首顆自研2D MLC NAND Flash發(fā)布！

深圳2024年2月1日/美通社/ -- 江波龍研發(fā)布局突破藩籬進(jìn)入到集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，產(chǎn)品及服務(wù)獲得客戶高度認(rèn)可。繼自研SLC NAND Flash系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)后，首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash也于近日問(wèn)世。該產(chǎn)品采用BGA132封裝，支持Toggle DDR模式，數(shù)據(jù)訪問(wèn)帶寬可達(dá)400MB/s，將有望應(yīng)用于eMMC、SSD等產(chǎn)品上，為公司存儲(chǔ)產(chǎn)品組合帶來(lái)更多可能性。

隨著自研2D MLC NAND Flash的推出，江波龍將在半導(dǎo)體存儲(chǔ)品牌企業(yè)的定位和布局上持續(xù)深耕，不斷提升核心競(jìng)爭(zhēng)力。

越過(guò)高門(mén)檻

NAND Flash芯片自主研發(fā)

江波龍近年來(lái)在存儲(chǔ)芯片的自主研發(fā)投入了大量的精力和資源。公司引進(jìn)了一批具備超過(guò)20年存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)的高端人才。團(tuán)隊(duì)不僅精通閃存芯片的設(shè)計(jì)技術(shù)，并且對(duì)于流片工藝制程、產(chǎn)品生產(chǎn)過(guò)程有著深入了解，對(duì)于4xnm、2xnm、1xnm等Flash工藝節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)。在此基礎(chǔ)上，公司能夠根據(jù)特定需求設(shè)計(jì)出不同容量和接口的閃存芯片，為客戶提供定制化服務(wù)。

在產(chǎn)品測(cè)試方面，江波龍自研NAND Flash產(chǎn)品通過(guò)內(nèi)嵌片上DFT電路，配合公司自主開(kāi)發(fā)的測(cè)試平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)了高效的生產(chǎn)測(cè)試，以確保交付客戶的閃存芯片具有高度的一致性和可靠性。

上下求索

解決存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)的每一步技術(shù)難題

存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)的每個(gè)階段都有其獨(dú)特的挑戰(zhàn)和重要性，從邏輯功能、模擬電路設(shè)計(jì)、仿真驗(yàn)證、物理設(shè)計(jì)等，都需要經(jīng)過(guò)精心策劃和嚴(yán)格實(shí)施，才能確保最終產(chǎn)品的實(shí)現(xiàn)。

MLC NAND Flash芯片為了確保數(shù)據(jù)讀取和寫(xiě)入的穩(wěn)定性，需要精確控制保存在存儲(chǔ)單元內(nèi)的電荷數(shù)量。為達(dá)到該要求，一方面需要設(shè)計(jì)高精度的模擬電路，以精確產(chǎn)生讀寫(xiě)存儲(chǔ)單元時(shí)所需的操作電壓；另一方面，需要精心設(shè)計(jì)算法來(lái)控制操作的時(shí)序和電壓，讓算法能夠適應(yīng)工藝特性（尤其是新工藝），且實(shí)現(xiàn)盡可能低的能耗。通過(guò)在芯片內(nèi)嵌入微控制器，能夠修改固件，從而實(shí)現(xiàn)更為靈活的算法控制。為了使得數(shù)據(jù)存儲(chǔ)更加可靠，芯片還內(nèi)嵌了溫度傳感器，能夠搭配算法實(shí)現(xiàn)更加精準(zhǔn)的控制。

此外，為了實(shí)現(xiàn)接口訪問(wèn)的高帶寬，還需要設(shè)計(jì)高速數(shù)據(jù)讀寫(xiě)通路。這一通路包括了高速讀出放大器、高速并-串/串-并轉(zhuǎn)換邏輯、冗余替換電路，并且需要在電路設(shè)計(jì)和物理版圖上精確匹配各個(gè)關(guān)鍵信號(hào)的延遲。

目前，江波龍已具備SLC NAND Flash、MLC NAND Flash、NOR Flash產(chǎn)品的設(shè)計(jì)能力，并將通過(guò)完善的工程及品控能力逐步拓展更豐富的Flash產(chǎn)品系列。

雙管齊下

自研DRAM芯片測(cè)試平臺(tái)

除了在NAND Flash芯片領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力，江波龍?jiān)贒RAM芯片方面也進(jìn)行了深入研究與探索。2023年，公司就已推出復(fù)合式存儲(chǔ)nMCP，該產(chǎn)品將自研SLC NAND Flash和通過(guò)自研測(cè)試平臺(tái)驗(yàn)證的LPDDR4x進(jìn)行合并封裝，實(shí)現(xiàn)高頻低耗、寬溫運(yùn)行的優(yōu)異特性，可充分滿足5G網(wǎng)絡(luò)模塊的存儲(chǔ)需求。憑借對(duì)DRAM芯片的深厚技術(shù)積累和豐富的測(cè)試經(jīng)驗(yàn)，公司已成功構(gòu)建完善的ATE測(cè)試平臺(tái)和SLT系統(tǒng)級(jí)測(cè)試平臺(tái)，能夠在芯片測(cè)試階段，高效地完成DRAM的單體測(cè)試，顯著縮短單項(xiàng)測(cè)試時(shí)間，從而降低成本。

布局封測(cè)制造

構(gòu)建完整的存儲(chǔ)芯片垂直整合能力

從芯片設(shè)計(jì)、產(chǎn)品化到生產(chǎn)測(cè)試，江波龍已構(gòu)建起存儲(chǔ)芯片完整的垂直整合能力。借助于元成蘇州、智憶巴西（Zilia）封測(cè)制造能力，不僅讓創(chuàng)新設(shè)計(jì)落地成實(shí)，更進(jìn)一步增強(qiáng)了在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。

其中，元成蘇州已在國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)了多款NAND Flash、DRAM、MCP產(chǎn)品的量產(chǎn)，并在芯片封裝及測(cè)試領(lǐng)域具備豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，其通過(guò)引進(jìn)SDBG、BSG、DB、WB、MD、FC等先進(jìn)封裝測(cè)試設(shè)備，不斷提升信號(hào)仿真、工藝開(kāi)發(fā)、SiP級(jí)、多芯片、高堆疊等專(zhuān)業(yè)能力，為車(chē)規(guī)級(jí)、工規(guī)級(jí)等高端自研存儲(chǔ)芯片提供了強(qiáng)大的技術(shù)支持。此外，元成蘇州還建立了MES、RMS、2DID等防呆體系，以確保柔性化高效的生產(chǎn)流程和產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)，為客戶提供全方位的封裝測(cè)試服務(wù)。而智憶巴西（Zilia）則使江波龍能夠更好地聚焦自身主業(yè)的海外市場(chǎng)開(kāi)拓，并為國(guó)內(nèi)客戶的海外業(yè)務(wù)賦能。

未來(lái)，江波龍將繼續(xù)大力投入存儲(chǔ)芯片的自主研發(fā)，深入挖掘NAND Flash、DRAM存儲(chǔ)芯片的應(yīng)用潛力，與公司既有的產(chǎn)品線形成協(xié)同效應(yīng)，充分結(jié)合元成蘇州、智憶巴西（Zilia）的芯片封測(cè)制造能力，提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品品質(zhì)，為客戶提供更高質(zhì)量的存儲(chǔ)服務(wù)。持續(xù)提升一體化存儲(chǔ)方案的核心競(jìng)爭(zhēng)力。

審核編輯 黃宇