大家在GD32 MCU應(yīng)用時，是否會碰到以下應(yīng)用需求：希望在MCU掉電時保存一定的數(shù)據(jù)或標(biāo)志，用以記錄一些關(guān)鍵的數(shù)據(jù)。

以GD32E103為例，數(shù)據(jù)的存儲介質(zhì)可以選擇內(nèi)部Flash或者備份數(shù)據(jù)寄存器。

如下圖所示，片內(nèi)Flash具有10年的保存壽命，10萬次擦寫，頁擦除時間在3.5ms，字寫入時間在40us左右，F(xiàn)lash特性決定Flash需要先擦后寫，擦寫要求的電壓范圍為供電范圍：1.8V-3.6V.

GD32 MCU基本都支持備份數(shù)據(jù)寄存器，GD32E103系列支持84字節(jié)數(shù)據(jù)寄存器，可以在VDD掉電，VBAT有電的情況下進(jìn)行數(shù)據(jù)保存，備份數(shù)據(jù)寄存器不需要擦除可以直接寫入，數(shù)據(jù)更新速度較快。

下面為大家介紹數(shù)據(jù)掉電保存的實現(xiàn)，電源掉電的檢測可以選擇使用LVD低壓檢測功能，如下圖所示，LVD 的功能是檢測 VDD / VDDA 供電電壓是否低于低電壓檢測閾值，該閾值由電源控制寄存器（PMU_CTL） 中的 LVDT[2:0]位進(jìn)行配置。 LVD 通過 LVDEN 置位使能，位于電源控制和狀態(tài)寄存器（PMU_CS） 中的 LVDF 位表示低電壓事件是否出現(xiàn)，該事件連接至 EXTI 的第 16 線，用戶可以通過配置 EXTI 的第 16 線產(chǎn)生相應(yīng)的中斷。

使用LVD檢測到掉電事件后，從LVD閾值到PDR電壓之間會有一個時間窗口，可用以實現(xiàn)掉電數(shù)據(jù)保存，這個時間由掉電速度決定，因而對數(shù)據(jù)保存的時間要求很高。若系統(tǒng)供電只有VDD供電，VBAT外部未接電池或者需要保存的數(shù)據(jù)比較多的情況下，可以選擇使用內(nèi)部Flash作為存儲介質(zhì)，為了節(jié)省數(shù)據(jù)更新的時間，可以采用雙備份的方式，在系統(tǒng)運行的過程中，先擦除一個備份，檢測到掉電事件后，節(jié)省擦除時間，直接向備份區(qū)域?qū)懭敫聰?shù)據(jù)；若系統(tǒng)供電VBAT外接了電池，且更新的數(shù)據(jù)小于84字節(jié)，可以選擇將數(shù)據(jù)寫入備份數(shù)據(jù)寄存器，其更新速度更快。另外如果評估下來掉電時間過快來不及更新數(shù)據(jù)的話，可以從硬件上減緩掉電速度，以預(yù)留更長的時間窗口。

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