 全球晶圓代工營(yíng)收 TOP10 排名，英特爾晶圓代工業(yè)務(wù)首次進(jìn)入全球 TOP10，以業(yè)界最快的季度增長(zhǎng)位列第九。

2011年，臺(tái)積電技術(shù)專(zhuān)家余振華帶來(lái)了第一個(gè)產(chǎn)品——CoWoS。

CoWoS（Chip On Wafer On Substrate）是一種2.5D的整合生產(chǎn)技術(shù)，由CoW和oS組合而來(lái)：先將芯片通過(guò)Chip on Wafer（CoW）的封裝制程連接至硅晶圓，再把CoW芯片與基板（Substrate）連接，整合成CoWoS。據(jù)悉，這是蔣尚義在2006年提出的構(gòu)想。

CoWoS的核心是將不同的芯片堆疊在同一片硅中介層實(shí)現(xiàn)多顆芯片互聯(lián)。在硅中介層中，臺(tái)積電使用微凸塊（μBmps）、硅穿孔（TSV）等技術(shù)，代替?zhèn)鹘y(tǒng)引線(xiàn)鍵合用于裸片間連接，大大提高了互聯(lián)密度以及數(shù)據(jù)傳輸帶寬。

CoWoS技術(shù)實(shí)現(xiàn)了提高系統(tǒng)性能、降低功耗、縮小封裝尺寸的目標(biāo)，從而也使臺(tái)積電在后續(xù)的封裝技術(shù)保持領(lǐng)先。

這也是目前火熱的HBM內(nèi)存、Chiplet等主要的封裝技術(shù)。

據(jù)悉，繼英偉達(dá)10月確定擴(kuò)大下單后，蘋(píng)果、AMD、博通、Marvell等重量級(jí)客戶(hù)近期也對(duì)臺(tái)積電追加CoWoS訂單。臺(tái)積電為應(yīng)對(duì)上述五大客戶(hù)需求，加快CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能擴(kuò)充腳步，明年月產(chǎn)能將比原訂倍增目標(biāo)再增加約20%，達(dá)3.5萬(wàn)片——換言之，臺(tái)積電明年CoWoS月產(chǎn)能將同比增長(zhǎng)120%。

同時(shí)，臺(tái)積電根據(jù)不同的互連方式，把“CoWoS”封裝技術(shù)分為三種類(lèi)型：

CoWoS-S：它使用Si中介層，該類(lèi)型是2011年開(kāi)發(fā)的第一個(gè)“CoWoS”技術(shù)，為高性能SoC和HBM提供先進(jìn)的封裝技術(shù)；

CoWoS-R：它使用重新布線(xiàn)層（RDL）進(jìn)行布線(xiàn)，更強(qiáng)調(diào)Chiplet間的互連。能夠降低成本，不過(guò)劣勢(shì)是犧牲了I/O密度；

CoWoS-L：它使用小芯片（Chiplet）和LSI（本地硅互連）進(jìn)行互連，結(jié)合了CoWoS-S和InFO技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，具有靈活集成性。

多年來(lái)，CoWoS一直在追求不斷增加硅中介層尺寸，以支持封裝中的處理器和HBM堆棧。臺(tái)積電通過(guò)長(zhǎng)期的技術(shù)積累和大量成功案例，目前CoWoS封裝技術(shù)已迭代到了第5代。

審核編輯：黃飛