91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

2024年DRAM、NAND Flash合約價將如何演繹呢?

半導(dǎo)體芯情 ? 來源:半導(dǎo)體芯情 ? 2024-01-23 11:44 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

存儲作為半導(dǎo)體領(lǐng)域最大的一個細(xì)分之一,一直以來,它是行情晴雨表。2024年電子存儲行情如何呢?

一般情況,一季度電子行業(yè)需求回升,據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,2024年第一季DRAM合約價季漲幅約13~18%;NAND Flash則是18-23%。第一季調(diào)升產(chǎn)能利用率,加上NAND Flash買方也早在第一季將陸續(xù)完成庫存回補,DRAM、NAND Flash第二季合約價季漲幅皆收斂至3~8%。

隨著需求上漲,9月開學(xué)季和招工需求增加,電子行業(yè)一般在第三季是增長最猛烈的。2024年第三季進(jìn)入傳統(tǒng)旺季,兩者合約價季漲幅有機(jī)會同步擴(kuò)大至8~13%。第四季在供應(yīng)商能夠維持有效的控產(chǎn)策略的前提下,漲勢應(yīng)能延續(xù),預(yù)估DRAM合約價季漲幅約8~13%。

DRAM和NAND Flash在2022和2023表現(xiàn)如何?

DRAM在2022年第二季度創(chuàng)下255.9億美元的紀(jì)錄后,出貨量大幅下降。到2023年*季度降至96.6億美元,約為峰值的38%。但隨后開始復(fù)蘇,同年第三季度增至 134.8 億美元,約為峰值的 53%。

1、DRAM減產(chǎn),漲飛

內(nèi)存漲價核心原因是全球存儲巨頭持續(xù)減產(chǎn),加上人工智能和高性能計算應(yīng)用的興起,以及智能手機(jī)市場的庫存補充等諸多因素影響。

根據(jù)集邦咨詢報道,有消息稱三星和美光計劃 2024 年第 1 季度提高 DRAM 價格,增幅在 15% 至 20% 區(qū)間。由于人工智能和高性能計算的應(yīng)用日益廣泛,加上智能手機(jī)和個人電腦市場逐漸復(fù)蘇,市場預(yù)計 2024 年 DRAM 供應(yīng)緊張。

業(yè)內(nèi)人士表示,目前第 1 季度的合同價格談判已經(jīng)開始,存儲廠商計劃 1 月調(diào)整 DRAM 價格,敦促客戶為未來的使用需求做好規(guī)劃。

市場上有報道稱,三星最近宣布 DRAM 價格將從 2024 年第一季度開始上漲至少 15%。雖然目前還沒有 NAND 閃存漲價的明確跡象,但預(yù)計會跟進(jìn)上漲。IT之家援引該機(jī)構(gòu)觀點,預(yù)計 DRAM 價格上漲趨勢將持續(xù)到 2024 年底。對于 2024 年第一季 DRAM 價格走勢,TrendForce 目前維持季節(jié)性平均漲幅 13-18% 的預(yù)測,其中移動 DRAM 漲幅最高,服務(wù)器 DRAM 則相對保守。

業(yè)內(nèi)人士,由于 2024 年全年需求前景不明,內(nèi)存制造商認(rèn)為有必要繼續(xù)減產(chǎn),以維持內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的供需平衡。

2、NAND幾連漲

NAND Flash的表現(xiàn)和內(nèi)存大部分相同,但是它也有自己的走勢。NAND在2022年第二季度創(chuàng)下181.2億美元的紀(jì)錄后,與DRAM一樣急劇下降,到2023年*季度跌至86.3億美元,約為峰值的48%。盡管DRAM開始復(fù)蘇,但NAND幾乎持平,在第三季度保持在92.3億美元。

2023年四季度,DRAM和NAND Flash合約價均實現(xiàn)13%至18%的漲幅,今年一季度延續(xù)這一漲勢。“上游存儲原廠減產(chǎn)后,庫存快速去化,疊加原廠端致力于提升獲利能力,導(dǎo)致價格有較大漲幅。”集邦咨詢分析師王豫琪表示。

隨著下游傳統(tǒng)消費電子需求的逐漸復(fù)蘇與服務(wù)器需求的穩(wěn)定增長,存儲芯片需求也將迎來相應(yīng)增長。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是典型的強(qiáng)周期性行業(yè),4年至5年完成一輪周期。

供應(yīng)鏈人士表示,先前NAND芯片價格崩跌太深,盡管合約價季漲幅看來不小,但距離芯片廠達(dá)到轉(zhuǎn)盈還有一段距離,預(yù)期價格至上還要再漲四成,才能讓供應(yīng)商跨過損平基準(zhǔn)點。

有專業(yè)人士分析道,雖然NAND市場價格7-8月開始醞釀漲價,10月漲幅才比較明顯,目前NAND報價呈現(xiàn)逐月持續(xù)向上。主要受到原廠虧損已長達(dá)1年多,各家原廠對價格堅持的態(tài)度很明顯,且有部分品項回到損益平衡、有些尚未回歸成本價格。2024年還有拉升價格的動力,但市場需求將決定價格后續(xù)調(diào)漲的動力。

2023年四季度,NAND Flash出貨量環(huán)比增長3%,整體合并營收達(dá)到 92.29 億美元,環(huán)比增幅約 2.9%,展望四季度,NAND Flash產(chǎn)品也或?qū)⒘績r齊升。

手機(jī)、PC、服務(wù)器是存儲芯片的主要應(yīng)用市場,終端回暖是存儲芯片向好的重要原因。存儲芯片是半導(dǎo)體產(chǎn)品的重要零部件,其市場走勢一直是半導(dǎo)體行業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。隨著終端需求的明確增長以及去庫存化的有效進(jìn)行,存儲芯片或迎來一輪漲價行情,整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)或有望迎來周期上行的曙光。

3、NOR Flash也漲

存儲芯片漲價風(fēng)潮進(jìn)一步蔓延,這一次NOR Flash行業(yè)即將迎來拐點。根士丹利最新報告指出,2024年全球NOR Flash市場將從供過于求轉(zhuǎn)向供不應(yīng)求,迎來“量價齊升”的局面。

2022-2023年,NOR Flash市場都處在供過于求的狀態(tài)之中,大摩報告指出,供應(yīng)過剩幅度約在5%以內(nèi)。其主要原因便在于需求弱于預(yù)期,但如今隨著PC、智能手機(jī)、服務(wù)器需求持續(xù)上升,產(chǎn)業(yè)趨勢向好,NOR Flash市場重新迎來曙光,報告指出,消費電子2024年將整體復(fù)蘇,而PC、智能手機(jī)的NOR Flash用量漸增,將對NOR Flash需求有著正面影響,預(yù)計明年二季度NOR Flash將進(jìn)入旺季,需求有望增長5%左右。

在這一氛圍下,NOR Flash行業(yè)已開始醞釀漲價。有消息指出,預(yù)計NOR Flash將接棒啟動存儲芯片新一輪漲價潮,預(yù)計明年1月起先漲5%,二季度漲幅有望擴(kuò)大至10%。

兆易創(chuàng)新、華邦電子、旺宏等NOR Flash供應(yīng)商去年底啟動減產(chǎn)后,市場庫存量逐步下降,之前庫存水位平均約在3-4周水平。近期終端需求回溫,開始拉貨,OEM及系統(tǒng)廠庫存水位快速降至僅2周左右;業(yè)內(nèi)預(yù)計OEM及系統(tǒng)廠將在明年一季度傳統(tǒng)淡季啟動拉貨并回補庫存。

不僅是NOR Flash有望迎來漲價,TrendForce近期預(yù)計,明年一季度DRAM及NAND價格環(huán)比增幅均有望達(dá)到18%-23%——相較其此前預(yù)期(DRAM價格環(huán)比增長8%-13%、NAND 5%-10%),最新的預(yù)計增幅翻倍不止,上調(diào)了10-13個百分點。

人工智能和大數(shù)據(jù)需求上漲,存儲漲價行情來襲

根據(jù)其它研究機(jī)構(gòu)預(yù)測顯示,2024年存儲行業(yè)上漲動能大,大概率行情會持續(xù)上漲。

2024年1月15日,德邦證券發(fā)布研報點評電子行業(yè)。DRAM:價格持續(xù)上漲,動能強(qiáng)勁。根據(jù)DRAMexchange,上周(0108-0115)DRAM 18個品類現(xiàn)貨價格環(huán)比漲跌幅為-0.2%~+3.4%,平均漲跌幅為+1.2%,前值為+2.3%。上周18個料號中,有17個料號呈上漲趨勢?,F(xiàn)貨貿(mào)易商對于未來漲價想法一致,對于供應(yīng)量偏少的常規(guī)用料進(jìn)行預(yù)前備貨。

NAND:顆粒周漲幅上漲,部分料號表現(xiàn)優(yōu)異。上周(0108-0115)NAND顆?,F(xiàn)貨價格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為-1.7%~+3.7%,31個品類平均漲跌幅為+0.4%,前值為+0.6%。其中12個型號價格持平,15個型號價格上漲,4個型號價格下跌。由于原廠官價調(diào)漲,供應(yīng)商大幅調(diào)漲報價,因此eMMC及特定SSD呈現(xiàn)上漲行情,工廠端亦小幅跟進(jìn)目標(biāo)價格。

模組端:威剛23年業(yè)績平穩(wěn),預(yù)計24年業(yè)績動能充足。威剛?cè)ツ?2月營收31.45億新臺幣,月減23.18%,年增33.52%。展望今年,威剛表示,由于原廠減產(chǎn)與產(chǎn)能排擠效應(yīng)發(fā)酵,且AI應(yīng)用將在下半年開始不斷擴(kuò)大,相關(guān)服務(wù)器、PC與智能手機(jī)等需求都將接踵而至,DRAM與NANDFlash價格可望維持一整年多頭格局。

供給端緊縮漲價,需求端也有一連串新興AI需求產(chǎn)生,以及車用存儲需求大幅增加,預(yù)計將有利于威剛業(yè)績。而十銓表示,原廠減產(chǎn)效應(yīng)發(fā)酵,去庫存化效應(yīng)浮現(xiàn),合約價與現(xiàn)貨價格持續(xù)回升,由于AIPC及高性能電腦的快速發(fā)展,帶動各種AI應(yīng)用,刺激PC規(guī)格升級需求提升,有望帶動一波換機(jī)潮,十銓樂觀看待2024年消費市場需求復(fù)蘇狀況,預(yù)期H1價格將有明顯的上漲趨勢,并帶動出貨成長動能。

存儲巨頭美光也在近期給出了樂觀預(yù)期,其指出明年產(chǎn)品報價將回升,漲勢延續(xù)至2025年,2024年將是存儲器產(chǎn)業(yè)景氣反彈的一年。中信證券認(rèn)為,存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈公司Q3業(yè)績均有所修復(fù),主流、利基存儲價格齊漲,持續(xù)關(guān)注原廠庫存去化進(jìn)程和下游需求復(fù)蘇節(jié)奏對存儲價格的影響。

行業(yè)周期角度,分析師稱海外大廠稼動控制下存儲供需逐漸改善,主流存儲價格Q3起持續(xù)回暖,并在Q4帶動利基存儲價格觸底回升,看好產(chǎn)業(yè)鏈細(xì)分龍頭Q4隨庫存去化、需求逐步回歸迎來業(yè)績底部復(fù)蘇,看好國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)鏈周期復(fù)蘇疊加國產(chǎn)化趨勢下的投資機(jī)遇。





審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    30737

    瀏覽量

    264218
  • DRAM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    41

    文章

    2394

    瀏覽量

    189165
  • NAND閃存
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    230

    瀏覽量

    23816
  • Nand flash
    +關(guān)注

    關(guān)注

    7

    文章

    248

    瀏覽量

    41613
  • NAND芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    24

    瀏覽量

    10397

原文標(biāo)題:上漲OR下跌?2024年DRAM、NAND Flash合約價將如何演繹

文章出處:【微信號:ikuxing,微信公眾號:半導(dǎo)體芯情】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    從NOR FlashNAND Flash 和SD NAND,從底層結(jié)構(gòu)到應(yīng)用差異

    在嵌入式系統(tǒng)開發(fā)中,“存儲選型”是經(jīng)常會遇到的問題,特別是許多曾長期使用 NOR   Flash 的工程師,在切換到 NAND Flash 時常常感到疑惑:   為什么 NAND
    發(fā)表于 03-05 18:23

    SD NAND 為何不能存啟動代碼,SPI NAND 與 NOR Flash 卻可以 —— 接口、傳輸、啟動機(jī)制全對比

    在嵌入式、物聯(lián)網(wǎng)、工控、車載等硬件系統(tǒng)中, 啟動存儲器(Boot Flash) ?是決定設(shè)備能否上電即跑、穩(wěn)定可靠的核心器件。實際選型中,SD NAND、SPI NAND、NOR Flash
    的頭像 發(fā)表于 02-09 11:16 ?193次閱讀
    SD <b class='flag-5'>NAND</b> 為何不能存啟動代碼,SPI <b class='flag-5'>NAND</b> 與 NOR <b class='flag-5'>Flash</b> 卻可以 —— 接口、傳輸、啟動機(jī)制全對比

    SPI NOR Flash和SPI NAND Flash存儲芯片的區(qū)別

    SPI NOR Flash與SPI NAND Flash并非相互替代,而是互補關(guān)系。SPI NOR勝在讀取速度快、使用簡單、可靠性高,是代碼存儲的理想選擇。SPI NAND則以其大容量
    的頭像 發(fā)表于 01-29 16:58 ?473次閱讀
    SPI NOR <b class='flag-5'>Flash</b>和SPI <b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>Flash</b>存儲芯片的區(qū)別

    從NOR FlashNAND Flash和SD NAND,從底層結(jié)構(gòu)到應(yīng)用差異

    在嵌入式系統(tǒng)開發(fā)中,“存儲選型”是經(jīng)常會遇到的問題,特別是許多曾長期使用 NOR   Flash 的工程師,在切換到 NAND Flash 時常常感到疑惑:   為什么 NAND
    發(fā)表于 12-08 17:54

    存儲進(jìn)入“漲價通道”

    2025 以來,全球存儲市場出現(xiàn)明顯的價格上行趨勢。受AI 計算需求爆發(fā)、上游產(chǎn)能結(jié)構(gòu)調(diào)整和傳統(tǒng) HDD 供給緊張等多重因素驅(qū)動,DRAMNAND Flash 的價格全面上揚,
    的頭像 發(fā)表于 10-16 09:01 ?2805次閱讀
    存儲進(jìn)入“漲價通道”

    NAND Flash的基本原理和結(jié)構(gòu)

    NAND Flash是什么?NAND Flash(閃存)是一種非易失性存儲器技術(shù),主要用于數(shù)據(jù)存儲。與傳統(tǒng)的DRAM或SRAM不同,
    的頭像 發(fā)表于 09-08 09:51 ?7038次閱讀
    <b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>Flash</b>的基本原理和結(jié)構(gòu)

    東芯半導(dǎo)體:強(qiáng)化SLC NAND Flash技術(shù)優(yōu)勢,擁抱可穿戴、汽車等新機(jī)會

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)在2025elexcon深圳國際電子展上,東芯半導(dǎo)體帶來了全系列存儲產(chǎn)品的展示,其SPI NAND Flash、PPI NAND Flash、
    的頭像 發(fā)表于 09-04 15:38 ?5726次閱讀
    東芯半導(dǎo)體:強(qiáng)化SLC <b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>Flash</b>技術(shù)優(yōu)勢,擁抱可穿戴、汽車等新機(jī)會

    今日看點丨NAND Flash Q3將漲價超15%;阿斯麥警告 2026 增長目標(biāo)堪憂;蘋果折疊手機(jī)將采用三星無折痕方案

    。廠商分析,此次漲價主要受到自2024下半年起,原廠持續(xù)減產(chǎn)的策略推動,包括美光、SanDisk等大廠,陸續(xù)大幅縮減NAND晶圓投片量,供給緊縮效應(yīng)快速顯現(xiàn),帶動市場價格明顯反彈。 ? 據(jù)市場最新報價
    發(fā)表于 07-17 10:13 ?2897次閱讀
    今日看點丨<b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>Flash</b> Q3將漲價超15%;阿斯麥警告 2026 <b class='flag-5'>年</b>增長目標(biāo)堪憂;蘋果折疊手機(jī)將采用三星無折痕方案

    SK海力士321層4D NAND的誕生

    SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應(yīng)商(Full Stack AI Memory Provider)”,不僅在DRAM領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新,在NAND閃存(NAND Flash,以
    的頭像 發(fā)表于 07-10 11:37 ?1737次閱讀

    什么是Flash閃存以及STM32使用NAND Flash

    NAND 文章目錄 NAND 一、FLASH閃存是什么? 二、SD NAND Flash 三、STM32例程 一、
    發(fā)表于 07-03 14:33

    兆易創(chuàng)新推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash

    中國北京(2025 4 月15 日) —— 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商 兆易創(chuàng)新 GigaDevice (股票代碼 603986)宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash
    發(fā)表于 04-22 10:23 ?1649次閱讀
     兆易創(chuàng)新推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI <b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>Flash</b>

    兆易創(chuàng)新推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash

    今日,兆易創(chuàng)新宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash,該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理(BBM)功能,可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應(yīng)速
    的頭像 發(fā)表于 04-16 13:50 ?1433次閱讀

    存儲技術(shù)探秘 NAND Flash vs NOR Flash:藏在芯片里的&quot;門道之爭&quot;

    門電路玄機(jī) NOR Flash:Intel 1988 革命性突破,終結(jié) EPROM/EEPROM 壟斷時代 NAND Flash:東芝 1989
    的頭像 發(fā)表于 03-18 12:06 ?1469次閱讀

    NAND Flash與SD NAND的存儲扇區(qū)架構(gòu)差異

    NAND Flash?和?SD卡(SD NAND)的存儲扇區(qū)分配表都是用于管理存儲設(shè)備中扇區(qū)的分配信息。它們記錄了哪些扇區(qū)已被使用、哪些是空閑的,以及文件或數(shù)據(jù)與扇區(qū)的對應(yīng)關(guān)系,以便實現(xiàn)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確讀寫和存儲空間的有效管理。
    的頭像 發(fā)表于 03-13 15:20 ?1890次閱讀
    <b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>Flash</b>與SD <b class='flag-5'>NAND</b>的存儲扇區(qū)架構(gòu)差異

    Nand flash 和SD卡(SD NAND)存儲扇區(qū)分配表異同

    NAND Flash 和 SD卡(SD NAND)的存儲扇區(qū)分配表在原理上有相似之處,但由于二者的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用場景不同,也存在一些差異。以下是它們的異同點和用法介紹:相同點: 基本功能:NA
    發(fā)表于 03-13 10:45