近期，英飛凌科技公司宣布與安克創(chuàng)新和盛弘電氣兩大知名廠商達(dá)成合作，共同推動SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）技術(shù)在各領(lǐng)域的應(yīng)用。這些合作將進(jìn)一步提升功率半導(dǎo)體器件的效率和性能，為行業(yè)帶來更多的創(chuàng)新和價值。

英飛凌將為盛弘電氣提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的1200 V CoolSiC MOSFET功率半導(dǎo)體器件。這款產(chǎn)品具有出色的能效和高溫性能，能夠大幅提高電力電子設(shè)備的效率和可靠性。配合英飛凌的EiceDRIVER緊湊型1200V單通道隔離柵極驅(qū)動IC，盛弘電氣的儲能變流器將實現(xiàn)更高的效率，為可再生能源的利用和分布式電網(wǎng)的發(fā)展提供有力支持。

同時，英飛凌還與安克創(chuàng)新（Anker Innovations）在深圳聯(lián)合成立創(chuàng)新應(yīng)用中心。該中心于2023年12月底正式揭牌并投入使用，將專注于開發(fā)高效、高能充電解決方案，以減少碳排放，推動低碳化進(jìn)程。英飛凌的SiC和GaN技術(shù)將在這些解決方案中發(fā)揮關(guān)鍵作用，助力安克創(chuàng)新在充電設(shè)備領(lǐng)域取得領(lǐng)先地位。

這些合作進(jìn)一步展示了英飛凌在SiC和GaN技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位和廣泛影響力。通過與業(yè)界領(lǐng)先的廠商合作，英飛凌將繼續(xù)推動這些技術(shù)的發(fā)展，為各行業(yè)帶來更高效、可靠的電力電子解決方案，助力全球向低碳經(jīng)濟轉(zhuǎn)型。