消息稱三星正在整合混合鍵合技術(shù)
據(jù)業(yè)界消息人士透露，為了進(jìn)一步提升其芯片代工能力，三星正全力推進(jìn)混合鍵合技術(shù)的整合工作。據(jù)悉，應(yīng)用材料公司和Besi Semiconductor已在三星的天安園區(qū)開(kāi)始安裝先進(jìn)的混合鍵合設(shè)備，這些設(shè)備預(yù)計(jì)將用于三星的下一代封裝解決方案，如X-Cube和SAINT。
混合鍵合技術(shù)是一種將不同材料、工藝和器件結(jié)構(gòu)集成在一起的先進(jìn)制造技術(shù)。通過(guò)整合這一技術(shù)，三星期望能夠提高其芯片的集成度、性能和可靠性，以滿足市場(chǎng)對(duì)于高性能、低功耗芯片不斷增長(zhǎng)的需求。
三星作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商，一直在積極探索和采用新技術(shù)，以提升其芯片制造能力。此次整合混合鍵合技術(shù)，無(wú)疑將為其在全球芯片代工市場(chǎng)中的競(jìng)爭(zhēng)地位注入新的活力。
隨著5G、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)的快速發(fā)展，對(duì)于高性能芯片的需求日益旺盛。三星此次的技術(shù)整合，有望使其在這一市場(chǎng)領(lǐng)域中獲得更大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，并推動(dòng)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
463文章
54004瀏覽量
465795 -
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
339文章
30717瀏覽量
263914 -
三星
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
1763瀏覽量
34174
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
芯片鍵合工藝技術(shù)介紹
在半導(dǎo)體封裝工藝中，芯片鍵合（Die Bonding）是指將晶圓芯片固定到封裝基板上的關(guān)鍵步驟。鍵合工藝可分為傳統(tǒng)方法和先進(jìn)方法：傳統(tǒng)方法包括芯片鍵
詳解先進(jìn)封裝中的混合鍵合技術(shù)
在先進(jìn)封裝中， Hybrid bonding( 混合鍵合)不僅可以增加I/O密度，提高信號(hào)完整性，還可以實(shí)現(xiàn)低功耗、高帶寬的異構(gòu)集成。它是主要3D封裝平臺(tái)（如臺(tái)積電的SoIC、三星的X
3D集成賽道加速！混合鍵合技術(shù)開(kāi)啟晶體管萬(wàn)億時(shí)代
當(dāng)傳統(tǒng)制程微縮逼近物理極限，芯片巨頭們正在另一條賽道加速?zèng)_刺——垂直方向。Counterpoint Research最新報(bào)告指出，混合鍵合（Hybrid Bonding）
突破堆疊瓶頸：三星電子擬于16層HBM導(dǎo)入混合鍵合技術(shù)
成為了全球存儲(chǔ)芯片巨頭們角逐的焦點(diǎn)。三星電子作為行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，一直致力于推動(dòng) HBM 技術(shù)的革新。近日有消息傳出，三星電子準(zhǔn)備從 16 層 HBM 開(kāi)始引入混合
LG電子重兵布局混合鍵合設(shè)備研發(fā)，鎖定2028年大規(guī)模量產(chǎn)目標(biāo)
近日，LG 電子宣布正式啟動(dòng)混合鍵合設(shè)備的開(kāi)發(fā)項(xiàng)目，目標(biāo)在 2028 年實(shí)現(xiàn)該設(shè)備的大規(guī)模量產(chǎn)，這一舉措標(biāo)志著 LG 電子在半導(dǎo)體先進(jìn)封裝領(lǐng)域邁出了重要一步。混合
混合鍵合（Hybrid Bonding）工藝介紹
所謂混合鍵合（hybrid bonding），指的是將兩片以上不相同的Wafer或Die通過(guò)金屬互連的混合鍵
從微米到納米，銅-銅混合鍵合重塑3D封裝技術(shù)格局
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 半導(dǎo)體封裝技術(shù)正經(jīng)歷從傳統(tǒng)平面架構(gòu)向三維立體集成的革命性躍遷，其中銅 - 銅混合鍵合
發(fā)表于 06-29 22:05
?1675次閱讀
混合鍵合市場(chǎng)空間巨大，這些設(shè)備有機(jī)會(huì)迎來(lái)爆發(fā)
電子發(fā)燒友綜合報(bào)道 ?作為HBM和3D NAND的核心技術(shù)之一，混合鍵合在近期受到很多關(guān)注，相關(guān)設(shè)備廠商尤其是國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商的市場(chǎng)前景巨大。那么混合鍵
回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購(gòu)適用于三星S21指紋模組?；厥?b class='flag-5'>三星指紋排線，收購(gòu)三星指紋排線，全國(guó)高價(jià)回收三星指紋排線，專業(yè)求購(gòu)指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率
較為激進(jìn)的技術(shù)路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測(cè)試生產(chǎn)中取得了40% 的良率，這高于
發(fā)表于 04-18 10:52
混合鍵合技術(shù)將最早用于HBM4E
客戶對(duì)HBM的要求為增加帶寬、提高功率效率、提高集成度。混合鍵合就是可以滿足此類需求的技術(shù)。 ? 混合鍵
發(fā)表于 04-17 00:05
?1126次閱讀
三星辟謠晶圓廠暫停中國(guó)業(yè)務(wù)
對(duì)于網(wǎng)絡(luò)謠言三星晶圓代工暫停所有中國(guó)業(yè)務(wù)，三星下場(chǎng)辟謠。三星半導(dǎo)體在官方公眾號(hào)發(fā)文辟謠稱““三星晶圓代工暫停與中國(guó)部分公司新項(xiàng)目合作”的說(shuō)法
芯片封裝鍵合技術(shù)工藝流程以及優(yōu)缺點(diǎn)介紹
為邦定。 目前主要有四種鍵合技術(shù)：傳統(tǒng)而可靠的引線鍵合（Wire Bonding）、性能優(yōu)異的倒裝芯片（Flip Chip）、自動(dòng)化程度高的載帶自動(dòng)
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論